【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ZnO纳米阵列的制备方法，尤其涉及一种ZnO纳米同质p_n结阵列的制备方法。
技术介绍
ZnO是一种典型的半导体光电材料，特别是一种理想的短波长发光器件材料。为制备ZnO基光电器件，如发光二极管、激光器、探测器等，人们需要生长各种类型的同质结，如同质P-n结、同质p-p结、同质n-n结等。相对于异质结而言，同质结具有晶格失配小、器件效率高等优点。目前，基于ZnO薄膜材料的同质结研究很多，也容易制备，但是基于ZnO纳米材料的同质结却比较难以制备。ZnO具有丰富多彩的纳米结构形态，特别是一维纳米材料，如纳米棒、纳米线、纳米管等。ZnO纳米光电器件的研究备受关注，基于此，ZnO纳米同质结也得到越来越多的研究。目前ZnO纳米同质结阵列也有少数报道，但都是采用不同的设备分步生长或者采用特殊的手段间隔生长，工艺复杂，操作困难，且可重复性不好。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供。本专利技术的ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法，该ZnO纳米同质结阵列包括衬底， 在衬底上自下而上依次有ZnO薄膜，下层ZnO纳米棒阵列和上层ZnO纳米棒阵列，制备...
【技术保护点】
１．一种ＺｎＯ纳米同质ｐ－ｎ结阵列的制备方法，其特征在于该ＺｎＯ纳米同质结阵列包括衬底（１０），在衬底上自下而上依次有ＺｎＯ薄膜（９），下层ＺｎＯ纳米棒阵列（８）和上层ＺｎＯ纳米棒阵列（７），制备步骤如下：１）在衬底上沉积一层（００２）取向的ＺｎＯ薄膜；２）将纯Ｚｎ粉、纯ＺｎＯ粉、纯石墨和掺杂源按质量比１：２：１：０～０．３混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放置在水平管式炉反应室中，石英舟开口端处于气流的下方向，反应室真空度抽至低于１０Ｐａ，源材料加热到５５０～６５０℃，向反应室通入Ａｒ或Ｎ２为载气，Ｏ２为反应气体，载气与...
【技术特征摘要】
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