薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法技术

技术编号:6802690 阅读:238 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法,在衬底上依次制作形成金属背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层,并在相应位置开设沟槽,可以得到串联设置的太阳能电池组件。通过采用电镀工艺在第二沟槽的槽底电镀一层用于降低第二沟槽高宽比的金属层,从而使透明电极层更加均匀,电子运输时损耗更小。第二沟槽的槽底为金属背电极层,而采用电镀工艺,可以在直接在槽底的金属背电极层上形成金属层,避免在窗口层等位置也引入金属层而影响太阳能电池的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池制造领域,尤其涉及一种。
技术介绍
以黄铜矿结构的化合物半导体铜铟镓硒(Cu (In, Ga) Se2,简称CIGS)薄膜作为光吸收层的薄膜太阳能电池不但具有较高的能量转化效率,而且具有对辐射的稳定性,因而成为光伏电池领域的研究热点之一。现有的CIGS薄膜太阳能电池结构包括依次层叠的衬底/背电极层/光吸收层/缓冲层/窗口层/透明电极层等,并通过在薄膜上开槽,如在背电极层上开设槽P1,在光吸收层、缓冲层及高阻层上开设槽P2,在光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层上开设槽P3, 槽PI、P2及P3错开设置,从而将太阳能电池进行分块串联。透明电极层需要沉积在槽P2 中,但采用传统的溅射工艺,不可避免的会导致槽P2底部的沉积透明电极层材料要比侧壁的厚,从而造成薄膜沉积不均勻,侧壁导电性能较差,从而增加横向电阻,对电流的传输起到阻碍的作用,减小组件的效率,产生影子效应。为消除影子效应,可以通过在槽P2的底部沉积金属,减小P2的高宽比。传统的在槽P2的底部沉积金属的方法主要采用丝网印刷银浆,但丝网印刷存在难以对准槽P2的问题,在对不准的时候不但电池的导电性能得不到改进,反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜型太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:在衬底上制作形成金属背电极层,并在所述金属背电极层上开设第一沟槽;在所述金属背电极层及所述第一沟槽的槽底依次形成光吸收层、缓冲层及高阻层;在所述光吸收层、缓冲层及高阻层上开设贯穿至所述金属背电极层的第二沟槽,所述第二沟槽与所述第一沟槽错开设置;对上述制得的结构进行电镀处理,在所述第二沟槽的槽底电镀金属层;在所述金属层及所述高阻层上形成导电窗口层,并在所述光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层上开设贯穿至所述金属背电极层的第三沟槽,得到所述薄膜型太阳能电池,其中,所述第三沟槽、第二沟槽及第一沟槽错开设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李玉飞肖旭东杨春雷宋秋明
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
类型:发明
国别省市:94

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