本发明专利技术提供一种PVA像素电极，包括：位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极；以及位于CF侧的与第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极，通过施加在第一电极和第二电极上的电场控制设置在第一电极和第二电极之间的液晶的指向，其中通过在第一电极和第二电极的边缘交界处对第一电极和/或第二电极设置不等长的ITO间隙以提高像素的显示质量。本发明专利技术还涉及一种液晶显示装置，本发明专利技术的PVA像素电极及相应的液晶显示装置通过修改TFT侧或CF侧的边缘交界处的ITO间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果。
【技术实现步骤摘要】
PVA像素电极及相应的液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别是涉及一种可提高像素的穿透率和显示质量的 PVA像素电极及相应的液晶显示装置。
技术介绍
PVA(Patterned Vertical Alignment，图像垂直调整技术)作为液晶 VA(Vertical Alignment，垂直调整技术)显示中的一种模式，其利用TFT (Thin film transistor，薄膜场效应管)和CF(彩色滤光片，color filter))侧的图案形成的电场来控制液晶的指向，可以省去PI(Polyimide)层的摩擦取向工艺。传统上采用的“》”型或“《”型的PVA像素结构，如图IA和图IB所示，由于“》”型或“《”型PVA像素电极的边缘与内部结构的差异，导致PVA像素边缘电场分布异于内部，在液晶上产生边缘场效应，使得TFT和CF侧的“》”型或“《”型边缘的交接处产生旋转位移 (disclination)，影响像素的显示质量和降低像素的开口率，如图5A所示，图中做了标记的地方由于边缘场效应，液晶产生了旋转位移，使得像素出现暗纹，穿透率降低，影响像素的显示质量。故，有必要提供一种PVA像素电极及相应的液晶显示装置，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的PVA像素电极及相应的液晶显示装置的PVA像素在液晶上产生边缘场效应影响像素的显示质量和降低像素的开口率的缺陷，提供一种通过修改TFT 侧或CF侧的边缘交界处的ITOandium-Tin Oxide，氧化铟锡)间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果的PVA像素电极及相应的液晶显示装置。本专利技术的主要目的在于提供一种PVA像素电极，包括位于TFT侧的“》”型或“《” 型的第一电极；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置不等长的ITO间隙以提高像素的显示质量。本专利技术的主要目的还在于提供一种PVA像素电极，包括位于TFT侧的“》”型或 “《”型的第一电极；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极， 通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第二电极设置不等长的ITO间隙以提高像素的显示质量。本专利技术的主要目的还在于提供一种PVA像素电极，包括位于TFT侧的“》”型或 “《”型的第一电极；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极， 通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和所述第二电极设置不等长的ITO间隙以提高像素的显示质量。本专利技术的主要目的还在于提供一种液晶显示装置，包括液晶；用于控制所述液晶转向的TFT ；用于在显示器上显示不同颜色的CF ；以及PVA像素电极；所述PVA像素电极包括位于TFT侧的“》”型或“《”型的第一电极；以及位于CF侧的与所述第一电极相应的 “》”型或“《”型的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极和/或所述第二电极设置不等长的ITO间隙以提高像素的显示质量。在本专利技术的一实施例中，所述第一电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为Ium至 IOum0在本专利技术的一实施例中，所述第二电极设置的相邻ITO间隙端的长度差为Ium至 15um。在本专利技术的一实施例中，当所述第一电极为“》”型电极时，所述第一电极设置的 ITO间隙位于所述第一电极的右上方、右下方以及左部中间。在本专利技术的一实施例中，当所述第一电极为“《”型电极时，所述第一电极设置的 ITO间隙位于所述第一电极的左上方、左下方以及右部中间。在本专利技术的一实施例中，当所述第二电极为“》”型电极时，所述第二电极设置的 ITO间隙位于所述第二电极的右上方、右下方以及左部中间。在本专利技术的一实施例中，当所述第二电极为“《”型电极时，所述第二电极设置的 ITO间隙位于所述第二电极的左上方、左下方以及右部中间。相较于现有的PVA像素电极及相应的液晶显示装置具有PVA像素在液晶上产生边缘场效应影响像素的显示质量和降低像素的开口率的问题，本专利技术的PVA像素电极及相应的液晶显示装置通过修改TFT侧或CF侧的边缘交界处的ITO间隙消除边缘场效应以达到提高像素的穿透率和显示质量的效果。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图IA为现有技术的PVA像素电极的位于TFT侧的第一电极的结构示意图；图IB为现有技术的PVA像素电极的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图2A为本专利技术的PVA像素电极的第一优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构示意图；图2B为本专利技术的PVA像素电极的第一优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图3A为本专利技术的PVA像素电极的第二优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构示意图；图:3B为本专利技术的PVA像素电极的第二优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意5图4A为本专利技术的PVA像素电极的第三优选实施例的位于TFT侧的第一电极的结构示意图；图4B为本专利技术的PVA像素电极的第三优选实施例的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图；图5A为现有技术的PVA像素电极的输出模拟仿真图；图5B为本专利技术的PVA像素电极的第一优选实施例的输出模拟仿真图；图5C为本专利技术的PVA像素电极的第二优选实施例的输出模拟仿真图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。作为本专利技术的第一优选实施例，在图2A和图2B所示的本专利技术的PVA像素电极的第一优选实施例的第一电极和第二电极的反向结构示意图中，所述PVA像素电极包括第一电极210和第二电极220，第一电极210位于TFT侧，第二电极220位于CF侧，通过施加在第一电极210和第二电极220上的电场控制设置在第一电极210和第二电极220之间的液晶的指向，其中第一电极210的形状为“》”型或“《”型，第二电极220与第一电极210的形状相应以将整个电极分为八块可产生八个畴的液晶排列，从而可通过一个连续畴的结构改善液晶显示器的视角特性。其中本专利技术的PVA像素电极通过在第一电极210和第二电极 220的边缘交界处对第一电极210设置不等长的ITO间隙230以提高像素的显示质量。由于本实施例只对第一电极210做了改进，因而图2B所示的位于CF侧的第二电极的反向结构示意图与图IB所示的CF侧的第二电极的反向结构示意图相同，而本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种ＰＶＡ像素电极，包括：位于ＴＦＴ侧的“》”型或“《”型的第一电极；以及位于ＣＦ侧的与所述第一电极相应的“》”型或“《”型的第二电极，通过施加在所述第一电极和所述第二电极上的电场控制设置在所述第一电极和所述第二电极之间的液晶的指向，其特征在于，通过在所述第一电极和所述第二电极的边缘交界处对所述第一电极设置不等长的ＩＴＯ间隙以提高像素的显示质量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姚晓慧，许哲豪，薛景峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94
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