形成用于基于碲化镉的薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法制造方法及图纸

概括地讲，本发明专利技术提供了用于在衬底(12)上形成导电氧化物层(14)的方法。在一个特定实施方案中，所述方法可包括在约10℃-约100℃的溅射温度下在衬底(12)上溅射透明导电氧化物层(14)。包含硫化镉的盖层(15)可直接沉积在所述透明导电氧化物层(14)上。可使所述透明导电氧化物层(14)在约450℃-约650℃的退火温度下退火。概括地讲，本发明专利技术还提供了用于制造基于碲化镉的薄膜光伏装置(10)的方法。概括地讲，本发明专利技术还提供了用于制造薄膜光伏装置(10)的中间衬底。

【技术实现步骤摘要】

概括地讲，本文公开的主题涉及形成导电透明氧化物膜层。更详细地讲，本文公开的主题涉及形成用于碲化镉薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法。
技术介绍
基于与硫化镉(CdS)配对的碲化镉(CdTe)作为光反应性组分的薄膜光伏(PV)组件(还称作“太阳能板”)在工业中得到广泛认可和关注。CdTe是具有特别适合将太阳能转化为电力的特征的半导体材料。例如，CdTe的能带隙为约1.4kV，与历史上在太阳能电池应用中使用的较低带隙半导体材料(例如，对于硅来说，约1. IeV)相比，这使得其能够从太阳能谱中转化更多能量。同样，与较低带隙材料相比，CdTe在较低或漫射光条件下转化辐射能，因此与其他常规材料相比，CdTe全天或在多云条件下具有更久的有效转化时间。 当CdTe PV组件暴露于诸如日光的光能时，η型层和ρ型层的节点通常负责产生电势和电流。具体地说，碲化镉(CdTe)层和硫化镉(CcK)形成ρ-η异质结，其中CdTe层充当ρ型层 (即，正型电子接受层)且CdS层充当η型层(即，负型电子供给层)。透明导电氧化物(“TC0”)层通常用于窗玻璃(window glass)和节点形成层之间。例如，T本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．在衬底上形成导电氧化物层的方法，所述方法包括：在约１０℃－约１００℃的溅射温度下在衬底（１２）上溅射透明导电氧化物层（１４）；将盖层（１５）直接沉积在所述透明导电氧化物层（１４）上，其中所述盖层（１５）包含硫化镉；和在约４５０℃－约６５０℃、优选约５７５℃－约６２５℃的退火温度下使所述透明导电氧化物层（１４）退火。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·D·费尔德曼皮博迪，J·A·德雷顿，R·D·戈斯曼，M·萨德希，
申请(专利权)人：初星太阳能公司，
类型：发明
国别省市：US