抛光布制造技术

本实用新型专利技术提供了一种抛光布，其表面分布有流液槽，其中，流液槽呈太阳放射线形状。本实用新型专利技术提出的抛光布，其表面流液槽的样式简单、易于加工，可以减少碎屑及毛丝残留物，使用时可以大大提高药液置换频率，使药液流动通畅、均匀分布，并可以减少晶片表面加工过程中可能产生的缺陷，提高成品率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶片加工
，尤其涉及一种用于对晶片进行抛光处理的抛光布。
技术介绍
众所周知，在晶片的加工过程中需要对其进行抛光，这通常使用抛光布来完成。如图1和图2所示，在现有技术中所使用的抛光布表面的流液槽的样式多为圆弧形状或网格形状，具有这种样式流液槽的抛光布在实际应用过程中容易产生吸片、晶片表面去除量不均勻等现象。另外，在现有技术中加工抛光布的流液槽所使用的工艺主要有三种其一是利用铣削的方法加工，这种方法加工的抛光布表面会产生碎屑及毛丝残留物，从而影响到晶片表面的光洁度；其二是利用激光刻蚀工艺，这种方法加工的流液槽因为刻蚀而使抛光布表面硬化，从而影响晶片表面的光洁度；其三为热压法加工工艺，这种方法加工出的抛光布使用效果最好，避免了前两种情况的不足，但加工工艺复杂、成本较高。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术的目的是，提供一种具有新型样式的流液槽的抛光布，以便抛光布流液槽的样式简单，易于加工，从而制造的抛光布在加工晶片时不容易产生表面缺陷，提高晶片的成品率。( 二 )技术方案为了解决上述技术问题，本技术提供了一种抛光布，其表面分布有流液槽，其中，所述流液槽呈太阳放射线形状。优选地，所述抛光布为圆形，所述流液槽以所述抛光布的圆心为中心，沿所述抛光布的半径方向呈直线型太阳放射线形状，并且每个所述流液槽的一端位于所述抛光布的圆周边缘，其另一端位于圆心；或者，其另一端与所述抛光布的圆心具有一定距离。优选地，所述抛光布包括2 78个流液槽单元组，所述流液槽单元组沿圆周方向均勻分布，所述流液槽单元组包括至少1个流液槽。优选地，所述抛光布为吸附被抛光件的抛光布，其包括2 16个流液槽单元组，优选包括6个流液槽单元组，或者，所述抛光布为不吸附被抛光件的抛光布，其包括48 72 个流液槽单元组，优选包括64个流液槽单元组。优选地，所述流液槽单元组包括1 8个流液槽，优选包括6个流液槽。优选地，所述流液槽的长度为1/5R 11/12R，其中R为所述抛光布的半径。优选地，所述流液槽单元组包括长流液槽单元组和短流液槽单元组，其沿所述抛光布的圆周方向交替分布，其中，所述长流液槽单元组中流液槽的长度为2/3R 5/6R，优选为3/4R，所述短流液槽单元组中流液槽的长度为1/5R 2/3R，优选为7/12R，其中R为所述抛光布的半径。优选地，所述流液槽的宽度为1. 0 2. 5mm，优选为1. 5 1. 8mm。优选地，所述流液槽的深度为0. 2 0. 9mm,优选为0. 3 0. 8mm,最好为0. 4 0. 5mm。优选地，所述抛光布为吸附被抛光件的抛光布，所述流液槽的面积比为0. 5% 8%，或者，所述抛光布为不吸附被抛光件的抛光布，所述流液槽的面积比为8% 20%，其中R为所述抛光布的半径。(三)有益效果本技术提出的抛光布，其表面流液槽的样式简单、易于加工，可以减少碎屑及毛丝残留物，使用时可以大大提高药液置换频率，使药液流动通畅、均勻分布，并可以减少晶片表面加工过程中可能产生的缺陷，提高成品率。附图说明下面参照附图并结合实例来进一步描述本技术。其中图1示出了现有技术的第一种抛光布表面的流液槽样式；图2示出了现有技术的第二种抛光布表面的流液槽样式；图3示出了本技术的实施例一的抛光布表面的流液槽样式；图4示出了本技术的实施例二的抛光布表面的流液槽样式；图5示出了本技术的实施例三的抛光布表面的流液槽样式；图6示出了本技术的实施例四的抛光布表面的流液槽样式。