图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种图像显示装置及图像显示装置的驱动方法。图像显示装置包括像素电路、电源线、将数据信号提供给上述像素电路的数据线。上述像素电路包括发光元件、控制上述发光元件的发光的驱动晶体管、设置在上述数据线与上述驱动晶体管的栅电极之间的存储电容、使上述存储电容的两端连接的两端连接开关、切断从上述电源线流经上述两端连接开关的电流路径的电流断路开关。在向上述像素电路提供数据信号之前，两端连接开关连接上述存储电容的两端，电流断路开关被切断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像显示装置，尤其涉及使用了发光元件的图像显示装置。
技术介绍
近年来，盛行开发有机EL显示装置等使用发光元件的图像显示装置。作为使用与灰度相应的亮度来使发光元件发光的像素电路和驱动该像素电路的方式之一，如日本特开 2007-148222号公报所示。图21是表示现有的像素电路一例的图。该像素电路包括发光元件IL、驱动晶体管TRD、存储电容CP、选择开关SWS、发光信号控制开关SWF、点亮控制开关 SffI以及复位开关SWR。并且，与像素电路的列相对应而设置有数据线DAT和电源线PWR，与像素电路的行相对应而设置有发光控制信号线REF。驱动晶体管TRD是ρ沟道型晶体管。驱动晶体管TRD的源电极连接在电源线PWR上，漏电极通过点亮控制开关SWI连接在发光元件IL的一端。存储电容CP的一端与驱动晶体管TRD的栅电极连接。存储电容 CP的另一端通过选择开关SWS与数据线DAT连接，另外存储电容CP的另一端通过发光信号控制开关SWF与发光控制信号线REF连接。选择开关SWS、发光信号控制开关SWF、点亮控制开关SWI、复位开关SWR是薄膜晶体管。这些薄膜晶体管的栅电极分别连接在传送控制信号的布线上。在此，将驱动晶体管TRD的栅电极的某节点称为节点NA。以下，说明图21所示的有机EL显示装置中的像素电路的驱动方法。在写入数据信号的期间，来自数据线DAT的数据信号被提供到存储电容CP的另一端。此时，通过使复位开关SWR导通，将驱动晶体管TRD的栅电极-源电极间的电位差作为该驱动晶体管TRD的阈值电压。然后，当使复位开关SWR截止时，存储电容CP存储从数据信号的电位与电源线的电位的电位差除去驱动晶体管TRD的阈值电压后的电位差。在写入该数据信号的期间之后，有使发光元件发光的期间。在使该发光元件发光的期间，通过使选择开关SWS截止而使发光信号控制开关SWF导通，进而使点亮控制开关SWI导通。于是，从发光控制信号线REF 向存储电容CP的另一端提供发光控制信号，驱动晶体管TRD的栅电极-源电极间的电位差是在阈值电压上加上与数据信号的电位和发光控制信号的电位的电位差相应的电位差而得到的值。若阈值电压不随时间变化，则与驱动晶体管TRD的阈值电压的值无关，发光元件 IL以根据数据信号的电位与发光控制信号的电位的电位差而确定的亮度进行发光。在此，在写入数据信号的期间，为了检测驱动晶体管TRD的阈值电压，需要预先使节点NA的电位足够低，低至驱动晶体管TRD导通。因此，预先使复位开关SWR和点亮控制开关SWI导通，使节点NA的电位降低到在接地电位上加上发光元件IL的电位差后的电位 (以下称为预充电)。点亮控制开关SWI在写入数据信号时截止。这样，节点NA的电位降低，但由于在发光元件IL中流过来自存储电容CP或驱动晶体管TRD的电流，所以产生微发光，对比度发生恶化。因此，考虑将节点NA连接在发光控制信号线REF上，使由存储电容CP的电荷产生的电流流向发光控制信号线REF的方法。图 22是表示有机EL显示装置的像素电路的另一例的图。图22所示的像素电路是针对图21 所示的像素电路在节点NA与发光信号控制开关SWF的存储电容CP侧的一端之间设置有预充电开关SWP的电路，代替使点亮控制开关SWI导通，而使预充电开关SWP导通。也就是说， 通过使复位开关SWR、预充电开关SWP、以及发光信号控制开关SWF导通，使节点NA的电位成为低至驱动晶体管TRD导通这样的足够低的状态。日本特开2007-148222号公报中公开了图21所示的有机EL显示装置。日本特开 2007-140488号公报中公开了图22所示的有机EL显示装置。在采用如图22所示的现有的像素电路和驱动方法时，能抑制发光元件IL的微发光，但有时由于其他原因而产生画质的劣化。以下，说明该画质的劣化的例子。