【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在大规模集成电路的生产过程中，对晶圆的平坦度要求非常高。目前，通过利用化学机械抛光(CMP)工艺来实现晶圆的平坦化，而化学机械抛光机是完成化学机械抛光工艺的主要设备。已有的抛光设备采用转盘式四抛光头三抛光盘结构或单盘单头的线性结构。在转盘式四抛光头三抛光盘结构中，该转盘支撑着四个抛光头旋转，并在不同的工位之间工作。该转盘重量大，结构复杂，要求精度高，制造困难，成本高，并且四个悬臂上的抛光头相互影响，如果一个抛光头或其携带的晶圆出现问题，其他三个抛光头必须停止工作，因此效率低下。并且转盘上的每一个抛光头在晶片装卸工位抓放晶圆时，抛光头与晶片装卸工位需要精确地对位，所以对转盘的控制精度要求也非常高。在单盘单头线性结构中，各个抛光单元之间互不干扰，其中一个抛光单元停机，其他的抛光单元可以继续完成工作，在完成后停机。但是具有单盘单头线性结构的抛光设备的生产效率低，晶圆间的传输距离大，传输时间长。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种工作效率高的。为了实现上述目的，根据本专利...
【技术保护点】
１．一种利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法，其特征在于，所述化学机械抛光设备包括多个化学机械抛光机、机械手和过渡装置，其中所述多个化学机械抛光机和所述过渡装置围绕所述机械手布置，所述方法包括以下步骤：Ａ）通过所述机械手将所述过渡装置上的晶圆搬运到所述多个化学机械抛光机中的至少一个上以便利用所述多个化学机械抛光机对晶圆进行抛光；Ｂ）通过所述机械手将抛光后的晶圆搬运到所述过渡装置上；和Ｃ）重复步骤Ａ）和Ｂ）直到完成所有晶圆的抛光。
【技术特征摘要】
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