新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极，其中，所述N型第二阻挡区的厚度在0～10μm，P型第二发射区的厚度在0.1～2μm，N型第一阻挡区的厚度在0.1～2μm，P型第一发射区的厚度在0.05～2μm。本发明专利技术将原背结构P型级发射区转变为P/N/P/N+多级发射区和阻挡区相结合的结构，实现对漂移区内的空穴分布精确控制的目的，在显著提高器件的性能下，解决了欧姆接触和低注入效率的矛盾，较好地解决了通态特性和开关特性之间的协调关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于半导体器件

技术介绍
绝缘栅双极晶体管(IGBT)由于双极型三极管和绝缘栅型场效应管和成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有绝缘栅型场效应管的高输入阻抗及双极型三极管的低导通压降、以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点，无论在传统产业的技术改造方面， 如电机调速、各种高频开关电源等，还是在新能源的开发方面，如太阳能发电、风能发电和新能源汽车等，以及新兴产业方面，如智能电网、轨道交通等，作为电力电子系统核心开关器件的IGBT都起到了不可取代的关键的作用。常规非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管背面结构见图1所示，仅由P型发射区及集电极构成，常规场阻断型(FS)绝缘栅双极晶体管背面结构见图2所示，仅由N型阻挡区、 P型发射区及集电极构成，通态压降主要由背面接触电阻及多子注入比决定，如果该发射区浓度大，多子注入效率高，可以保证背面欧姆接触，通态压降可以做小，但开关时间，特别是关断时间就会比较长，如果该发射区浓度小，多子注入效率低，开关时间，特别是关断时间比较短，但背面接触电阻大，通态压降高，因此低通态压降和低开关损耗经常难以协调。专利
技术实现思路
本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，其特征在于：在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有Ｎ型第二阻挡区、Ｐ型第二发射区、Ｎ型第一阻挡区以及Ｐ型第一发射区和集电极，其中，所述Ｎ型第二阻挡区的厚度在０～１０μｍ，Ｐ型第二发射区的厚度在０．１～２μｍ，Ｎ型第一阻挡区的厚度在０．１～２μｍ，Ｐ型第一发射区的厚度在０．０５～２μｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戚丽娜，张景超，刘利峰，赵善麒，林茂，吴迪，
申请(专利权)人：江苏宏微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32