一种PMOLED扫描电极布线结构制造技术

本发明专利技术涉及平面显示技术，其针对传统技术的不足，公开了一种新型的PMOLED扫描电极布线结构，减小扫描电极的自身压降，保证PMOLED显示屏的的发光亮度，改善其品质。其技术方案的要点可概括为：增大了扫描电极的第一段宽度，按照金属薄膜电阻的定义，扫描电极面积越大，则电阻越低，因此，减小了因扫描电极引起的电压降，从而保证了发光亮度；同时对于不同的扫描电极的第三段采取了渐变式的设计：扫描电极宽度从外向内逐渐减小，从而减小了行与行之间的亮度显示差异，改善了PMOLED显示屏的品质。本发明专利技术适用于PMOLED显示屏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面显示技术，具体的说是涉及一种PMOLED扫描电极布线结构。
技术介绍
OLED(有机发光二极管)是新一代的照明和显示装置，其通过将有机发光材料夹在透明阳极和金属反射阴极之间，形成有机薄膜，对有机薄膜施加电压来进行发光。PMOLED 是被动式驱动发光的OLED显示屏，一股是由驱动IC(芯片)向显示屏中的发光像素供电， 通过对显示屏的扫描电极进行逐行扫描来达到显示图像的目的。由于显示屏的空间大小有局限性，而其接线又极其复杂，要在有限的空间内布置下繁复的线路，这就涉及到对扫描电极的布线问题。传统技术中的PMOLED扫描电极布线结构如图1所示，其包括像素点阵列和分布在像素点阵列左右两侧的η个扫描电极，η等于像素点阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计第一段为与像素点1连接的接触孔2，其宽度等于一个像素点1的高度；第二段本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＰＭＯＬＥＤ扫描电极布线结构，包括像素点阵列和分布在像素点阵列左右两侧的ｎ个扫描电极，ｎ等于像素点阵列的行数；第一个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第一行，第二个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第二行，第三个扫描电极分布在像素点阵列的一侧连接像素点阵列的第三行，第四个扫描电极分布在像素点阵列的另一侧连接像素点阵列的第四行…以此类推；其中，每个扫描电极分五段设计：第一段为与像素点连接的接触孔；第二段为接触孔的引出电极；第三段为竖直方向布线的电极；第四段为向中央倾斜布线的电极；第五段为竖直方向布线的电极；处于像素点阵列同侧的各扫描电极的第二段逐渐缩短，其特征在...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫晓剑，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：90