包括微透镜的太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种包括微透镜的太阳能电池及其制造方法。本制造微透镜的方法包括：在基板上形成具有强疏水性的自组装单层；通过使用喷墨装置喷射透明墨在自组装单层上形成多个墨滴，该透明墨包括具有第一沸点的第一溶剂，具有低于第一沸点的第二沸点的第二溶剂，和分散在第一和第二溶剂中的硅氧化物(SiOx)固体材料；和干燥该多个墨滴。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种包括用于改善光捕获特性的微透镜的太阳能电池，以及制造该太阳能电池的方法。
技术介绍
一般地，太阳能电池是一种将太阳能转换成电能的半导体器件，包括正(P)型半导体和负(N)型半导体的结，且具有与二极管相同的基本结构。大部分典型太阳能电池具有正-负(PN)结半导体层的结构，这里P型半导体层和N型半导体层在相面对的两个电极之间。为了改善光电效率的目的，太阳能电池包括聚光装置，该聚光装置聚集太阳光并将该光照射到太阳能电池表面上。例如，该聚光装置是微透镜。微透镜通过各种方法制造，诸如使用激光脉冲的蚀刻方法、使用光刻胶的回流方法，干法蚀刻方法、使用二氧化碳(CO2)激光的玻璃表面处理方法、使用液化玻璃表面张力的方法、用于通过激光沉积的聚合物的离子束处理方法、喷墨方法、用于光刻胶的加热方法、灰度级掩模方法以及压印成型(embossing molding)方法。图IA至IC是示出使用制造根据现有技术的微透镜的光刻胶实施的回流方法的截面图。在图IA中，用于微透镜的树脂层20形成在基板10上，并且光掩模90设置在树脂层 20之上。通过包括曝光和显影步骤的光刻工本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能电池，包括：基板；在所述基板上的第一透明电极；在所述第一透明电极上的第一正－本征－负（ＰＩＮ）结半导体层，其中所述第一ＰＩＮ结半导体层包括在所述第一透明电极上的负（Ｎ）型半导体层，在所述Ｎ型半导体层上的本征半导体层和在所述本征半导体层上的正（Ｐ）型半导体层，并且其中Ｎ型和Ｐ型半导体层分别包括掺杂有Ｎ型和Ｐ型杂质的硅，以及所述本征半导体层包括氢化硅；在所述第一ＰＩＮ结半导体层上的第二透明电极；和在所述第二透明电极上的聚光装置，其中所述聚光装置包括具有强疏水性的自组装单层和在所述自组装单层上的具有亲水性的多个微透镜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金在铉，朴成基，林定植，李泰荣，金敏澈，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR