一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件及其生产方法技术

本发明专利技术涉及电子信息自动化元器件制造技术领域，特别是一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件还包括该封装件的生产方法。其工艺步骤如下：a.减薄b.划片c.上芯d.压焊e.塑封f.电镀和打印g.切割，本发明专利技术的封装件内引脚为柱形引脚，每只引脚有1个外露的凸点，引脚向内延伸，并且延伸部分的底部外露形成一个小凸点，将焊线打在外露凸点上面的引脚上，此时引脚不悬空，减少了引线长度，不仅可以节约焊线长度和焊线成本，而且还可提高频率特性。引脚底部的凹坑较大，而柱形外露部分同普通引线框架。内引脚底部凹坑长度加长，塑封料嵌入多可增加引脚与塑封料的结合力，有利于防止第二焊点离层；载体缩小，提高了芯片和载体的匹配性，同时提高了产品封装质量和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子信息自动化元器件制造
，特别是一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，本专利技术还包括该封装件的生产方法。
技术介绍
近年来，移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器市场火爆，直接推动了小型封装和高密度组装技术的发展。同时，也对小型封装技术提出了一系列严格要求，诸如，要求封装外形尺寸尽量缩小，尤其是封装高度小于1 mm ；封装后的产品可靠性尽可能提高，为了保护环境适应无铅化焊接，并力求降低成本等。QFN(Quad Flat Non-Leaded Package方形扁平无引脚封装)由于具有良好的电和热性能、体积小、重量轻、其应用正在快速增长。但是目前如QFN (0505X0. 75-0. 50) QFN (0909X0. 75-0. 50)载体较大，通常内引脚长度固定，靠近载体的内引脚底面已被蚀刻成凹坑，而当IC芯片较小时，从芯片焊盘到引脚部分的距离较大，由于靠近载体的引脚底面悬空，打线时会晃动，焊球打不牢，只能在靠近外露引脚部分打线，致使焊线长度长，造成焊线成本较高，制约了产品的利润空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题就是针对上述QFN缺点，提供一种缩小载体尺寸，所有的内引脚向内延伸靠近载体，从芯片上的焊盘(PAD)到内引脚的距离缩短，从而缩短从芯片焊盘到内引脚的焊线长度，降低焊线成本，适合于小芯片的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，本专利技术还提供该封装件的生产方法。本专利技术的技术问题通过下述技术方案解决一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，包括引线框架载体、安装在引线框架载体上的IC芯片、内引脚、键合线及塑封体，所述的内引脚向内延伸，靠近所述的载体，载体缩小， 所述内引脚底部的凹坑长度加长，每只内引脚在靠近载体一侧下表面形成一外露的凸点和外露的柱形外引脚，外露的凸点上面的内引脚上表面为柱形内引脚，所述的键合线打在柱形内引脚上，并与IC芯片焊接，通过外露柱形外引脚与PCB (引线框架载体)线路连通。所述的内引脚向内延伸0. 2mm 0. 8mm。所述的载体缩小0. 4mm 1. 6mm。所述内引脚底部的凹坑长度加长0. 2mm 0. 5mm。上述四边扁平无引脚封装件的生产方法如下 a减薄减薄厚度50μπι 200μπι，粗糙度Ra 0. IOmm 0. 05mm，采用粗磨和细磨相结合工艺；b划片8" 12"划片机，厚度在150 μ m以上的晶圆同普通QFN划片工艺，厚度在150 μ m以下晶圆，使用双刀划片机及防碎片划片工艺； c上芯8"选用AD^9或AD889上芯机，粘片材料采用8200系列和8352系列，或者84-3J绝缘胶，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架； d压焊选用ESEC3100和fegle60键合机，焊线材料选用金线，封装厚度0. 75mm,压焊采用低弧度压焊工艺；e、塑封塑封采用QFN自动包封系统，塑封料选用低应力、低吸水率的CEL9220系列环保塑封料，模温165°C 180°C，注塑压力30 3^(gf/C m2。后固化时，使用带螺旋加压装置的专用防翘曲固化夹具；f、电镀和打印同普通QFN工艺；g、切割切割机选用DAD3350，清洗机选用DCS1440，QFN双焊点切割夹具，将矩阵式框架封装产品按产品设计规格切割成单个电路，经检查后，放入料盘。所述的步骤c上芯使用粘片胶烘烤工艺，烘箱氮气流量25ml 30ml/分。