【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶铸锭线切割
技术介绍
在现多晶晶锭长晶工艺过程中,晶体是以陶瓷坩埚为载体进行结晶、生长。为防止 硅晶体粘附坩埚造成裂锭等不良影响,铸锭工艺中坩埚需要喷涂SiNx细粉。这样在晶体的 生长过程中,坩埚以及表面涂层中SiNx的杂质优先向靠近坩埚的多晶硅锭扩散,造成此表 面金属杂质和SiC、SiN及SiCNx等硬度系数明显高内部的多晶硅。目前在多晶铸锭切片工 艺中,采用的工艺方法一般是将开方、截断、磨面、粘棒,线切割。在粘棒时,因为对入刀面 不进行选择,如果将位于铸锭四周的硅块的靠近坩埚的一面作为入刀面,由于该面硬度系 数高,容易造成跳线、蹦边甚至断线等不良影响,降低硅片的合格率,增加了硅片的切割成 本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供,解决开方后多 晶铸锭边缘靠近坩埚的硅块切片合格率偏低的问题,达到提高多晶铸锭的硅片出片率,降 低硅片的切割成本的目的。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是,该生 产方法如下(一 )、标记将多晶铸锭进行开方得到硅块,对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进 行标识,以区分硅块的A、B面,B面靠近坩埚,A面是B面的对应面;( 二)、将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面;(三)、粘棒将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上,其他硅块正常粘棒,待粘 胶固化后上棒切片;(四)、切片将固化好的硅块上机切片,区分A、B面的硅块的A面为入刀面。本专利技术的有益效果是通过对开方后铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块标识A面、B 面,将B面粘在玻璃板上,通过玻璃板固定在晶托上,这样在硅块上机进行线切割的时候, ...
【技术保护点】
1.一种多晶铸锭的线切割方法,该生产方法如下:(一)、标记:将多晶铸锭进行开方得到硅块,对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标识,以区分硅块的A、B面,B面靠近坩埚,A面是B面的对应面;(二)、将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面;(三)、粘棒:将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上,其他硅块正常粘棒,待粘胶固化后上棒切片;(四)、切片:将固化好的硅块上机切片,区分A、B面的硅块的A面为入刀面。
【技术特征摘要】
1. 一种多晶铸锭的线切割方法,该生产方法如下(一)、标记将多晶铸锭进行开方得到硅块,对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标 识,以区分硅块的A、B面,B面靠近坩埚,A面是B面的对应面;(二)、将开方后得...
【专利技术属性】
技术研发人员:李毕武,刘振淮,黄振飞,贺洁,
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司,
类型:发明
国别省市:32
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