电极结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电极结构及其制造方法，包括基材、电极桥接结构、介电层以及导电图案。该介电层形成于该电极桥接结构以及该基材上且具有若干绝缘区块图案，每一该些绝缘区块图案覆盖于一部分的电极桥接结构，以形成曝露的若干桥接图案，其中每一该些绝缘区块图案与每一该些桥接图案之间沿着一预定方向依序交互排列。该导电图案具有第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极，该第一电极电性连接于该第二电极，该第三电极与该第四电极覆盖于该电极桥接结构的该些桥接图案，以降低该电极桥接结构相对于该第三电极与该第四电极之间的接触电阻值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，特别是有关于一种适用于电容式触控面板的具有多区块绝缘层的。
技术介绍
参考图1，其绘示现有技术中电容式触控面板的电极结构100的示意图。该电极结构100包括基材102、金属导线104、介电层(dielectric layer) 106、透明电极层 108以及保护层(passivation layer) 110。上述是利用物理气相沉积(physical vapor deposition, PVD)法以及微影技术等黄光制程依序形成该金属导线104、该介电层106以及该透明电极层108，其中该透明电极层108具有左侧电极108a、该右侧电极108b与导线 108c,且该金属导线104的两端分别与该左侧电极108a与该右侧电极108b形成电性接触。然而在图1中，该介电层106与该金属导线104两端的阶梯边缘(st印edge)附近， 由于该透明电极层108的阶梯覆盖率(st印coverage)不佳，亦即该介电层106与该金属导线104的高度落差，使得该透明电极层108的覆盖厚度不均勻，容易在该金属导线104的两端产生缺陷(defect) 105，使该透明电极层108与该金属导线104之间的电性接触不良或是断接状态，影响该左侧电极108a与该右侧电极108b之间的信号传送，如图1所示，该金属导线104的左端与该左侧电极108a产生缺陷105，形成断接(open loop)状态；该金属导线104的右端与该透明电极层108的接触不完整，导致该透明电极层108与该金属导线 104的接触电阻值升高。此外，当在该金属导线104两端未被介电层106覆盖的导线面积过小时，亦即长度 L太小，会使得该透明电极层108覆盖该金属导线104不良，易导致该透明电极层108与该金属导线104之间处于断接状态，无法于该左侧电极108a与该右侧电极108b之间传送信号。但是当金属导线104两端不被介电层106覆盖的面积增加(亦即加大长度L)时，则会在电容式触控面板形成金属亮点，以致于影响触控面板的外观质量。有鉴于此，确实有必要对现有电容式触控面板的电极结构进行改善。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种，其能够稳定地传送感测信号。为达成上述目的，本专利技术提供一种，该电极结构主要包括基材、电极桥接结构、介电层(dielectric layer)、导电图案以及保护层(passivation layer)。该电极结构透过电极线路连接至控制电路，该控制电路用以处理来自该电极结构的感测信号。该电极桥接结构形成于该基材上。该电极桥接结构的材料例如是合金材料的金属导线。该介电层形成于该电极桥接结构以及该基材上，该介电层具有若干绝缘区块图案，每一该些绝缘区块图案覆盖于一部分的该电极桥接结构，使该电极桥接结构形成曝露的若干桥接图案，其中每一该些绝缘区块图案与每一该些桥接图案之间沿着一预定方向依序交互排列。该导电图案形成于该基材上，该导电图案具有第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极，该第一电极电性连接于该第二电极，该第三电极与该第四电极覆盖于该电极桥接结构的桥接图案，以使该电极桥接结构电性连接于该第三电极与该第四电极之间，且该电极桥接结构通过该介电层分别与该第一电极与该第二电极形成电性隔离，而使该第三电极和该第四电极通过该介电层而与该第一电极和该第二电极呈绝缘状态。本专利技术实施例中电极结构的制造流程包括下列步骤(1)形成一电极桥接结构于一基材上。(2)形成一介电层于该电极桥接结构以及该基材上。(3)蚀刻该介电层形成若干绝缘区块图案，每一该些绝缘区块图案覆盖于一部分的该电极桥接结构，以使该电极桥接结构形成曝露的若干桥接图案，其中每一该些绝缘区块图案与每一该些桥接图案之间沿着一预定方向依序交互排列。