本专利技术的封装件内引脚为柱形引脚，每只引脚有1个外露的凸点，引脚向内延伸， 并且延伸部分的底部外露形成一个小凸点，将焊线打在外露凸点上面的引脚上，此时引脚不悬空，减少了引线长度，不仅可以节约焊线长度和焊线成本，而且还可提高频率特性。引脚底部的凹坑较大，而柱形外露部分同普通引线框架。内引脚底部凹坑长度加长，塑封料嵌入多可增加引脚与塑封料的结合力，有利于防止第二焊点离层；载体缩小，提高了芯片和载体的匹配性，同时提高了产品封装质量和可靠性。附图说明图1为本专利技术外露凸点的压焊平面示意图； 图2为本专利技术结构示意图3为本专利技术外露凸点底面示意图。图中1一载体，2—粘片胶，3—IC芯片，4一内引脚，5—芯片与内引脚之间的键合线，6—塑封料，7—凸点，8—凹坑，9一柱形外引脚。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术进行详细说明本专利技术包括引线框架载体1，粘片胶2 (绝缘胶或导电胶)，粘片胶2 (绝缘胶或导电胶) 上是IC芯片3，IC芯片3上的焊盘与内引脚4的焊线是键合线5，构成了电路的电源和信号通道。本专利技术的内引脚4向内延伸0. 2mm 0. 8mm,靠近所述的载体1，载体1缩小0. 4mm 1. 6mm,内引脚(4)底部凹坑8长度加长0. 2mm 0. 5mm，每只内引脚4在靠近载体一侧下表面形成一外露的凸点7和外露的柱形外引脚9，外露的凸点7上面的内引脚上表面为柱形内引脚，所述的键合线5打在柱形内引脚4上，并与IC芯片3焊接，通过外露柱形外引脚 9与PCB线路连通。塑封料6包围了引线框架载体1、粘片胶2 (绝缘胶或导电胶)、IC芯片3及其上的焊盘与内引脚4的焊线即键合线5，柱形外引脚9的上表面构成电路整体，并对其起到了保护作用。本专利技术的生产方法如下a、减薄减薄厚度50μπι 200μπι，粗糙度Ra 0. IOmm 0. 05mm，采用粗磨和细磨相结合工艺，及防翘曲抛光工艺；b、划片8" 12"划片机，厚度在150 μ m以上的晶圆同普通QFN划片工艺，厚度在150 μ m以下晶圆，使用双刀划片机及防碎片划片工艺； c上芯8"选用AD^9或AD889上芯机，粘片材料采用8200系列和8352系列，或者84-3J绝缘胶，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架；或使用粘片胶烘烤工艺，烘箱N2流量 25ml 30ml/ 分；d、压焊选用ESEC3100和fegle60键合机，焊线材料选用金线，由于封装厚度0. 75mm，压焊采用低弧度压焊工艺；e、塑封塑封设备采用通用QFN自动包封系统，塑封料选用低应力、低吸水率的CEL9220系列和普通环保塑封料，模温165°C 180°C，注塑压力30 3^(gf/C m2，使用自动包封系统的多段注塑程序，调整控制塑封过程，防止冲线和芯片表面等分层。后固化使用带螺旋加压装置的专用防翘曲固化夹具；f、电镀和打印同普通QFN工艺；g、切割切割机选用DAD3350，清洗机选用DCS1440，QFN双焊点切割夹具，将矩阵式框架封装产品按产品设计规格切割成单个电路，经检查后，放入料盘。实施例11.减薄减薄厚度200 μ m,粗糙度Ra 0. IOmm ； 8" 12"晶圆厚度减薄贴片机用DR3000 III /NITIO, 8" 12"减薄机:PG300RM/TSN.测厚仪 DH151/TSK ； 采用粗磨、细磨工艺；2.划片8" 12"划片机:WD300TXB,贴片用DR3000 III /TSK,晶圆厚度200 μ m，划片工艺同普通 QFN ；3.上芯8"选用AD^9或AD889上芯机；粘片材料采用8200系列和8352系列，或者84-3J绝缘胶，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架；4.压焊选用ESEC3100和fegle60键合机，焊线材料选用金线，由于封装厚度0. 75mm，压焊采用低弧度压焊工艺；5.塑封塑封采本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，包括引线框架载体、安装在引线框架载体上的ＩＣ芯片、内引脚、键合线及塑封体，其特征在于所述的内引脚（４）向内延伸，靠近所述的载体（１），载体（１）缩小，所述内引脚底部的凹坑（８）长度加长，每只内引脚（４）在靠近载体一侧下表面形成一外露的凸点（７）和外露的柱形外引脚（９），外露的凸点（７）上面的内引脚上表面为柱形内引脚，所述的键合线（５）打在柱形内引脚（４）上，并与ＩＣ芯片（３）焊接，通过外露柱形外引脚（９）与引线框架载体线路连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭小伟，慕蔚，何文海，
申请(专利权)人：天水华天科技股份有限公司，华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：62