【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种采用硅衬底减薄工艺技术实现的圆片级封装的热式风速风向传感器，采用标准CMOS集成电路工艺制备传感器芯片，尤其涉及一种低功耗的基于陶瓷封装的集成风速风向传感器。
技术介绍
在CMOS集成风速风向传感器的设计中，封装一直以来是阻碍其发展的技术瓶颈。 一方面其封装材料即要求具有良好的热传导性能，又要求对传感器具有保护作用，并且设计中还需要考虑到封装材料对传感器灵敏度、可靠性以及价格等方面的影响，这就限制了传感器自身封装设计的自由度。另一方面，热式流量传感器要求传感器的敏感部分暴露在测量环境中，同时又要求处理电路与环境隔离，以免影响处理电路的性能，两者对封装的要求产生了矛盾。以往报道的硅风速风向传感器大都将硅片的敏感表面直接暴露在自然环境中，以便能够感知外界风速变化。这样一来，硅片很容易受到各种污染，导致其性能的不稳定，甚至损坏。如果采用热导率较高的陶瓷基片，利用倒装焊封装或者导热胶贴附的方式对传感器硅芯片进行封装，就能够较好的避免上述的矛盾，但是封装后传感器产生的热量绝大部分以热传导的方式从硅基衬底耗散掉，仅有很小的一部分通过陶瓷与外界空气进行了热交换，...
【技术保护点】
１．一种基于减薄工艺的热式风速风向传感器，其特征在于，包括减薄硅芯片（２１），所述减薄硅芯片（２１）的背面通过导热胶（２２）连接有陶瓷基板（２３），在减薄硅芯片（２１）的正面设有Ｎ阱（７），在Ｎ阱（７）上设有氧化层（１１），在Ｎ阱（７）的中部设有４个扩散电阻加热元件（９）及４个热传感测温元件（１５），４个热传感测温元件（１５）为热电偶测温元件且分布于４个扩散电阻加热元件（９）的四周，在氧化层（１１）的边缘区域设有电引出焊盘（１４），４个扩散电阻加热元件（９）的电引出焊盘（１８）及４个热传感测温元件（１５）的电引出焊盘（１３）分别通过金属引线与电引出焊盘（１４）连接，在４个扩...
【技术特征摘要】
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