本发明专利技术为具有绝缘性基板(1)；相互正交配置于绝缘性基板(1)上的栅极布线(2)及源极布线(8a)；及配置于这些信号线(2)·(8a)的交点并由栅极(2)、源极电极(8a)和漏极电极(10)所构成的TFT(18)的有源矩阵基板，作为源极(8a)及漏极(10)的下层使用而形成的透明导电膜(19)，在由相互邻接的源极布线(8a)和相互邻接的栅极布线(2)所包围的像素区域作为共用电极(9)来使用，并且作为平行于源极布线(8a)而连接相互邻接的共用电极(9)所形成的共用电极布线(8b)来使用。由此，本发明专利技术提供一种减小由电阻所造成的信号延迟及由寄生电容所造成的信号延迟的有源矩阵基板。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使用TFT的有源矩阵基板及具备该有源矩阵基板的液晶显示装置。
技术介绍
以往，已知有FFS (边缘场转换=Fringe Field Switching)模式的液晶显示装置。 在FFS模式的液晶显示装置中，(a)利用如ITO(铟锡氧化物)那样的透明物质形成对向 电极和像素电极，(b)形成对向电极和像素电极，使其具有比上 下基板间的间隔要窄的间 隔，再进一步，(c)形成对向电极和像素电极的宽度，使其具有能够驱动配置于电极上部的 所有液晶分子的程度的宽度。该FFS模式的液晶显示装置通过利用透明物质形成电极等，能够得到相比IPS (平 面控制In Plain Switching)模式的液晶显示装置有更高的开口率(即通过在电极部产 生光透射可得到相比IPS模式有更高的开口率)。图21 (a)为专利文献1中记载的FFS模式的液晶显示装置所使用的有源矩阵基板 的俯视图，图21(b)为图21(a)的A-A’剖视图。如图21 (a)所示，该有源矩阵基板主要具备相互正交的多个栅极母线101及多个 源极母线107、在由这些母线所包围的像素区域以梳状且平行于源极母线107而设置的多 个像素电极109、在栅极母线101向像素区域侧分岔的部分设置的TFT103、及平行于栅极母 线101而设置的共用电极用布线(CS布线)110。再进一步，如图21(b)所示，该有源矩阵基板在绝缘性基板上设置由透明导电膜 构成的共用电极(下层栅极母线)106，在该共用电极106上设置上层栅极母线101及CS 布线110。另外，通过栅极绝缘膜102，在上层栅极母线101上，层叠半导体层103、接触层 104、上层源极 漏极电极107，而形成TFT。另外，在有源矩阵基板的最上层，通过层间绝缘 膜(钝化膜)IOS设置像素电极IO9。上述专利文献1中记载的有源矩阵基板由于在下层栅极母线106设置形成CS布 线Iio的共用电极，因此有如下2个问题。S卩，如图22所示，共用电极及上层栅极母线变粗糙，并且形成TFT沟道部111的栅 极绝缘膜102上的半导体层103、接触层104、及上层源极 漏极电极107变粗糙。特别是， 使用一般性的透明金属膜作为透明电极时，会产生平坦性变低、TFT的沟道部111的凹凸变 大、迁移率降低的问题。另外，透明电极其结晶化的转变温度非常低，即在150度 200度左右就从非晶态 开始多晶硅化(结晶化)。对结晶化后的状态和非晶的状态进行比较时，其刻蚀率有较大的差别。因此，需要刻蚀相当长的时间。即，如图23所示，需要进行过刻蚀。从而栅极母线 101成为倒锥形(帽檐状)，栅极绝缘膜102不能覆盖该栅极母线101，产生导致与上层形成 的金属膜发生泄漏等的合格品率降低的问题。另外，专利文献2所记载的有源矩阵基板中，在栅极绝缘膜上设置共用电极。艮口， 在比栅极母线更上侧的层设置共用电极。因而，可解决上述2个问题。但是，专利文献1及2由于都使用在液晶显示部的横向所配置的栅极母线的金属 层，形成与栅极母线平行的共用电极，因此如图M所示，即横向设置CS布线123。一般液晶 显示装置中，由于多数的液晶显示部横向较长，因此与源极母线相比，栅极母线较长。从而， 由CS布线123所形成的共用电极的电阻变大，产生信号延迟的问题。为解决此问题，以减 小电阻为目的而加粗CS布线123的宽度时，产生开口率降低的问题。与此不同的是，专利文献3中，如图25所示，在像素电极的上侧设置共用电极(透 明电极材料，例如ΙΤ0)，在共用电极的狭缝部以外的所有区域保留透明电极材料，从而形成 共用电极。再进一步，如图26所示，在源极母线及栅极母线上的几乎整个表面设置透明电 极材料(CS布线)。如此，通过设置也平行于源极母线的CS布线，解决上述信号延迟问题。专利文献1 日本国公开专利公报「特开2001-235763号公报(公开日；平成13年8月31日)」专利文献2 3月27日)」专利文献3专利文献4 8月17日)」专利文献5 月5日)」日本国公开专利公报「特开2002-90781号公报(公开日；平成14年国际公开号WO 01/18597(公开日；平成13年3月15日) 日本国公开专利公报「特开2001-221992号公报(公开日；平成13年日本国公开专利公报「特开平9-230380号公报(公开日；平成9年9
