本发明专利技术公开了一种有机金属化学气相沉积机台。此有机金属化学气相沉积机台包含反应腔体、旋转座、晶片承载盘、加热器以及喷气头。反应腔体具有开口。旋转座设于反应腔体中。晶片承载盘设于旋转座上，且旋转座可带动晶片承载盘旋转。其中，晶片承载盘包含多个多边形凹陷区，设于晶片承载盘的表面上，这些多边形凹陷区适用以对应装载多个晶片。加热器设于晶片承载盘下方，且位于旋转座内。喷气头则覆盖在反应腔体的开口上，以朝晶片承载盘的表面上施放反应气体。本发明专利技术通过在晶片承载盘上设置可紧密排列的多边形凹陷区来装载晶片，可大幅提升晶片承载盘的表面积的利用率，进而可增加晶片承载盘装载的晶片数量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition ；CVD)机台，且特别是涉及一种有机金属化学气相沉积(Metal-Organic CVD ；M0CVD)机台。
技术介绍
在发光二极管(LED)的工艺中，各半导体层的外延程序是相当重要的步骤。发光二极管的外延程序中，一般是以有机金属化学气相沉积(Metal-Organic CVD ；M0CVD)机台进行，并需要利用晶片承载盘(WaferSusceptor)来装载晶片以进行外延工艺。请参照图1，其绘示一种传统有机金属化学气相沉积机台的装置示意图。传统有机金属化学气相沉积机台200主要包含反应腔体202、旋转座204、晶片承载盘206、加热器 208、以及喷气头216。半导体材料层的外延作业是在反应腔体202内进行。反应腔体202 —般具有开口 220，以利于将数个晶片经由开口 220放置于晶片承载盘206上。此外，反应腔体202可根据工艺需求，而选择性地设置至少一排气口 222。其中，排气口 222通常设置在反应腔体202 的下部，以利多余的反应气体与工艺所产生废气排出。旋转座204设置在反应腔体202内。 旋转座204的结构可例如为空心柱体、或为支架结构。旋转座204可根据工艺需求，而在反应腔体202内原处自转。晶片承载盘206用以承托与装载数个晶片212，以使晶片212于反应腔体202内进行外延工艺。晶片承载盘206设置在旋转座204上，而为旋转座204所支撑。晶片承载盘206可利用例如卡固方式，固定在旋转座204上。因此，当旋转座204旋转时，可带动固定在其上的晶片承载盘206旋转，进一步带动晶片承载盘206上的晶片212转动。如图1所示，加热器208设置在晶片承载盘206的下方，且设置在旋转座204之内， 以对晶片承载盘206上的晶片212进行加热处理。其中，加热器208的运作优选独立于旋转座204。亦即，旋转座204的旋转并不会带动加热器208转动，使得晶片在受到加热器均勻受热的情况下，进行工艺。喷气头216设置在反应腔体202上，且覆盖在反应腔体202的开口 220上。喷气头216的下表面具有多个喷气孔217并与晶片承载盘206上的晶片212相面对。因此，进入喷气头216的反应气体218，可透过喷气孔217而朝反应腔体202施放，反应气体218于反应腔体于工艺条件下进行化学反应后，而在晶片承载盘206的表面210以及晶片212的表面上进行例如外延等沉积步骤。传统的晶片承载盘206的设计都是以2英寸晶片承载区来布满整个晶片承载盘。其中，由于这些晶片承载区的尺寸小，因此可以较紧密排列方式设置，进而可获得较大的晶片承载盘利用效率。随着工艺技术的进步，所采用的晶片尺寸也逐渐增加。举例而言，在发光二极管的制作上，蓝光外延基板由原先的2英寸发展至现今的4英寸。基板尺寸的增加一般的目的是用以降低后续管芯工艺的成本。但是，受限于原反应腔体的尺寸，而无法扩大晶片承载盘的尺寸。此时，晶片承载盘的承载区重新规划调整来装载4英寸晶片后，所能设置的4英寸晶片承载区的数量会大幅缩减至7个。请参照图2，其绘示一种4英寸晶片承载盘的俯视图。晶片承载盘206 —般为圆形平板状结构。在晶片承载盘206的表面210上设置有多个晶片承载区214。这些晶片承载区214通常是设置在晶片承载盘206的表面210上的凹陷区域(Pocket)，以利稳固地装载晶片。在传统晶片承载盘206中，晶片承载区214全部为圆形凹陷。但是，受限于晶片承载区214的形状，圆形凹陷与圆形凹陷之间产生不可避免的间隙，使得这些晶片承载区214 无法紧密地排列在晶片承载盘206的表面210上。如此一来，会造成晶片承载盘206的表面210面积的浪费，使得晶片承载盘206无法获得有效运用。而且，晶片承载盘206所能装载的晶片数量也因此而受限。因此，发光二极管的产出数量也会减少，不利于量产。