图23是简略地示出现有的有机EL显示装置内的发光控制信号线REF的电阻的图。在该图中，示出显示区域DA内的像素电路的行中向中央行的像素电路提供信号的发光控制信号线REF的电阻。A点表示显示区域DA内最左侧的像素电路连接在发光控制信号线REF上的点，B点表示显示区域DA内最右侧的像素电路连接在发光控制信号线REF上的点。发光控制信号线 REF通过在显示区域DA的左侧沿上下方向延伸的布线与参考电位Vref的供给源连接。在本图的例子中，参考电位Vref的供给源与发光控制信号线REF的电阻之间的电阻为10 Ω， 发光控制信号线REF的平均长度的电阻为300 Ω/mm，发光控制信号线REF的长度为68mm。 另外，预充电时的驱动晶体管TRD的电阻为1ΜΩ，各开关SWR、SWP、SffF的电阻为300kQ。 图M是表示在现有的有机EL显示装置中从电源线PWR向发光控制信号线REF产生贯穿电流时的发光控制信号线REF内的电压降量Vdr的图。在现有的有机EL显示装置中，A点的电压降量Vdr大致为0，而B点的电压降量Vdr达到6. 4V。产生这些电压降时，不仅有可能由于预充电操作而没有充分地降低节点NA的电位，还发生如亮度不均这样的画质劣化。以下，说明由于电压降而产生亮度不均的机理。已知驱动晶体管TRD这样的ρ沟道型薄膜晶体管具有其阈值电压根据施加在栅电极-源电极间的电位差的历史而变动的特性(滞后特性)。图25是表示P沟道型薄膜晶体管的滞后特性的图。阈值电压是流过某恒定值以上的电流的栅电极-源电极间的电位差(栅电极电压Vg)。从图25可知，在使栅电极电压 Vg从正向负(使薄膜晶体管从截止向导通)变化时，阈值电压向正方向变动，在使栅电极电压Vg从负向正(使薄膜晶体管从导通向截止)变化时，阈值电压向负方向变动。图沈是表示向P沟道型薄膜晶体管的栅电极提供了脉冲信号时流过的电流量的时间变化的图。该脉冲信号表示在起初施加阈值电压Vth附近的电压，从时刻tl (s)到时刻 t2 = tl+0. l(s) (0 < tl < t2 < 1)的0. Is间施加负方向的电压且使薄膜晶体管导通的电压，之后再次施加阈值电压附近的电压的情况下的薄膜晶体管的源电极-漏电极间流过的电流量。于是，刚施加脉冲之后与施加脉冲之前相比，电流量变少。之后，在该状态下保持栅电极电压，则逐渐回到施加脉冲之前的电流量。输入的脉冲信号的保持时间越长，且输入脉冲的电压变化越大，那么施加脉冲后的电流量的变化越大。表示图25和图沈所示的滞后特性的薄膜晶体管相当于驱动晶体管TRD。即使由滞后特性引起的电流的变化量等因制作工序的不同而不同，但至少阈值电压根据栅电极电压Vg的变化而变化这一点是相同的。当在现有的有机EL显示装置中由于贯穿电流而产生电压降时，驱动晶体管TRD的栅电极电位根据像素电路PC与发光控制信号线REF连接的位置而不同。因此，驱动晶体管 TRD的栅电极-源电极间的电位差也发生变化。该变化后的电位差在进行预充电操作的期间施加，因此驱动晶体管TRD的阈值电压发生变化。在预充电操作后存储数据信号的期间，阈值电压还未回到原状，但存储电容CP存储电位差以消除其阈值电压。另一方面，在正在发光的期间，阈值电压回到与亮度相应的值，因此，阈值电压在存储数据信号的定时和发光中不同。驱动晶体管TRD流过的电流的量产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种图像显示装置，包括：多个像素电路；电源线；用于向上述各像素电路提供数据信号的数据线；用于控制上述各像素电路的控制线；以及用于向上述控制线提供控制信号的控制电路，其中，上述各像素电路包括：发光元件；对上述发光元件的发光进行控制的驱动晶体管；设置在上述数据线与上述驱动晶体管的栅电极之间的存储电容；使上述存储电容的两端连接的两端连接开关；以及用于切断从上述电源线流向上述两端连接开关的电流所经过的路径的电流断路开关，在上述数据线向上述各像素电路提供数据信号之前，上述控制电路向上述控制线提供用于使包含在该像素电路中的两端连接开关连接上述存储电容的两端，且使包含在该像素电路中的电流断路开关切断上述电流的经过路径的控制信号。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶山宪太，泉田健，德田尚纪，秋元肇，景山宽，中村则裕，井关正己，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP