S波段MCM四位数字移相器开关组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种S波段MCM四位数字移相器开关组件，涉及数字移相器技术领域，包括四位数字移向器和单刀三掷开关，所述四位数字移向器设置有A、B、C和D四个端口输入TTL电平控制二极管V1-V2组成的参考路和V3-V4组成的移相路的转换，所述单刀三掷开关设置有RFout1和RFout2两个通道端口，和k1、k2两个端口输入TTL电平控制RFout1和RFout2两个通道端口的转换，k3端口输入TTL电平控制吸收负载，所述的四位数字移向器和单刀三掷开关通过LTCC工艺匹配网络电路连接成一体。本实用新型专利技术具有体积小、重量轻的优点，并提高了可靠性及稳定性，减小了调试工作量。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及数字移相器
，确切地说是一种S波段MCM四位数字移相器开关组件。
技术介绍
移相器开关组件基本原理是利用四个微波开关控制两个不同电长度的微带线，通过选择不同的传输路径来实现相移，两条传输路径的电长度之差决定了这个移相器的差分相移量，如果一条传输线的长度为1，另一条传输线的长度为1 +△ 1，则在两相态下的差分相移量为ΔΦ=2π Δ 1 /Ag，相移量反映在两截微带线的的相对长度差上，且与其波长成反比关系。传统的设计方式是利用微带线与高阻线(或偏置线圈)组合来完成。目前常用的通过选择传输微带线不同路径的电长度之差来产生相移的混合集成电路设计方案多采用的平面设计，单层组装，即在单层介质基片上实现相移、高阻、偏置。 制造完成后，需要人工调试驻波、相位、插损，调试的方式是在微带线上粘贴介质块或金属箔，反复移动介质块或金属箔直到找到理想位置为止，为了达到移相22. 5°、45°、90°、 180°，且满足士3°的要求，需要对每个移相位所对应的微带线进行调试，同时兼顾带线匹配，驻波要< 1.2，影响插损的因素除了微带线外，还要对偏置线圈的电感量进行调试，不断该变匝间距直到找到理想位置，使通过偏置线圈泄露的微波量最小且不能失配，以减小插损。上述现有技术具有如下缺点1、体积较大由于采用的平面设计，为了满足装配需要，必须增大空间；2、可靠性低分立元件多，且无法固定；3、调试量减大；4、质量较重增大了空间，增加了质量；
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提出了一种S波段MCM四位数字移相器开关组件，本技术具有体积小、重量轻的优点，并提高了可靠性及稳定性，减小了调试工作量。本技术是通过采用下述技术方案实现的一种S波段MCM四位数字移相器开关组件，其特征在于包括四位数字移向器和单刀三掷开关，所述四位数字移向器设置有端口一 Α、端口二 B、端口三C和端口四D四个端口输入TTL电平控制二极管一 Vl- 二极管二 V2组成的参考路和二极管三V3- 二极管四V4组成的移相路的转换，所述单刀三掷开关设置有通道端口一 RFoutl和通道端口二 RFout2两个通道端口，和端口五kl、端口六k2两个端口输入TTL电平控制通道端口一 RFout 1和通道端口二 RFout2两个通道端口的转换，端口七k3端口输入TTL电平控制吸收负载，所述的四位数字移向器和单刀三掷开关通过LTCC工艺匹配网络电路连接成一体。所述单刀三掷开关为PIN 二极管数字式单刀三掷开关。3所述四位数字移向器的支路一 Vl-支路四V4，支路五V5-支路八V8、支路九V9-支路十二 V12、支路十三V13-支路十六V16经阻抗变换匹配，直流信号通过低通滤波器从端口一 A、端口二 B、端口三C和端口四D四个端口输入。所述的LTCC工艺是现有技术，全称为低温共烧陶瓷工艺。与现有技术相比，本技术所达到的有益效果表现在一、LTCC工艺为基础的微波MCM的工艺技术和电路设计技术，得到了实用化样品， 技术指标与原采用混合集成电路方式的相当。体积为原有体积的30%重量减轻了 40%;提高了可靠性及稳定性，工作温度范围为_60°C至+125°C二、减小调试工作量一次设计制成，免调试，避免了线圈调试性能不稳及由于线圈耐受振动力差而带来的可靠性低等问题。