【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压力传感器，具体为一种高温压力传感器。
技术介绍
目前被广泛应用的压力传感器，多为压阻式压力传感器，即扩散硅压力传感器，其结构的核心部分是一块沿某晶向切割的N型圆形硅膜片，利用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上，制成硅压阻芯片，并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线， 直接通过硅膜片感受其被测压力。硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。在被测压力P作用下，膜片产生应力和应变。因扩散硅压阻式压力传感器依靠PN结实现敏感电阻间的电学隔离，由于硅材料对温度十分敏感，应用于150°C以上的高温环境时，P-N结漏电会大大加剧，致使隔离失效，传感器无法工作。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有压力传感器由于结构不合理导致其在高温环境隔离失效无法正常工作的问题，提供了一种可工作于高温气流环境下的高温压力传感器。本专利技术是采用如下技术方案实现的高温压力传感器，包括上端开口的柱状壳体， 壳体上端设有带中心孔的上端盖，上端盖下底面设有上部穿入其中心孔的阶梯状上绝热环，上绝热环下表面设有与壳体内侧壁留有间隙且中心开有通孔的热沉体，...
【技术保护点】
１．一种高温压力传感器，其特征在于：包括上端开口的柱状壳体（１），壳体（１）上端设有带中心孔的上端盖（２），上端盖（２）下底面设有上部穿入其中心孔的阶梯状上绝热环（３），上绝热环（３）下表面设有与壳体（１）内侧壁留有间隙且中心开有通孔的热沉体（４），热沉体（４）上端固定有与其通孔相通且穿过上绝热环（３）的引压管（５），热沉体（４）与壳体（１）下端内壁之间设有与两者相接触的下绝热环（６），壳体（１）下端内壁开有凹槽，凹槽内放置有与热沉体（４）通孔相通的压力传感器主体（７）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁庭，任勇峰，苏淑靖，张文栋，刘俊，郭涛，文丰，李叶，叶挺，杨芳，牛坤旺，王凯，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：14
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