下载形成用于基于碲化镉的薄膜光伏装置的导电透明氧化物膜层的方法的技术资料

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概括地讲,本发明提供了用于在衬底(12)上形成导电氧化物层(14)的方法。在一个特定实施方案中,所述方法可包括在约10℃-约100℃的溅射温度下在衬底(12)上溅射透明导电氧化物层(14)。包含硫化镉的盖层(15)可直接沉积在所述透明导电氧...
该专利属于初星太阳能公司所有,仅供学习研究参考,未经过初星太阳能公司授权不得商用。

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