附图说明下面将结合说明书附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明，其中图1为本技术的结构示意图图2为本技术的电路原理图图3为一个移相单元原理图图4为开关位原理图具体实施方式作为本技术的最佳实施方式，参照说明书附图1和2，本技术公开了一种 S波段MCM四位数字移相器开关组件，包括四位数字移向器1和单刀三掷开关2，所述四位数字移向器1设置有端口一 A、端口二 B、端口三C和端口四D四个端口输入TTL电平控制二极管一 Vl-二极管二 V2组成的参考路和二极管三V3- 二极管四V4组成的移相路的转换，所述单刀三掷开关2设置有通道端口一 RFoutl和通道端口二 RFout2两个通道端口，和端口五kl、端口六k2两个端口输入TTL电平控制通道端口一 RFout 1和通道端口二 RFout2两个通道端口的转换，端口七k3端口输入TTL电平控制吸收负载，所述的四位数字移向器1和单刀三掷开关2通过LTCC工艺匹配网络电路连接成一体。所述单刀三掷开关2为PIN 二极管数字式单刀三掷开关2。所述四位数字移向器1的支路一 Vl-支路四V4，支路五V5-支路八V8、支路九V9-支路十二 V12、支路十三V13-支路十六V16经阻抗变换匹配，直流信号通过低通滤波器从端口一 A、端口二 B、端口三C和端口四D四个端口输入。所述的LTCC工艺是现有技术，全称为低温共烧陶瓷工艺。参照附图3，一个移相单元原理图，移相器开关组件基本原理是利用四个微波开关控制两个不同电长度的微带线，通过选择不同的传输路径来实现相移，两条传输路径的电长度之差决定了这个移相器的差分相移量，如果一条传输线的长度为1，另一条传输线的长度为ι +Δ 1，则在两相态下的差分相移量为Δ φ=2 JT Δ 1 /Ag,相移量反映在两截微带线的的相对长度差上，且与其波长成反比关系。传统的设计方式是利用微带线与高阻线(或偏置线圈)组合来完成，本提案采用低温陶瓷共烧(LTCC)技术，在满足技术要求的前提下实现了技术上的跃进。参照图4，开关位原理图，通过开关控制端K1、K2、K3不同的偏置电压控制3个方向的PIN管导通或截至实现信号路径选择。采用本技术所得的技术方案经测试各数据如下表权利要求1.一种S波段MCM四位数字移相器开关组件，其特征在于包括四位数字移向器(1)和单刀三掷开关(2)，所述四位数字移向器(1)设置有端口一(A)、端口二(B)、端口三(C)和端口四(D)四个端口输入TTL电平控制二极管一(Vl) - 二极管二(V2)组成的参考路和二极管三(V3) - 二极管四(V4)组成的移相路的转换，所述单刀三掷开关(2)设置有通道端口一 (RFoutl)和通道端口二(RFout2)两个通道端口，和端口五(kl)、端口六(k2)两个端口输入TTL电平控制通道端口一( RFout 1)和通道端口二( RFout2 )两个通道端口的转换，端口七 (k3)端口输入TTL电平控制吸收负载，所述的四位数字移向器(1)和单刀三掷开关(2)通过LTCC工艺匹配网络电路连接成一体。2.根据权利要求1所述的S波段MCM四位数字移相器开关组件，其特征在于所述单刀三掷开关(2)为PIN 二极管数字式单刀三掷开关。3.根据权利要求2所述的S波段MCM四位数字移相器开关组件，其特征在于所述四位数字移向器(1)的支路一(Vl)-支路四(V4)，支路五(V5)-支路八(V8)、支路九(V9)-支路十二(V12)、支路十三(V13)-支路十六(V16)经阻抗变换匹配，直流信号通过低通滤波器从端口一(A)、端口二(B)、端口三(C)和端口四(D)四个端口输入。专利摘要本技术公开了一种S波段MCM四位数字移相器开关组件，涉及数字移相器
，包括四位数字移向器和单刀三掷开关，所述四位数字移向器设置有A、B、C和D四个端口输入TTL电平控制二极管V1-V2组本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ｓ波段ＭＣＭ四位数字移相器开关组件，其特征在于：包括四位数字移向器（１）和单刀三掷开关（２），所述四位数字移向器（１）设置有端口一（Ａ）、端口二（Ｂ）、端口三（Ｃ）和端口四（Ｄ）四个端口输入ＴＴＬ电平控制二极管一（Ｖ１）－二极管二（Ｖ２）组成的参考路和二极管三（Ｖ３）－二极管四（Ｖ４）组成的移相路的转换，所述单刀三掷开关（２）设置有通道端口一（ＲＦｏｕｔ１）和通道端口二（ＲＦｏｕｔ２）两个通道端口，和端口五（ｋ１）、端口六（ｋ２）两个端口输入ＴＴＬ电平控制通道端口一（ＲＦｏｕｔ１）和通道端口二（ＲＦｏｕｔ２）两个通道端口的转换，端口七（ｋ３）端口输入ＴＴＬ电平控制吸收负载，所述的四位数字移向器（１）和单刀三掷开关（２）通过ＬＴＣＣ工艺匹配网络电路连接成一体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何放，史文渊，
申请(专利权)人：成都亚光电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90