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。实施例一图3示出了本技术的实施例一的抛光布表面的流液槽样式。如图3所示，根据该实施例，本技术的抛光布为圆形，其直径Φ为1220mm，其半径R= Φ/2 = 610mm。 抛光布表面均勻分布有68个流液槽单元组，每个单元组包括2个流液槽，所有的流液槽以抛光布的圆心为中心，沿抛光布的半径方向呈直线型太阳放射线形状，并且每个流液槽的对称线在抛光布的半径方向上，其一端位于抛光布的圆周边缘，另一端位于圆心，或者另一端与抛光布的圆心具有一定距离，每个流液槽的长度为470mm，每个单元组中流液槽的间距 hi 为 Ilmm0实施例二图4示出了本技术的实施例二的抛光布表面的流液槽样式。如图4所示，根据该实施例，本技术的抛光布为圆形，其直径Φ为1220mm，其半径R= Φ/2 = 610mm。 抛光布表面均勻分布有34个长流液槽单元组和34个短流液槽单元组，其沿抛光布的圆周方向交替分布。每个单元组包括2个流液槽，所有的流液槽以抛光布的圆心为中心，沿抛光布的半径方向呈直线型太阳放射线形状，并且每个流液槽的对称线在抛光布的半径方向上，其一端位于抛光布的圆周边缘，另一端与抛光布的圆心具有一定距离。每个长流液槽单元组中流液槽的长度为470mm，每个短流液槽单元组中流液槽的长度为300mm，每个单元组中流液槽的间距h2为11mm。本实施例采用了不同长度的流液槽单元组交替分布于抛光布表面，使得流液槽在抛光布的中心区域不产生交叉，从而避免了在抛光工艺中产生晶片表面去除量不均勻的现象。实施例三图5示出了本技术的实施例三的抛光布表面的流液槽样式。如图5所示，根据该实施例，本技术的抛光布为圆形，其直径Φ为1220mm，其半径R= Φ/2 = 610mm。 抛光布表面均勻分布有68个流液槽单元组，每个单元组包括3个流液槽，所有的流液槽以抛光布的圆心为中心，沿抛光布的半径方向呈直线型太阳放射线形状，并且每个流液槽的对称线在抛光布的半径方向上，其一端位于抛光布的圆周边缘，另一端与抛光布的圆心具有一定距离，每个流液槽的长度为470mm，每个单元组中流液槽的间距为22mm。实施例四图6示出了本技术的实施例四的抛光布表面的流液槽样式。如图6所示，根据该实施例，本技术的抛光布为圆形，其直径Φ为1220mm，其半径R= Φ/2 = 610mm。 抛光布表面均勻分布有34个长流液槽单元组和34个短流液槽单元组，其沿抛光布的圆周方向交替分布。每个单元组包括3个流液槽，所有的流液槽以抛光布的圆心为中心，沿抛光布的半径方向呈直线型太阳放射线形状，并且每个流液槽的对称线在抛光布的半径方向上，其一端位于抛光布的圆周边缘，另一端与抛光布的圆心具有一定距离。每个长流液槽单元组中流液槽的长度为470mm，每个短流液槽单元组中流液槽的长度为360mm，每个单元组中流液槽的间距h4为18mm。本实施例采用了不同长度的流液槽单元组交替分布于抛光布表面，使得流液槽在抛光布的中心区域的交叉不是很密集，从而减少了在抛光工艺中产生晶片表面去除量不均勻的现象。以上仅为根据本技术的抛光布的几种示例性流液槽样式，但本技术不限于此。例如，在以上实施例中，本技术的抛光布表面的流液槽的样式为直线形，其优点是图案简单、易于加工，可以减少碎屑及毛丝残留物，但除此之外，也可以使用其它线形的放射线样式。再例如，在以上实施例中，本技术的抛光布为圆形，但是本领域技术人员应该理解，可以根据需要选用其它形状的抛光布。还例如，在以上实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种抛光布，其表面分布有流液槽，其特征在于：所述流液槽呈太阳放射线形状。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维斯·张，刘文森，赵波，古燕，刘丽杰，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11