【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种带电压检测功能的大功率MOS管驱动装置,其属于MOS驱动装置类。
技术介绍
MOS管是金属(metal) —氧化物(oxid) —半导体(semiconductor)场效应晶体管, 由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108 109 Ω )、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,在电力电子技术中有着越来越广泛的应用。MOS管一般的应用范式是在MOS 管的栅极加一占空比可调的电压来控制MOS管的导通与截止,施加在MOS管栅极上的这占空比可调的电路装置被称之为MOS管的驱动装置。由于MOS管的栅极与源极、栅极以及漏极间都存在分布电容,该分布电容的存在,使得所述MOS管栅极上的驱动电压从最低到最高, 或从高到低需要一定的时间,分布电容越大,栅极上的驱动电压上升或下降的时间越长。另一方面,MOS管的驱动电压正常需要IOV到15V,当驱动电压低于8伏时,以及栅极上驱动电压上升或下降过程中,MOS管处于一种非完全截止也非完全导通的过渡阶段,在这过渡阶段的过程中,既有电流流过MOS管又有电压夹在漏极与源极之间,该电压与该电流的乘积就产生了一个较大的损耗功率,特别对于大功率MOS管来说,这种功率损耗还是较大的,容易导致发热而损坏MOS管,现有技术的MOS管的驱动装置,一般包括电源模块和驱动模块,电源模块提供电源,驱动模块只具备简单产生MOS管栅极驱动电压的功能,显然现有技术的 MOS管的驱动装置不能很好地解决前述所提及的问题,为此现有技术有进一步改进的必要。专利技术内 ...
【技术保护点】
1.一种带电压检测功能的大功率MOS管驱动装置,包括驱动模块、电源模块,所述电源模块的输出接至驱动模块,其要点在于还包括微处理器、与非门、电压检测模块以及栅极放电控制模块,所述微处理器的输出端包括驱动信号输出端和使能信号输出端,前述二个输出端分别接至与非门的二个输入端,与非门的输出端接至驱动模块,所述电压检测模块的输入端接至电源模块,所述电压检测模块的输出端接至微处理器,所述栅极放电控制模块的输入端接至驱动模块的输出端,所述栅极放电控制模块的控制端联接至微处理器的驱动信号输出端。
【技术特征摘要】
1. 一种带电压检测功能的大功率MOS管驱动装置,包括驱动模块、电源模块,所述电源模块的输出接至驱动模块,其要点在于还包括微处理器、与非门、电压检测模块以及栅极放电控制模块,所述微处理器的输出端包括驱动信号输出端和使能信号输出端,前述二个输出...
【专利技术属性】
技术研发人员:程焕新,孟临望,梁文轩,肖欢,林汉通,
申请(专利权)人:深圳市新能通节能科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:94
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