一种拟薄水铝石组合物和由其制备的氧化铝制造技术

一种拟薄水铝石组合物和由其制备的氧化铝，所述拟薄水铝石组合物含有至少两种拟薄水铝石P1和P2，以拟薄水铝石组合物的总量为基准，所述P2的含量为50重量％以上，其中，P1为1.1≤n1≤2.5的拟薄水铝石，P2为0.8＜n2＜1.1的拟薄水铝石；n(1或2)＝D(1或2)(031)/D(1或2)(120)，所述D(1或2)(031)表示P1或P2拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中(031)峰所代表的晶面的晶粒尺寸，D(1或2)(120)表示P1或P2拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中(120)峰的所在晶面的晶粒尺寸，D＝Kλ/(Bcosθ)，λ为靶型材料的衍射波长，B为校正过的衍射峰的半峰宽，2θ为衍射峰的位置。与现有技术相比，由本发明专利技术的拟薄水铝石组合物制备的氧化铝性能得到改善，可以作为各种吸附剂、催化剂载体和基质使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种拟薄水铝石和由该拟薄水铝石制得的氧化铝。
技术介绍
氧化铝、特别是Y -氧化铝，因其具有较好的孔结构、比表面和耐热稳定性，常作为载体用于催化剂的制备。氧化铝的前身物为水合氧化铝，如拟薄水铝石，其粒子大小、形貌、结晶度等对氧化铝载体的孔容、孔分布、比表面积等性质产生影响。作为氧化铝载体原料的拟薄水铝石一般由如下方法制备(1)碱沉淀法，即酸化铝盐与碱中和。用碱从酸化铝盐溶液沉淀出一水合氧化铝，再通过老化、洗涤、干燥等过程得到拟薄水铝石产品，该法常被称为碱沉淀(酸法)，如氨水中和三氯化铝的方法；( 酸沉淀法，即强酸或强酸的铝盐中和铝酸盐。先用酸从铝酸盐溶液中沉淀出一水合氧化铝，再通过老化、洗涤、干燥等过程得到拟薄水铝石产品，常被称为酸沉淀(碱法)，目前最为常用方法包括ω2气体中和偏铝酸钠的方法、硫酸铝中和偏铝酸钠的方法；(3)烷氧基铝水解法， 将烷氧基铝与水发生水解反应生成一水合氧化铝，再经老化、过滤、干燥得到拟薄水铝石产品。在拟薄水铝石的制备过程一般都由晶粒生成(中和沉淀或者水解过程)、晶粒生长(老化过程)、洗涤、干燥等过程组成。因此，晶粒生成、晶粒生长的工艺条件会对晶粒生成的数量和生长速度产生影响，各种拟薄水铝石的制备工艺都提出了各自的工艺条件，控制产品的晶粒大小、结晶度，以达到控制产品孔容和比表面积等物理性质的目的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种新的拟薄水铝石组合物以及由该组合物制备的氧化铝。本专利技术提供一种拟薄水铝石组合物，其特征在于，该组合物含有至少两种拟薄水铝石Pl和Ρ2，以拟薄水铝石组合物的总量为基准，所述Ρ2的含量为50重量％以上，其中， Pl为1. 1彡Ii1彡2. 5的拟薄水铝石，Ρ2为0. 8 < η2 < 1· 1的拟薄水铝石；n(liU) = 0(1或幻 (031)/1)(^^(120)^^^^0(^0(031)表示Pl或P2拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中(031)峰所代表的晶面的晶粒尺寸，Dag82) (120)表示Pl或P2拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中(120) 峰的所在晶面的晶粒尺寸，所述031峰是指XRD谱图中2 θ为34-43°的峰，所述120峰是指XRD谱图中2 θ为23-33°的峰，D = KX/ (Bcos θ )，λ为靶型材料的衍射波长，B为校正过的衍射峰的半峰宽，2 θ为衍射峰的位置。本专利技术进一步提供一种氧化铝，该氧化铝由拟薄水铝石经焙烧得到，其特征在于， 其中所述的拟薄水铝石为前述本专利技术提供的拟薄水铝石组合物。与现有技术相比，本专利技术提供的拟薄水铝石组合物性能得到改善。例如，在相同的反应条件下，采用本专利技术提供拟薄水铝石组合物制备载体制备的催化剂，其4，6_ 二甲基二苯并噻吩加氢脱硫活性相对参比剂可提高7-38%。具体实施例方式按照本专利技术提供的拟薄水铝石组合物，以拟薄水铝石组合物的总量为基准，所述 P2的含量优选为60重量％以上；所述Pl优选为1. 2 < Ii1 < 2. 2的拟薄水铝石，P2优选为 0. 85 ^ n2 ^ 1. 05的拟薄水铝石。在一个具体的实施方式中，所述组合物中Pl与P2的重量比为50 50-5 95，优选为 40 60-10 90。所述组合物由Pl与P2混合得到，所述混合可以是将所述Pl与P2置于一处的简单堆积，可以是采用任意一种现有技术，例如可以在搅拌机、研磨机中直接将Pl与P2通过搅拌的方式进行混合，也可以是在足以浆化的条件下将Pl与P2和水混合，之后经过滤、干燥或不干燥。