(4)形成一导电层于该基材上。(5)蚀刻该导电层形成一导电图案，其中该导电图案具有一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，该第一电极电性连接于该第二电极，该第三电极与该第四电极覆盖于该电极桥接结构的桥接图案，以使该电极桥接结构电性连接于该第三电极与第四电极之间，该介电层使该第一电极与第二电极对该电极桥接结构形成电性隔离，而使该第三电极和第四电极通过该介电层与该第一电极和第二电极呈绝缘状态。(6)形成一保护层于该导电层图案以及该介电层上。相较于现有技术，本专利技术适用于电容式触控面板的电极结构及其方法，通过若干绝缘区块图案降低导电图案与电极桥接结构之间的接触电阻值，以利于该电极桥接结构稳定地传送感测信号。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图1绘示现有技术中电容式触控面板的电极结构的示意图。图2绘示依据本专利技术实施例中电极结构的布线示意图。图3A-3F绘示依据本专利技术图2的第一实施例中沿着线段A_A’的电极结构的制造流程剖视图。图4绘示依据本专利技术的电容式触控面板的电子装置的方块示意图。具体实施方式参考图2，其绘示依据本专利技术实施例中电极结构的布线示意图。该电极结构 200(如图3F所示)适用于电容式触控面板(capacitive touch panel)，该电极结构200主要包括基材202、电极桥接结构204、介电层(dielectric layer) 206、导电图案208以及保护层(passivation layer) 210o该电极结构200透过电极线路207连接于控制电路212， 该控制电路212用以处理来自该电极结构200的感测信号，该电极线路207与该导电图案208位于该基材202上的不同区域。应注意的是，此处是以上、下两组电极结构200为例，然而本专利技术亦适用于两组以上的电极结构200，形成矩阵式的电极结构。该电极桥接结构204形成于该基材202上，该电极桥接结构204的材料例如是合金材料的金属导线，该合金材料是选自于钯(Pd)、钼(Pt)、金(Au)、银(Ag)以及铝(Al)所组成的族群之一。在一较佳实施例中，该电极桥接结构204的厚度介于0. 2 μ m至10 μ m之间，或是任意可与该介电层206完整贴附的厚度范围。该介电层206形成于该电极桥接结构204以及该基材202上，该介电层206具有若干绝缘区块图案(206a、206b、206c)，每一该些绝缘区块图案O06a、20m3、206c)覆盖于一部分的该电极桥接结构204，使该电极桥接结构204形成曝露的若干桥接图案(2(Ma、204b、 2(Mc、204d)，其中每一该些绝缘区块图案Q06a、206b、206c)与每一该些桥接图案Q04a、 204b、204c、204d)之间沿着一预定方向依序交互排列，亦即该些桥接图案(2(Ma、204b、 204c,204d)在线段A-A’方向将该电极桥接结构204以断续性覆盖方式形成该些桥接图案 O04a、204b、204c、204d)，换言之，两个桥接图案(2(Ma、204b、2(Mc、204d)之间以一绝缘区块图案(206a、206b、206c)隔开。该介电层206的厚度例如是介于0. 1 μ m至5 μ m之间；每一该些绝缘区块图案O06a、20m3、206c)的间距例如是介于0. 3 μ m至40 μ m之间。该导电图案208形成于该基材202上，该导电图案208具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电极结构，包括：一基材、一电极桥接结构、一介电层以及一导电图案，其中该电极桥接结构形成于该基材上，该介电层形成于该电极桥接结构以及该基材上，该导电图案形成于该基材上，其特征在于：该介电层具有若干绝缘区块图案，每一绝缘区块图案覆盖于该电极桥接结构的一部分，使该电极桥接结构形成曝露的若干桥接图案，其中每一该些绝缘区块图案与每一该些桥接图案之间沿着一预定方向依序交互排列；该导电图案具有一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，该第一电极电性连接于该第二电极，该第三电极与该第四电极覆盖于该电极桥接结构的该些桥接图案，以使该电极桥接结构电性连接于该第三电极与该第四电极之间，且该电极桥接结构通过该介电层分别与该第一电极与该第二电极形成电性隔离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文龙，卢文龙，曾榆钧，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94