技术实现思路
因此，本专利技术的态样就是在提供一种有机金属化学气相沉积机台，其晶片承载盘包含数个多边形凹陷区。通过多边形凹陷区可边对边排列的特性，可使多边形凹陷区紧密地排列在晶片承载盘的表面上。故，晶片承载盘的表面面积可获得有效利用。本专利技术的另一态样是在提供一种有机金属化学气相沉积机台，其晶片承载盘的承载面的利用率高，因此有效增加可装载的晶片的数量。故，可增加发光二极管的产出数量， 具有高量产能力。根据本专利技术的上述目的，提出一种有机金属化学气相沉积机台。此有机金属化学气相沉积机台包含反应腔体、旋转座、晶片承载盘、加热器以及喷气头(Shower Head)。反应腔体具有开口。旋转座设于反应腔体中。晶片承载盘设于旋转座上，且旋转座可带动晶片承载盘旋转。其中，晶片承载盘包含多个多边形凹陷区设于晶片承载盘的表面上，这些多边形凹陷区适用以对应装载多个晶片。加热器设于晶片承载盘下方，且位于旋转座内。喷气头则覆盖在反应腔体的开口上，以朝晶片承载盘的表面上施放反应气体。依据本专利技术的一实施例，上述的多边形凹陷区具有相同形状。依据本专利技术的另一实施例，上述的多边形凹陷区具有不同形状。依据本专利技术的又一实施例，上述的多边形凹陷区的形状与对应装载的晶片的形状相同。依据本专利技术的再一实施例，上述的每一多边形凹陷区的至少一边与相邻的多边形凹陷区的至少一边接合。通过在晶片承载盘上设置可紧密排列的多边形凹陷区来装载晶片，可大幅提升晶片承载盘的表面积的利用率，进而可增加晶片承载盘装载的晶片数量。因此，可有效提升发光二极管的产出数量，具有相当优异的量产能力。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图的说明如下图1绘示一种传统有机金属化学气相沉积机台的装置示意图。图2绘示一种传统晶片承载盘的俯视图。图3绘示依照本专利技术实施方式的一种有机金属化学气相沉积机台的装置示意图。图4绘示依照本专利技术实施方式的一种晶片承载盘的俯视图。图5绘示依照本专利技术的另一实施方式的一种晶片承载盘的俯视图。图6绘示依照本专利技术的又一实施方式的一种晶片承载盘的俯视图。附图标记说明200 有机金属化学气相沉积机台200a 有机金属化学气相沉积机台202反应腔体204 旋转座206晶片承载盘206a晶片承载盘208加热器210 表面212曰tl· 曰曰/T212a曰t±" 曰曰/T214多边形凹陷区214a多边形凹陷区216喷气头217 喷气孔218反应气体220 开口222排气口224 多边形凹陷区300晶片承载盘302 表面304多边形凹陷区306 对应圆400晶片承载盘402 表面404多边形凹陷区具体实施例方式请参照图3，其绘示依照本专利技术实施方式的一种有机金属化学气相沉积机台的装置示意图。有机金属化学气相沉积机台200a主要包含反应腔体202、旋转座204、晶片承载盘206a、加热器208、以及喷气头216。有机金属化学气相沉积机台200a与图1所示的有机金属化学气相沉积机台200的装置大致相同。请一并参照图2与图4，二者的差异在于，有机金属化学气相沉积机台200a的晶片承载盘206a包含多边形凹陷区21 与224，并非有机金属化学气相沉积机台200的晶片承载盘206所包含的圆形的晶片承载区214。由于，在发光二极管的半导体材料层的外延工艺本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种有机金属化学气相沉积机台，包含：反应腔体，具有开口；旋转座，设于该反应腔体中；晶片承载盘，设于该旋转座上，且该旋转座可带动该晶片承载盘旋转，其中该晶片承载盘包含多个多边形凹陷区，设于该晶片承载盘的表面上，该多个多边形凹陷区适用以对应装载多个晶片；加热器，设于该晶片承载盘下方，且位于该旋转座内；以及喷气头，覆盖在该反应腔体的该开口上，以朝该晶片承载盘的该表面上施放反应气体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江俊德，林明宏，
申请(专利权)人：佛山市奇明光电有限公司，奇力光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44
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