当采用任意一种现有技术进行混合时，本领域技术人员视需要可对所述混合所应达到的均勻性进行控制，本专利技术对此没有特别限制。按照本专利技术提供的拟薄水铝石组合物，其中，所述P2为0. 8 < n2 < 1. 1的拟薄水铝石可以是采用任意一种现有技术制备的拟薄水铝石。所述Pl为1. 1 < Ill < 2. 5的拟薄水铝石的制备方法包括将含铝化合物溶液与酸或碱接触进行沉淀反应，或者将有机含铝化合物与水接触进行水解反应，得到水合氧化铝；将上述得到的水合氧化铝进行老化，其中，所述含铝化合物溶液与酸或碱的接触或所述有机含铝化合物与水的接触以及水合氧化铝的老化中的任意一个过程在晶粒生长调节剂存在下进行，所述晶粒生长调节剂为能够调节晶粒在不同晶面上的生长速度的物质。尽管只要使水解反应或沉淀反应以及老化中的任意一个过程在晶粒生长调节剂存在下进行即可实现本专利技术的目的，但优选情况下，所述水解反应和老化过程或者所述沉淀反应和老化过程均在晶粒生长调节剂存在下进行，这样可以使所得Pl拟薄水铝石的n2 在优选1.2彡Ii1彡2. 2范围内。其中，对晶粒生长调节剂的用量没有特别的限定，优选水解反应中晶粒生长调节剂的用量为待水解的有机含铝化合物重量的0. 5-10%，进一步优选为1-8. 5%，更进一步优选5-8. 5%;所述沉淀反应中晶粒生长调节剂的用量为无机含铝反应物重量的0. 5-10%, 进一步优选为1-8.5%，更进一步优选5-8.5% ；所述老化过程中，晶粒生长调节剂的用量可以为水合氧化铝重量的0.5-10%，优选为1-8.5%，更进一步优选5-8.5%。除非特别说明，本专利技术中，所述晶粒生长调节剂的用量均分别以有机含铝化合物、无机含铝化合物以及水合氧化铝中对应的氧化铝的重量为基准进行计算。也即，以氧化铝计，所述沉淀反应中， 所述晶粒生长调节剂的用量为无机含铝化合物重量的0. 5-10%，所述水解反应中，所述晶粒生长调节剂的用量为有机含铝化合物重量的0. 5-10%，所述老化过程中，所述晶粒生长调节剂的用量为水合氧化铝重量的0. 5-10%。本专利技术中，所述晶粒生长调节剂可以为各种能够调节晶粒在不同晶面上的生长速度的物质，特别是能够调节晶粒在120晶面和031晶面的生长速度的物质，优选的调节剂为多羟基糖醇及其羧酸盐，具体可以为山梨糖醇、葡萄糖、葡萄糖酸、葡萄糖酸盐、核糖醇、核糖酸、核糖酸盐中的一种或几种。所述葡萄糖酸盐和核糖酸盐各自可以为它们的可溶性盐， 例如，可以为钾盐、钠盐和锂盐中的一种或几种。在本专利技术所述的Pl拟薄水铝石制备过程中，对所述晶粒生长调节剂的加入方式没有特别限定，可以将晶粒生长调节剂单独加入，也可以预先将晶粒生长调节剂与其中的4一种或几种原料混合，然后再将含有晶粒生长调节剂的原料进行反应。其中，所述无机含铝化合物溶液可以是各种铝盐溶液和/或铝酸盐溶液，所述铝盐溶液可以是各种铝盐溶液，例如可以是硫酸铝、氯化铝、硝酸铝中的一种或几种的水溶液。因为价格低，优选硫酸铝、氯化铝溶液。铝盐可以单独使用也可以两种或者多种混合后使用。所述铝酸盐溶液是任意的铝酸盐溶液，如铝酸钠溶液和/或铝酸钾。因为其获得容易而且价格低，优选铝酸钠溶液。铝酸盐溶液也可以单独或者混合使用。对所述铝盐溶液和/或铝酸盐溶液的浓度没有特别限定，优选以氧化铝计为 0. 2-1. 1摩尔/升。所述酸可以是各种质子酸或在水介质中呈酸性的氧化物，例如，可以是硫酸、盐酸、硝酸、碳酸、磷酸、甲酸、乙酸、柠檬酸、草酸中的一种或几种，优选的质子酸选自硝酸、硫酸、盐酸中的一种或几种。所述碳酸可以通过向铝盐溶液和/或铝酸盐溶液中通入二氧化碳而原位本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种拟薄水铝石组合物，其特征在于，含有至少两种拟薄水铝石Ｐ１和Ｐ２，以拟薄水铝石组合物的总量为基准，所述Ｐ２的含量为５０重量％以上，其中，Ｐ１为１．１≤ｎ１≤２．５的拟薄水铝石，Ｐ２为０．８＜ｎ２＜１．１的拟薄水铝石；ｎ（１或２）＝Ｄ（１或２）（０３１）／Ｄ（１或２）（１２０），所述Ｄ（１或２）（０３１）表示Ｐ１或Ｐ２拟薄水铝石晶粒的ＸＲＤ谱图中（０３１）峰所代表的晶面的晶粒尺寸，Ｄ（１或２）（１２０）表示Ｐ１或Ｐ２拟薄水铝石晶粒的ＸＲＤ谱图中（１２０）峰的所在晶面的晶粒尺寸，所述０３１峰是指ＸＲＤ谱图中２θ为３４－４３°的峰，所述１２０峰是指ＸＲＤ谱图中２θ为２３－３３°的峰，Ｄ＝Ｋλ／（Ｂｃｏｓθ），λ为靶型材料的衍射波长，Ｂ为校正过的衍射峰的半峰宽，２θ为衍射峰的位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王锦业，曾双亲，聂红，夏国富，李明丰，杨清河，王奎，李大东，张润强，朱玫，李坚，朱立，
申请(专利权)人：中国石油化工股份有限公司，中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院，
类型：发明
国别省市：11