一种特殊的去Y电容的电磁兼容的方法技术

本发明专利技术公开一种应用在开关电源中的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法，其为采用特殊绕制的变压器作为主功率变换模块变压器，所述的特殊绕制的变压器包括线圈支架、初级绕组、次级绕组和反馈绕组，初级绕组分为两层绕制，两层初级绕组分别为第一初级绕组和第二初级绕组，第一初级绕组和第二初级绕组分别绕制在线圈支架上，第一初级绕组设置在最内层，第二初级绕组设置在最外层，次级绕组和反馈绕组设置在第一初级绕组和第二初级绕组之间，次级绕组和反馈绕组与第一初级绕组和第二初级绕组之间分别绕制有屏蔽层。采本发明专利技术通过对主功率变换模块中的变压器结构的破常规组合，使开关电源电路在去除Y电容后的EMI测试至少保证6dB以上的裕量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开一种去Y电容的电磁兼容的方法，特别是一种应用在开关电源中的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法。
技术介绍
在开关电源中，需要采用功率器件的高频导通和关断来将直流电转换成交流电，由于功率器件的高频导通/关断的操作会导致流过的电流和电压的快速变化，从而产生较高的电压及电流尖峰，是开关电源内部产生EMI的主要原因。目前，去除或降低开关电源内部的EMI首选是采用外加缓冲吸引电路的方法，外加缓冲吸引电路虽然有利于降低 EMI，但会产生过多的功耗，同时增加元件数量、PCB尺寸及系统成本等。因此通常情况下，常规的做法是在系统前端加滤除器和Y电容，但是，由于Y电容的存在会使输入和输出线间产生漏电流。具有Y电容的金属壳适配器会让使用者有触电的危险，存在着安全隐患，因此， 各电源制造商开始推出各种无Y电容的设计方案。但是，摘除Y电容后又会对EMI的设计带来很大困难。采用具有频抖和频率调制的脉宽调制器虽然也可以改善EMI的性能，但不能绝对的保证适配器通过EMI的测试，必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使适配器满足EMI的标准。
技术实现思路
针对上述提到的现有技术中的开关电源EMI与Y电容之间的依赖关系的缺点，本专利技术提供一种新的特殊的去Y电容的电磁兼容的方法，其采用特殊绕制的变压器作为主功率变换模块的变压器，解决了上述问题。本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是一种特殊的去Y电容的电磁兼容的方法，该方法为采用特殊绕制的变压器作为主功率变换模块变压器，所述的特殊绕制的变压器包括线圈支架、初级绕组、次级绕组和反馈绕组，初级绕组分为两层绕制，两层初级绕组分别为第一初级绕组和第二初级绕组，第一初级绕组和第二初级绕组分别绕制在线圈支架上，第一初级绕组设置在最内层，第二初级绕组设置在最外层，次级绕组和反馈绕组设置在第一初级绕组和第二初级绕组之间，次级绕组和反馈绕组与第一初级绕组和第二初级绕组之间分别绕制有屏蔽层。本专利技术解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括所述的第一初级绕组设置在最内层，第一初级绕组外侧设有第一屏蔽层，第一屏蔽层外侧设有次级绕组，次级绕组外侧设有反馈绕组，反馈绕组外侧设有第二屏蔽层，第二屏蔽层外侧设有第二屏蔽层，第二屏蔽层外侧设有第二初级绕组。所述的第一初级绕组与第一屏蔽层之间、第一屏蔽层与次级绕组之间、次级绕组与反馈绕组之间、反馈绕组与第二屏蔽层之间以及第二屏蔽层与第二初级绕组之间分别设有绝缘胶带。所述的第一初级绕组与第一屏蔽层之间、反馈绕组与第二屏蔽层之间以及第二屏蔽层与第二初级绕组之间的绝缘胶带设有两层。所述的第一屏蔽层与次级绕组之间以及次级绕组与反馈绕组之间的绝缘胶带设有三层。所述的第二初级绕组外侧设有绝缘胶带。所述的第二初级绕组外侧的绝缘胶带设有三层。所述的第一初级绕组和第二初级绕组绕制的圈数相同。所述的次级绕组和反馈绕组采用多根铜线并列均勻绕制，不可叠加绕制，并且刚好绕满一整层。所述的第一初级绕组和第二初级绕组分别绕制有两层，第一初级绕组和第二初级绕组中间位置分别设有挡墙，第一初级绕组和第二初级绕组分别采用两线相对绕制，均由外侧向内绕至中间挡墙后再返回外侧变压器出线引脚处。本专利技术的有益效果是采用本专利技术的开关电源的电路结构以普通反激电路为基础，本专利技术通过对主功率变换模块中的变压器结构的破常规组合，使开关电源电路在去除Y 电容后的EMI测试至少保证6dB以上的裕量，实用性强，且各项功能较常规的做法有了更好的提升，并且简化了设计线路，有效降低了成本，突破了 EMI与Y电容之间的依赖关系，避免了用户使用加Y电容的适配器存在输入和输出线间产生漏电流触电的危险。