内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体激光器技术领域，具体提供了一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构。该同轴TO封装结构内部包括：TO底座、薄膜型热电致冷器，硅热沉块或者导热块，半导体激光器，热敏电阻和背光探测器；薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的底面或者薄膜型热电致冷器垂直于TO底座底面贴装于TO底座上的导热块。本实用新型专利技术主要通过将具有热量快速转移作用的薄膜型热电致冷器(TEC)引入到TO封装的半导体激光器底部，实现半导体激光器的温度控制，具有温度可控和可靠性好等特点。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体激光器
，尤其涉及一种半导体激光器同轴TO封 装的结构。
技术介绍
同轴TO封装的半导体激光器具有结构简单，元件紧凑，容易批量生产，成本低廉 等特点，所以在光接入网有着广泛的应用。但是现有的同轴TO封装的半导体激光器，因为 TO内部没有致冷器，散热是一个不容回避的问题。当外界温度增高或激光器阈电流增大时， 激光将加速退化，导致激光器TO的可靠性问题。即使人们想把那种块状的半导体致冷器放 于TO中，由于受到TO体积的限制，也不能如愿。所以到目前为止还没有一种对激光器TO 进行温度控制的有效手段，这使得半导体激光器芯片在工作过程中不断积累热量，从而工 作在一个较高的温度下，使得激光器芯片的工作性能劣化输出功率减小，波长漂移，噪声 变大等，这些从很大程度上限制了 TO封装半导体激光器的应用范围。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，在传统同轴TO封装 的半导体激光器中，引入薄膜型热电致冷器(TEC)，实现TO内部激光器工作温度的控制。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构，包括TO底座、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴ＴＯ封装结构，其特征在于，包括ＴＯ底座、薄膜型热电致冷器、硅热沉块、半导体激光器、热敏电阻和背光探测器；薄膜型热电致冷器直接水平贴装于ＴＯ底座的上表面；硅热沉块作为半导体激光器、热敏电阻和背光探测器的载体，直接贴装于薄膜型热电致冷器的上表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周忠华，陈留勇，
申请(专利权)人：武汉华工正源光子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：83