技术实现思路
然而，上述专利文献3所揭示的技术中，形成CS布线使其覆盖图沈中的源极母线 和栅极母线的整个表面。因此，会有短路等缺陷的危险，且栅极母线和源极母线与CS布线 的寄生电容变大。本专利技术是鉴于上述问题所完成的，其目的在于，提供一种减小由电阻所造成的信 号延迟及由寄生电容所造成的信号延迟的有源矩阵基板及具备该有源矩阵基板的液晶显 示装置。为解决上述课题，本专利技术的有源矩阵基板为具有绝缘性基板；相互交叉配置于该 绝缘性基板上的视频信号线及扫描信号线；及配置于这些信号线的交点的具备栅极电极、 源极电极和漏极电极而构成的薄膜晶体管的有源矩阵基板，其中，作为源极电极及漏极电 极的下层使用而形成的透明电极层，在由相互邻接的视频信号线和相互邻接的扫描信号线 所包围的像素区域作为共用电极来使用，并且作为平行于上述视频信号线而连接相互邻接 的上述共用电极所形成的共用电极布线来使用。根据上述构成，共用电极其作为源极电极及漏极电极的下层使用而形成的透明电 极层，在由相互邻接的视频信号线和相互邻接的扫描信号线所包围的像素区域作为共用电极来使用，并且作为平行于上述视频信号线而连接相互邻接的上述共用电极所形成的共用 电极布线来使用。即，利用作为源极电极及漏极电极的下层使用的透明电极层形成共用电 极及共用电极布线。由此，共用电极实现了平行于和源极电极连接的视频信号线而连接并 延伸。由于一般视频信号线比扫描信号线短，因此与平行于扫描信号线而延伸的情况相比， 可减小电阻。再进一步，根据上述构成，形成上述共用电极布线，使其不具有与视频信号线交叉 的部分，而在与扫描信号线正交的部分进行交叉。此处注意形成于相互邻接的视频信号线 间的某一个共用电极时，由于一般视频信号线的数量比扫描信号线要多(视频信号线扫 描信号线=3(RGB) 1)，相比在与视频信号线正交的部分进行交叉所形成的已有的构成， 共用电极和各信号线(视频信号线、扫描信号线)的交叉部的数量变少，可减小共用电极布 线的寄生电容。如上所述，本专利技术中，可减小共用电极及共用电极布线的电阻，并且可减小共用电 极布线和信号线的寄生电容。因此，可减小共用电极布线的信号延迟。再进一步，根据上述构成，利用使用所谓的网目曝光的光刻法，在源极电极、漏极 电极的下层形成透明电极层(ΙΤ0等透明导电性材料)，由于可利用与形成源极电极、漏极 电极相同的光刻工序来形成共用电极，因此可简化制造方法。另外，由于如上述那样可利用 相同的光刻工序来形成共用电极，相比如上述专利文献2那样利用不同的光刻工序形成共 用电极和源极电极、漏极电极的情况，可防止由光定向偏离所造成的成品率降低及开口率 降低。另外，本专利技术的有源矩阵基板中，最好用于形成上述栅极电极所成膜的金属膜作 为平行于上述扫描信号线而形成的辅助共用电极布线来使用，将该辅助共用电极布线和上 述共用电极通过接触孔电连接。根本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有源矩阵基板，具有：绝缘性基板；相互交叉配置于该绝缘性基板上的视频信号线及扫描信号线；及配置于这些信号线的交点的具备栅极电极、源极电极和漏极电极而构成的薄膜晶体管，其特征在于，作为源极电极及漏极电极的下层使用而形成的透明电极层，在由相互邻接的视频信号线和相互邻接的扫描信号线所包围的像素区域作为共用电极来使用，并且作为平行于所述视频信号线而连接相互邻接的所述共用电极所形成的共用电极布线来使用。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：村井淳人，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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