高隔离度多频段天线装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种高隔离度多频段天线装置，涉及天线领域，其包括接地部、辐射部、第一短路元件与第二短路元件、馈入构件；其中该辐射部对应接地部的一侧具一馈入区，该馈入区一端通过第一短路元件与接地部连接，且使馈入构件的馈入点与该馈入区连接，馈入构件的接地点则与接地部连接，该第二短路元件由接地部、第一短路元件任一者所延伸构成；且该第二短路元件包括一第一延伸区段以及一第二延伸区段，该第一延伸区段的尽端延伸位置须至少超越过馈入区所在位置，该第二延伸区段则为朝辐射部所在位置转向延伸的型态。本实用新型专利技术产品能够适用于各种需要天线装置的场合。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种，尤其是涉及一种能够。本技术涉及一种天线装置，特别是指一种多频段天线装置。
技术介绍
按，随着无线通讯的蓬勃发展，目前众多通讯产品均趋于小型化，天线也因此要求体积须微小化且采用内嵌式架构设计，以符合产品整体美观诉求。就一般倒F型天线而言，由于其发射结构较宽而使得频宽能够加大；PIFA天线可改变平板上的几何外型，达到双频甚至三频以上的收发效果，这样的天线设计在支援多频的天线内藏式电子装置中相当普遍。然而，PIFA天线的缺点是频率越低，与单极天线比较而言频宽越小，相对也越就难设计。又许多无线资讯协议要求多样化接收或多入多出架构，在这些情况下，用于衡量相邻天线之间的隔离度就显得特别重要，因此最好是能达到较高隔离度，方可相对将天线的干扰状态降至最低。由习知技术得知，传统的PIFA天线为多频段天线设计时，若应用于多天线系统上，其低频带之间的隔离度(如Bl所图示范围)以及高频带之间的隔离度(如B2所图示范围)大致会落在-15dB至-20dB之间，此如图1所示；但此种隔离度仍旧存在过大干扰， 实仍有再加以改善突破的空间与必要存在。有鉴于此，本技术专利技术人乃积极开发研究，并为改进上述产品的不足，经过长久努力研究与实验，终于开发设计出本技术的高隔离度多频段天线装置。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种高隔离度多频段天线装置，能够解决现有技术中多频段天线隔离度低的问题。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是一种高隔离度多频段天线装置， 其包括接地部、辐射部、第一短路元件与第二短路元件、馈入构件；其中该辐射部对应接地部的一侧具一馈入区，该馈入区一端通过第一短路元件与接地部连接，且使馈入构件的馈入点与该馈入区连接，馈入构件的接地点则与接地部连接，该第二短路元件由接地部、第一短路元件任一者所延伸构成；且该第二短路元件包括一第一延伸区段以及一第二延伸区段，该第一延伸区段的尽端延伸位置须至少超越过馈入区所在位置，该第二延伸区段则为朝辐射部所在位置转向延伸的型态，并使该第二延伸区段的尽端延伸位置须与馈入区或辐射部所属范围互成相互错位且彼此间留有一间距的相对关系，且其中，使该第二延伸区段与馈入区或辐射部之间的间距介于0. 05 λ ^至0. 12 λ ^范围之间。优选的，其中该第二短路元件的第一、第二延伸区段与接地部、第一短路元件设于同一平面上。优选的，优选的，其中该第二短路元件的第一、第二延伸区段所在高度位置为高于接地部、第一短路元件所在高度位置的立体型态，以使该第一延伸区段通过方向相异的一连结支架与接地部、第一短路元件任一者相连接。优选的，其中该第二短路元件的第一延伸区段尽端延伸位置超越过辐射部所在位置。采用了上述技术方案，本技术所述对照先前技术而言，可大幅提升多频段天线装置低频带之间的隔离度以及高频带之间的隔离度，达到有效降低干扰而增进多频段天线装置品质的实用进步性。附图说明图1为传统PIFA天线应用于多天线系统上的隔离度曲线图。图2为本技术结构较佳实施例的立体图。图3为本技术结构较佳实施例的平面图。图4为本技术的第二短路元件为立体型态的实施例图。图5为本技术的第二短路元件第一延伸区段延伸位置超越过辐射部的实施例图。图6为图5所揭实施例中的第二短路元件为立体型态的变化实施例图。图7为本技术的第二短路元件由第一短路元件所延伸构成的实施例平面图。图8为图7中所揭型态实施例的立体图。图9为本技术高隔离度多频段天线装置应用于多天线系统上的隔离度曲线图。具体实施方式以下结合附图及具体实施例，进一步说明本技术，但不是用来限制本技术的保护范围。请参阅图2、图3所示，为本技术高隔离度多频段天线装置的较佳实施例。