基板穿孔绝缘结构制造技术

一种基板穿孔绝缘结构，其包含至少一具有第一表面及第二表面的基板，该基板上设有连通第一及第二表面的导通孔；以及分别成型于导通孔内壁面的派瑞林绝缘层。藉此，可于常温状态下使基板的导通孔中成型有派瑞林绝缘层，而达到易于制作以及降低制作成本的功效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种基板穿孔绝缘结构，尤指一种可于常温状态下使基板的导通孔中成型有派瑞林绝缘层，而达到易于制作以及降低制作成本功效的结构。
技术介绍
一般已知的硅晶圆(silicon wafer)或蓝宝石(sapphire)等基板于进行穿孔作业之后，通常会于各穿孔中皆制作绝缘层，藉以防止基板上有某些穿孔有电性导通， 而某些穿孔无电性导通的情形发生，待实际运用时，再于全部或局部的穿孔中设置导电层进行相关的电路布局。而一般的绝缘层于制作时，通常是以高温的化学气相沉积(CVD)碳化硅、或物理气相沉积(PVD)的方式于穿孔的内壁面形成所需的热氧化层(Thermal Oxide)、或氮化层 (Nitride)的绝缘层，但是以前述的制作方式而言，其不但会有不易制作的状况，更会有制作成本较高的缺点。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种基板穿孔绝缘结构，其可于常温状态下使基板的导通孔中成型有派瑞林绝缘层，而达到易于制作以及降低制作成本的功效。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是一种基板穿孔绝缘结构，包括至少一基板，该基板至少包含有第一表面及第二表面，且基板上设有连通第一及第二表面的导通孔；其特点是所述基板穿孔绝缘结构还包括派瑞林绝缘层，其成型于导通孔的内壁面。于本技术的一实施例中，该基板可为硅晶圆(silicon wafer).于本技术的一实施例中，该基板可为蓝宝石(sapphire )。于本技术的一实施例中，该派瑞林绝缘层以常温化学气相沉积(CVD)形成镀膜于导通孔的内壁面。于本技术的一实施例中，各导通孔可进一步设置有导电层，该导电层成型于派瑞林绝缘层的内缘，且其两端分别延伸于第一及第二表面上，而该导电层可为银胶。于本技术的一实施例中，本技术可进一步设置有两个相互层叠的基板， 且各基板的导通孔相互连通，并于各导通孔中设置有导电层，该导电层成型于派瑞林绝缘层的内缘，且该导电层的一端延伸于上方基板的第一表面上，另一端延伸于下方基板的第二表面上，而该导电层可为银胶。于本技术的一实施例中，本技术可进一步设置有两个相互层叠的基板， 且各基板的导通孔相互错位，并于各导通孔中设置有导电层，该导电层成型于派瑞林绝缘层的内缘，而导电层两端分别延伸于各基板的第一及第二表面上，且各基板藉由导电层相互导通，而该导电层可为银胶。于本技术的一实施例中，本技术可进一步设置有数个相互层叠的基板， 且各基板的导通孔设置有导电层，该导电层成型于派瑞林绝缘层的内缘，而导电层两端分别延伸于各基板的第一及第二表面上，且各基板藉由导电层相互导通，而该导电层可为银胶。如此，藉此，可于常温状态下使基板的导通孔中成型有派瑞林绝缘层，而达到易于制作以及降低制作成本的功效。附图说明图1是本技术第一实施例的外观示意图。图2是本技术第一实施例的剖面状态示意图。图3是本技术第二实施例的剖面状态示意图。图4是本技术第三实施例的剖面状态示意图。图5是本技术第四实施例的分解状态示意图。图6是本技术第四实施例的结合状态示意图。图7是本技术第五实施例的分解状态示意图。图8是本技术第五实施例的结合状态示意图。标号说明基板1、Ia第一表面 ll、lla第二表面12、12a导通孔 13、13a派瑞林绝缘层2导电层3、3a、3b具体实施方式请参阅图1及图2所示，分别为本技术第一实施例的外观示意图及本技术第一实施例的剖面状态示意图。如图所示本技术为一种基板穿孔绝缘结构，其至少包含至少一基板1以及派瑞林绝缘层2所构成。上述所提基板1可为硅晶圆(silicon wafer)或蓝宝石(sapphire)，其至少包含有第一表面11及第二表面12，且基板1上设有数个连通第一及第二表面11、12的导通孔 13。