【技术实现步骤摘要】
本技术提供了一种二维风速风向传感器，利用电阻抗断层成像(EIT)测量原 理进行传感计算，以矩形半导体硅薄膜作为传感薄膜。基于热损失方式工作，以热分布变化 所产生的半导体硅薄膜电阻率分布的变化计算风速大小和风的方向。
技术介绍
风速风向传感器是重要的传感器之一，有着非常广泛的用途。目前的大多数风速 风向传感器采用集总参数的测量方法，例如，检测热敏电阻变化或平板电容变化的方法。无 法直接定量表示传感结构面上各点的风速和风向。半导体材料具有温度特性，对于具有原始热分布的半导体薄膜，在薄膜面上的空 气流动必然导致热分布变化，进而引起半导体薄膜电阻率分布的变化，通过检测薄膜上各 点电阻率变化的大小和位置，可以计算得到风速的大小和风向。电阻抗断层成像(EIT)技术采用电流激励/电压测量，并通过成像算法计算待检 测材料的电阻率分布。利用EIT技术计算传感薄膜材料电阻率分布变化，进而进行风速风向传感计算的 传感器结构。利用整个传感薄膜材料电阻率分布的变化对外界物理量进行传感表征，可以 反映传感薄膜材料面上任意点的电阻率参数的变化。
技术实现思路
技术问题本技术提出了一种基于热损失工...
【技术保护点】
一种基于热损失工作方式的矩形硅膜二维风速风向传感器，其特征在于采用矩形的半导体硅薄膜（１０４）作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底（１０１），在硅衬底（１０１）上设置一排发热电阻（１０２），在具有发热电阻（１０２）的硅衬底（１０１）之上设置二氧化硅绝缘层（１０３），在二氧化硅绝缘层（１０３）之上设置半导体硅薄膜（１０４），金属电极（１０５）位于矩形的半导体硅薄膜（１０４）的一边均匀分布。
【技术特征摘要】
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