所述高隔离度多频段天线装置包括一接地部10、一辐射部20、一第一短路元件30与一第二短路元件40、馈入构件50 (可为馈入线型式但不局限于此)；其中该辐射部20对应接地部10 的一侧具有一馈入区21，该馈入区21 —端通过第一短路元件30与接地部10连接，且使该馈入构件50的馈入点51与该馈入区21连接，馈入构件50的接地点52则与接地部10相连接，该第二短路元件40则由接地部10、第一短路元件30任一者所延伸构成(注本实施例的第二短路元件40由接地部10延伸构成)；且该第二短路元件40包括一第一延伸区段 41以及一第二延伸区段42，其中该第一延伸区段41的尽端410延伸位置须至少超越过馈入区21所在位置，该第二延伸区段42则为朝辐射部20所在位置转向延伸的型态，并使该第二延伸区段42的尽端420延伸位置的下侧边缘或上侧边缘须与馈入区21或辐射部20 所属范围互成相互错位且彼此间留有一间距W的相对关系，且其中，使该第二延伸区段42 的下侧边缘或上侧边缘与馈入区21或辐射部20之间的间距W介于0. 05 λ ^至0. 12 λ Q范围之间为最佳实施状态；其中” λ ^ ”代表自由空间波长，λ0 = c/f, c = 3 XlOVsec ；其中 f代表频率(单位Hz)。如图2、图3所示，其中该第二短路元件40的第一延伸区段41、第二延伸区段42 与接地部10、第一短路元件30可为设于同一平面上的结构型态。另如图4所示，该第二短路元件40的第一延伸区段41、第二延伸区段42所在高度位置也可为高于该接地部10、第一短路元件30所在高度位置的立体型态，以使该第一延伸区段41通过方向相异(包括垂直向或倾斜向型态)的一连结支架43与该接地部10、第一短路元件30任一者相连接。如图5所示，该第二短路元件40的第一延伸区段41尽端410延伸位置也可为进一步超越过该辐射部20所在位置的实施型态。本实施例中，该第二延伸区段42所在高度位置也可为高于接地部10、第一短路元件30所在高度位置的立体型态，以使该第一延伸区段41通过方向相异的连结支架43与接地部10、第一短路元件30任一者相连接的变化型态 (如图6所示)。如图7、图8所示，本图所揭用以说明该第二短路元件40也可设为由该第一短路元件30所延伸构成的实施型态。采用上述结构组成设计，本技术的核心设计主要是提供一种高隔离度多频段天线装置；基于习知PIFA天线为多频段天线时，若应用于多天线系统上其低频带与高频带的隔离度大致落于-15__20dB之间(如图1所示)，而致干扰仍旧过大的问题与缺弊，本技术高隔离度多频段天线装置设计上主要通过外加所述第二短路元件40，并使其与辐射部20的馈入区21或辐射部20相交错部位相互耦合，借以产生电容效应，而该第二短路元件40本身的作用属于电感效应，故通过电容与电感的效应能够产生带拒滤波(即滤除指定频率、保留其他频段)的效果，借此而能提高低频带之间的隔离度以及高频带之间的隔离度，如图9所示，为本技术高隔离度多频段天线装置应用于多天线系统上的隔离度曲线图，由图中曲线可知本技术的低频带之间的隔离度(如B3所图示范围)与高频带之间的隔离度(如B4所图示范围)大致落于-20_-50dB之间，故无论高、低频带之间的隔离度均大幅优于习知技术。且本技术高隔离度多频段天线装置的频宽并不会因此设计而受到太大影响。又其中，该第二短路元件40的延伸长度决定滤波效果的频率落点，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高隔离度多频段天线装置，其特征在于：其包括接地部、辐射部、第一短路元件与第二短路元件、馈入构件；其中该辐射部对应接地部的一侧具一馈入区，该馈入区一端通过第一短路元件与接地部连接，且使馈入构件的馈入点与该馈入区连接，馈入构件的接地点则与接地部连接，该第二短路元件由接地部、第一短路元件任一者所延伸构成；且该第二短路元件包括一第一延伸区段以及一第二延伸区段，该第一延伸区段的尽端延伸位置须至少超越过馈入区所在位置，该第二延伸区段则为朝辐射部所在位置转向延伸的型态，并使该第二延伸区段的尽端延伸位置须与馈入区或辐射部所属范围互成相互错位且彼此间留有一间距的相对关系，且其中，使该第二延伸区段与馈入区或辐射部之间的间距介于０．０５λ０至０．１２λ０范围之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李承璋，李宗祐，
申请(专利权)人：哗裕实业股份有限公司，东莞台霖电子通讯有限公司，普翔电子贸易上海有限公司，苏州华广电通有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71