各派瑞林绝缘层2分别成型于导通孔13的内壁面。如是，藉由上述结构构成一全新的基板穿孔绝缘结构。制作时，是先于基板1上配合相关的工具或器材(图中未示)以任何方式制作有数个连通第一及第二表面11、12的导通孔13，之后于各导通孔13的内壁面以常温化学气相沉积(CVD)分别形成派瑞林绝缘层2的镀膜，如此，即可于常温状态下使基板1的导通孔13 中成型有派瑞林绝缘层2，而达到易于制作以及降低制作成本的功效。请参阅图3所示，为本技术第二实施例的剖面状态示意图。如图所示本技术除上述第一实施例所提结构型态之外，更可为本第二实施例的结构型态，而其所不同之处在于，各导通孔可进一步设置有导电层3，该导电层3成型于派瑞林绝缘层2的内缘，且其两端分别延伸于基板1的第一及第二表面11、12上，而该导电层3可为银胶；如此，可使本技术能更符合实际使用时所需。请参阅图4所示，为本技术第三实施例的剖面状态示意图。如图所示本技术除上述第一及第二实施例所提结构型态之外，更可为本第三实施例的结构型态，而其所不同之处在于，本技术可进一步设置有两个相互层叠的基板1、la，且各基板1、1 a 的导通孔13、13a相互连通，并于各导通孔13、13a中设置有导电层3a，该导电层3a成型于派瑞林绝缘层2的内缘，而该导电层3a—端延伸于上方基板1的第一表面上，另一端延伸于下方基板Ia的第二表面上，且该导电层3可为银胶；如此，可使本技术能更符合实际使用时所需。请参阅图5及图6所示，为本技术第四实施例的分解状态示意图及本技术第四实施例的结合状态示意图。如图所示本技术除上述第一、二及第三实施例所提结构型态之外，更可为本第四实施例的结构型态，而其所不同之处在于，本技术可进一步设置有两个相互层叠的基板1、la,且各基板1、Ia的导通孔13、13a相互错位，并于各导通孔13、13a中设置有导电层北，该导电层北成型于派瑞林绝缘层2的内缘，而导电层北的两端分别延伸于各基板l、la的第一表面IlUla及第二表面12、1 上，且各基板1、Ia藉由导电层北相互导通，而该导电层北可为银胶；如此，可使本技术能更符合实际使用时所需。请参阅图7及图8所示，为本技术第五实施例的分解状态示意图及本技术第五实施例的结合状态示意图。如图所示本技术除上述第一、二、三及第四实施例所提结构型态之外，更可为本第五实施例的结构型态，而其所不同之处在于，本技术可进一步设置有数个相互层叠的基板1，各基板的导通孔13可相互连通或相互错位，且各基板1的导通孔13设置有导电层3，该导电层3成型于派瑞林绝缘层2的内缘，而导电层3两端分别延伸于各基板1的第一及第二表面11、12上，且各基板1藉由导电层3相互导通，而该导电层3可为银胶；如此，可使本技术能更符合实际使用时所需。综上所述，本技术的基板穿孔绝缘结构可有效改善现有技术的种种缺点，进而使本技术能产生更进步、更实用、更符合消费者使用时所需，确已符合技术专利申请的要件，依法提出专利申请。惟以上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，当不能以此限定本技术实施的范围；故，凡依本技术申请专利范围及创作说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本技术专利涵盖的范围内。权利要求1.一种基板穿孔绝缘结构，包括至少一基板，该基板至少包含有本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板穿孔绝缘结构，包括至少一基板，该基板至少包含有第一表面及第二表面，且基板上设有连通第一及第二表面的导通孔；其特征在于：所述基板穿孔绝缘结构还包括派瑞林绝缘层，其成型于导通孔的内壁面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖东昇，
申请(专利权)人：茂邦电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71