液晶显示器的像素结构及液晶显示器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种液晶显示器的像素结构及液晶显示器，涉及液晶显示装置制造领域，能够保证通过源极传输的信号电压的利用率。液晶显示器的像素结构，包括基板和形成在所述基板上的TFT器件，所述TFT器件的沟道为闭合环形。本实用新型专利技术应用于液晶显示装置。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种液晶显示器的像素结构及液晶显不器。
技术介绍
近年来，薄膜场效应晶体管-液晶显示装置(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)因为其体积小、功耗低、无辐射等特点，在平板显示器市场占主导地位。常规的TFT-IXD阵列基板中，每个像素均由红绿蓝(RGB)三个亚像素构成，通过控制每个亚像素的灰度实现图像的动态显示，每个亚像素的像素电极的电压均由一个TFT器件控制，像素电极的电压大小决定了液晶分子的偏转幅度。目前，TFT-LCD阵列基板中的像素结构，大多采用底栅顶接触结构，如图1和2所示，由栅极11、绝缘层12、有源层图案13 以及源极14、漏极15构成TFT器件，TFT器件的沟道16为半环形。在实现技术实施例的过程中，专利技术人发现，在源极的边缘存在转角，转角处也刚好是沟道的边缘，尖锐的转角会使得电场线分布密集，电场梯度远大于沟道内正常水平， 造成此处形成较大电场梯度。这使得源极两端的一部分电场不经过有源层图案直接到达漏极，这部分不经过有源层图案直接到达漏极的电场起不到驱动沟道载流本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种液晶显示器的像素结构，包括基板和形成在所述基板上的ＴＦＴ器件，其特征在于，所述ＴＦＴ器件的沟道为闭合环形。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示器的像素结构，包括基板和形成在所述基板上的TFT器件，其特征在于，所述TFT器件的沟道为闭合环形。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述TFT器件包括栅极、形成于所述栅极上的有源层图案、形成于所述有源层图案上的环形源极以及与该环形源极同心的圆形漏极，所述有源层图案、环形源极以及圆形漏极相配合形成闭合环形沟道，所述源极、漏极以及沟道上形成有钝化层，像素电极通过钝化层上的过孔与所述TFT器件的漏极相连。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述栅极为圆形，所述有源层图案为圆形或环形。4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述栅极为环形，所述有源层图案为圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：史大为，郭建，王玲杰，沈奇雨，王德帅，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11