本发明专利技术提供一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash控制器，包含微控制器、片使能信号寄存器、命令寄存器、地址寄存器、数据寄存器、时序寄存器、选择器、接口控制逻辑单元，同时还包含片使能信号与时序寄存器对应关系设定寄存器。通过设定多个时序寄存器，根据片使能信号与时序寄存器之间设置的对应关系，实现对多个不同类型的NANDflash的控制，满足在NANDflash控制器所连接的多个NANDflash接口不统一情形下的应用需求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种NANDflash控制器，尤其涉及一种可支持不同类型NANDflash的 NANDflash 控制器。
技术介绍
随着存储技术的应用，NANDflash在最近几年里得到了突飞猛进的发展。逐渐 由1位/单元的SLC(Single-LeveI-Cell)技术发展到了 2位/单元甚至3位/单元的 MLC(Multi-Level-Cell)技术。同时NANDfIash的生产工艺也得到不断进步。随着技术应 用的需求，NANDflash容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低。NANDflash相对于磁存储介质有省电、寻道时间短等优点。随NANDflash成本的不 断下降，基于NANDflash的固态硬盘(SSD Solid-State-Drive)逐渐成为现有磁存储介质 硬盘的最佳选择。但目前NANDflash的接口标准还不统一，不仅不同制造厂商与厂商之间的标准 不统一，连同一个制造厂商在不同时期的产品接口标准也不统一。从而会产生因接口不 统一出现的应用问题。因此开发适用于尽可能多不同类型NANDflash的控制器成为基于 NANDflash的产品开发的难点与热点问题。
技术实现思路
基于上述问题，本专利技术目的是提供一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash 控制器，可同时支持多种不同类型的NANDflash，满足应用的需求。本专利技术提供一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash控制器，包含微控制 器、片使能信号寄存器、命令寄存器、地址寄存器、数据寄存器、时序寄存器、选择器、接口控 制逻辑单元，同时还包含片使能信号与时序寄存器对应关系设定寄存器。微控制器，用于将NANDflash的操作拆分为配置片使能信号(CE#)、配置命令、配 置地址、读数据和写数据等子操作。片使能信号寄存器，用于当微控制器写该寄存器时，NANDflash接口控制逻辑单元 根据配置的内容驱动片使能信号。命令寄存器，用于当微控制器写该寄存器时，NANDflash接口控制逻辑单元把配置 的命令发送到相应NANDflash。地址寄存器，用于当微控制器写该寄存器时，NANDflash接口控制逻辑单元把配置 的地址发送到相应NANDflash。数据寄存器，用于当微控制器写该寄存器时，NANDflash接口控制逻辑单元将写入 的数据发送到相应的NANDflash ；当微控制器读该寄存器时，NANDflash接口控制逻辑单元 将把数据从相应的NANDflash读出并写入数据寄存器。时序寄存器，设置读使能信号、写使能信号的时序，指定读NANDflash操作时 NANDflash接口控制逻辑单元锁存数据的时间。选择器，用于根据不同NANDflash和时序寄存器的对应关系选择时序寄存器。接口控制逻辑单元，用于与多个NANDflash之间的接口控制。片使能信号与时序寄存器对应关系设定寄存器，用于微控制器通过设定片使能信 号与时序寄存器对应关系设定寄存器来设置片使能信号与时序寄存器的对应关系。本专利技术针对不同类型的NANDflash分别分配一组时序寄存器，设置片使能信号和 时序寄存器的对应关系，当选定某个NANDflash进行某项子操作时，子操作内的时序则由 对应的时序寄存器控制。本专利技术将NANDflash的操作拆分为配置片使能信号(CE#)、配置命令、配置地址、 读数据和写数据五个子操作。每个子操作均由微控制器通过配置相应子操作寄存器开始执 行。子操作之间的时序由微控制器控制，子操作内的时序由时序寄存器来控制。时序寄存 器在存储系统初始化时由微控制器设置。本专利技术通过设定多个时序寄存器，根据片使能信号与时序寄存器之间设置的对应 关系，实现对多个不同类型的NANDflash的控制，满足应用需求。附图说明图1同时支持两种类型NANDflash的NANDflash控制器电路结构图 具体实施方案图1中所示为同时支持两种类型NANDflash的控制器结构框图，根据不同应用需 求，可通过设置更多个时序寄存器数来满足同时控制更多类型NANDflash的应用需求。针对NANDflash控制器中的各组成部分，进行具体的实施内容描述表1中列举了片使能信号寄存器的内容名称位宽初始值说明片使能信 号寄存器8'hff当微控制器写该寄存器时，NANDflash接口控制逻辑 将根据配置的内容驱动片使能信号。表2命令寄存器的内容名称位宽初始值说明命令寄存 器80当微控制器写该寄存器时，NANDflash接口控制逻辑 将把配置的命令发送到相应NANDflash。地址寄存器由四个寄存器组成行(row)地址位宽配置寄存器，行地址寄存器，列 (column)地址位宽配置寄存器和列地址寄存器。表3行地址位宽配置寄存器的内容权利要求1.一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash控制器，包含微控制器、片使能信号寄 存器、命令寄存器、地址寄存器、数据寄存器、时序寄存器、选择器、接口控制逻辑单元，其特 征在于还包含片使能信号与时序寄存器对应关系设定寄存器。2.如权利要求1所述的一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash控制器，其特征 在于所述时序寄存器由写使能低寄存器、写使能高寄存器、读使能低寄存器、读使能高寄 存器和读数据锁存寄存器五部分构成。3.如权利要求1或3所述的一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash控制器，其 特征在于不同的时序寄存器对应于不同类型的NANDflash。4.如权利要求1所述的一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash控制器，其特征 在于所述地址寄存器由行地址位宽配置寄存器、行地址寄存器、列地址位宽配置寄存器和 列地址寄存器构成。全文摘要本专利技术提供一种可支持不同类型NANDflash的NANDflash控制器，包含微控制器、片使能信号寄存器、命令寄存器、地址寄存器、数据寄存器、时序寄存器、选择器、接口控制逻辑单元，同时还包含片使能信号与时序寄存器对应关系设定寄存器。通过设定多个时序寄存器，根据片使能信号与时序寄存器之间设置的对应关系，实现对多个不同类型的NANDflash的控制，满足在NANDflash控制器所连接的多个NANDflash接口不统一情形下的应用需求。文档编号G06F3/06GK102096555SQ20091020024公开日2011年6月15日 申请日期2009年12月10日 优先权日2009年12月10日专利技术者迟志刚 申请人:上海华虹集成电路有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可支持不同类型ＮＡＮＤｆｌａｓｈ的ＮＡＮＤｆｌａｓｈ控制器，包含微控制器、片使能信号寄存器、命令寄存器、地址寄存器、数据寄存器、时序寄存器、选择器、接口控制逻辑单元，其特征在于：还包含片使能信号与时序寄存器对应关系设定寄存器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：迟志刚，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：31
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