下面将结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步说明。附图说明图1为本专利技术应用电路方框图。图2为本专利技术结构示意图。图3为本专利技术应用电路原理图。具体实施例方式本实施例为本专利技术优选实施方式，其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的，均在本专利技术保护范围之内。本专利技术的重点在于一种特殊绕制的变压器作为主功率变换模块变压器，特殊绕制的变压器包括线圈支架、初级绕组、次级绕组和反馈绕组，初级绕组分为两层绕制，两层初级绕组分别为第一初级绕组和第二初级绕组，第一初级绕组和第二初级绕组分别绕制在线圈支架上，第一初级绕组设置在最内层，第二初级绕组设置在最外层，次级绕组和反馈绕组设置在第一初级绕组和第二初级绕组之间，次级绕组和反馈绕组与第一初级绕组和第二初级绕组之间分别绕制有屏蔽层。本实施例中，线圈支架采用“工”字形线圈支架，第一初级绕组设置在最内层，即第一初级绕组直接绕制在线圈支架上，第一初级绕组外侧设有第一屏蔽层，本实施例中，第一初级绕组和第一屏蔽层之间设有绝缘胶带，第一初级绕组和第一屏蔽层之间的绝缘胶带设有两层；第一屏蔽层外侧设有次级绕组，本实施例中，第一屏蔽层和次级绕组之间设有绝缘胶带，第一屏蔽层和次级绕组之间的绝缘胶带设有三层；次级绕组外侧设有反馈绕组，本实施例中，次级绕组和反馈绕组之间设有绝缘胶带，次级绕组和反馈绕组之间的绝缘胶带设有三层；反馈绕组外侧设有第二屏蔽层，本实施例中，反馈绕组和第二屏蔽层之间设有绝缘胶带，反馈绕组和第二屏蔽层之间的绝缘胶带设有两层；第二屏蔽层外侧设有第二初级绕组，本实施例中，第二屏蔽层和第二初级绕组之间设有绝缘胶带， 第二屏蔽层和第二初级绕组之间的绝缘胶带设有两层；本实施例中，第二初级绕组外侧设有绝缘胶带，第二初级绕组外侧的绝缘胶带设有三层。本实施例中，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别采用铜箔，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过导线接到反馈绕组的静点，即初级高压大电容负级所在的主地线回路。本实施例中，绕制时，第一初级绕组和第二初级绕组绕制的圈数相同，即分别包括 1/2的初级绕组线圈，本实施例中，第一初级绕组和第二初级绕组采用串联夹层绕制工艺， 分别绕制有两层，第一初级绕组和第二初级绕组中间位置分别设有挡墙，本实施例中，挡墙宽度为2mm，第一初级绕组和第二初级绕组分别采用两线相对绕制，均由外侧向内绕至中间挡墙后再返回外侧变压器出线引脚处。本实施例中，次级绕组和反馈绕组采用多根铜线并列均勻绕制，不可叠加绕制，并且刚好绕满一整层。本专利技术中的变压器包括10个引脚，其中Pim接整流后输入电压，即初级高压大电容正级所在回路，PIN2为初级绕组的起绕脚，在电路上接Ql开关管漏级，PIN3为第一初级绕组和第二初级绕组串联的连接脚；PIN4为反馈绕组的起绕脚，是反馈电压的输出脚， PIN5为反馈绕组的静点，即初级高压大电容(即附图3中的电容C3，其连接在整流桥的输出端上，起到整流作用)负级所在的主地线回路。PIN6、PIN8、PIN10为空脚；PIN7为次级绕组的起绕脚，是次级电压的输出脚，PIN9为次级绕组的静点，与次级地回路相连。请参看附图1和附图3，本专利技术中的变压器应用的开关电源电路与常规的开关电源电路相同，本专利技术中的变压器应用作为常规的开关电源中的主功率变换模块的变压器使用，以起到去除Y电容后的降低EMI之用。采用本专利技术的开关电源的电路结构以普通反激电路为基础，本专利技术通过对主功率变换模块中的变压器结构的破常规组合，使开关电源电路在去除Y电容后的EMI测试至少保证6dB以上的裕量，实用性强，且各项功能较常规的做法有了更好的提升，并且简化了设计线路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种特殊的去Ｙ电容的电磁兼容的方法，其特征是：所述的方法为采用特殊绕制的变压器作为主功率变换模块变压器，所述的特殊绕制的变压器包括线圈支架、初级绕组、次级绕组和反馈绕组，初级绕组分为两层绕制，两层初级绕组分别为第一初级绕组和第二初级绕组，第一初级绕组和第二初级绕组分别绕制在线圈支架上，第一初级绕组设置在最内层，第二初级绕组设置在最外层，次级绕组和反馈绕组设置在第一初级绕组和第二初级绕组之间，次级绕组和反馈绕组与第一初级绕组和第二初级绕组之间分别绕制有屏蔽层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾永德，陈克峰，王本欣，
申请(专利权)人：深圳茂硕电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：94