【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；活性层，形成在上述半导体基板的一个面上；布线层，形成在上述活性层上，在不与上述活性层接触的面侧具有形成为凸部的布线；绝缘层，形成在上述布线层上，以使该绝缘层具有凹部；埋层，设在上述绝缘层的凹部上；接合层，设在上述绝缘层及上述埋层上；和基板，与上述接合层接合，以使该基板与上述半导体基板的上述一个面相对置。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷田一真，山口直子，本乡悟史，沼田英夫，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP
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