【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏电池制造领域,尤其涉及一种。
技术介绍
以黄铜矿结构的化合物半导体铜铟镓硒(Cu (In, Ga) Se2,简称CIGS)薄膜作为光吸收层的薄膜太阳能电池不但具有较高的能量转化效率,而且具有对辐射的稳定性,因而成为光伏电池领域的研究热点之一。现有的CIGS薄膜太阳能电池结构包括依次层叠的衬底/背电极层/光吸收层/缓冲层/窗口层/透明电极层等,并通过在薄膜上开槽,如在背电极层上开设槽P1,在光吸收层、缓冲层及高阻层上开设槽P2,在光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层上开设槽P3, 槽PI、P2及P3错开设置,从而将太阳能电池进行分块串联。透明电极层需要沉积在槽P2 中,但采用传统的溅射工艺,不可避免的会导致槽P2底部的沉积透明电极层材料要比侧壁的厚,从而造成薄膜沉积不均勻,侧壁导电性能较差,从而增加横向电阻,对电流的传输起到阻碍的作用,减小组件的效率,产生影子效应。为消除影子效应,可以通过在槽P2的底部沉积金属,减小P2的高宽比。传统的在槽P2的底部沉积金属的方法主要采用丝网印刷银浆,但丝网印刷存在难以对准槽P2的问题,在对不准的时候不但电池的导 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜型太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:在衬底上制作形成金属背电极层,并在所述金属背电极层上开设第一沟槽;在所述金属背电极层及所述第一沟槽的槽底依次形成光吸收层、缓冲层及高阻层;在所述光吸收层、缓冲层及高阻层上开设贯穿至所述金属背电极层的第二沟槽,所述第二沟槽与所述第一沟槽错开设置;对上述制得的结构进行电镀处理,在所述第二沟槽的槽底电镀金属层;在所述金属层及所述高阻层上形成导电窗口层,并在所述光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层上开设贯穿至所述金属背电极层的第三沟槽,得到所述薄膜型太阳能电池,其中,所述第三沟槽、第二沟槽及第一沟槽错开设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李玉飞,肖旭东,杨春雷,宋秋明,
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院,
类型:发明
国别省市:94
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