用于压印制程的模仁制造方法技术

一种用于压印制程的模仁制造方法，其包括以下步骤：提供一透光基底；提供一承载基底；在透光基底与承载基底之间设置负光阻层；利用直写技术经由透光基底对负光阻层曝光；移去承载基底；显影，形成模仁。该制造方法制程简单，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种用于紫外线成型压印制 程的模仁制造方法。
技术介绍
紫外线成型压印技术(请参见Liang Ying-xin， Wang Tai-hong， A New Technique for Fabrication of Nanodevices—Nanoimprint Lithography ， Micronanoelectronic Technology, 2003， Vol. 4-5)是采用紫外光照射室温的聚合物实现固化成型的一种压印技 术，特别适用于大批量、重复性、精确制备微结构。紫外线成型压印技术为先制造具有微结 构的模仁，然后利用该模仁进行压印过程，最后进行图形转移。现有技术中包括如下步骤提供一透光基底；在该透光基 底一表面涂覆光阻层；曝光显影；蚀刻该基板形成微结构图案；晶种层金属化；对该基板进 行电铸；脱模并去除晶种层，形成模仁。然而，这种制造方法中需要经过蚀刻、电铸、脱模等步骤才可以完成模仁的制造，制程 繁琐，生产效率低。
技术实现思路
有鉴于此，提供一种制程相对简单容易、生产效率高的用于压印制程的模仁制备方法实 为必要。一种，其包括以下步骤提供一透光基底；提供一承载基 底；在所述透光基底与所述承载基底之间设置负光阻层；利用直写技术经由所述透光基底对 所述负光阻层曝光；移去所述承载基底；显影，形成模仁。与现有技术相比，本专利技术的不需要经过蚀刻、电铸、脱模 等步骤即可以完成用于紫外线成型压印制程的模仁的制造，制程简单，提高了生产效率。附图说明图l是本专利技术实施例中的流程图。图2是本专利技术实施例中用于制造模仁的透光基底的示意图。图3是本专利技术实施例中用于制造模仁的承载基底的示意图。图4是设置负光阻层后，使得负光阻层位于透光基底与承载基底之间的示意图。图5是对图4中负光阻层曝光的示意图。图6是图5中移去承载基底、曝后烤、显影及硬烤后得到的模仁的示意图。 具体实施例方式请参阅图l，其为本专利技术实施例中的流程图。该方法包括 以下步骤提供一透光基底； 提供一承载基底；在所述透光基底与所述承载基底之间设置负光阻层； 利用直写技术经由所述透光基底对所述负光阻层曝光； 移去所述承载基底； 显影，形成模仁。以下将以制造微小镜片模仁3为例对本专利技术实施例中进行 详细说明。如图2所示，首先提供一透光基底31，该透光基底31为石英玻璃。该透光基底31具有相对的第一表面31a及第二表面31b。该第一表面31a及第二表面31b上 可以均无抗反射膜层，也可以至少一表面上形成有抗反射膜层。优选地，本实施例中，在第 一表面31a及第二表面31b上分别形成有第一抗反射膜层32a及第二抗反射膜层32b以增加透光 性。该第一抗反射膜层32a及第二抗反射膜层32b所用材料相同。该第一抗反射膜32a层所用 材料可为单一的高折射率材料，也可包括高折射率与低折射率材料。当该第一抗反射膜层 32a所用材料包括高折射率与低折射率材料时，该高折射率材料层与低折射率材料层交替更 叠形成于第一表面31a上。该高折射率材料常用氧化钽、氧化钛，该低折射率材料常用二氧 化硅、三氧化二铝。该第一抗反射膜层32a及第二抗反射膜层32b的形成方式也相同。第一抗 反射膜层32a可采用物理气相沉积法，如热蒸镀法、电浆溅镀法、离子束溅镀法；也可采用 化学气相沉积法及其它薄膜沉积法。其中，所形成的第一抗反射膜层32a及第二抗反射膜层 32b的厚度可根据实际所需而设计。如图3所示，提供一承载基底33，该承载基底33可通过塑料、石英玻璃、等透光材料制 得，也可通过金属(例如铁、铜等)等不透光材料制的，只要所制得的承载基底33可承载透 光基底31即可。本实施例中，该承载基底31也为石英玻璃。该承载基底33具有相对的第三表面33a及第四表面33b。该第三表面33a及第四表面33b上可以均无抗反射膜层，也可以至少一表面上形成有抗反射膜层。优选地，本实施例中，在第 三表面33a及第四表面33b上分别形成有第三抗反射膜层34a及第四抗反射膜层34b 。该第三抗反射膜层34a及第四抗反射膜层34b所用材料相同。该第三抗反射膜34a层所用 材料可为单一的高折射率材料，也可包括高折射率与低折射率材料。当该第三抗反射膜层 34a所用材料包括高折射率与低折射率材料时，该高折射率材料层与低折射率材料层交替更 叠形成于第三表面33a上。该高折射率材料常用氧化钽、氧化钛，该低折射率材料常用二氧 化硅、三氧化二铝。该第三抗反射膜层34a及第四抗反射膜层34b的形成方法也相同。第三抗 反射膜层34a的形成方式可采用物理气相沉积法，如热蒸镀法、电浆溅镀法、离子束溅镀法 ;也可采用化学气相沉积法及其它薄膜沉积法。其中，所形成的第三抗反射膜层34a及第四 抗反射膜层34b的厚度可根据实际所需而设计。可以理解，第一抗反射膜层32a、第二抗反射膜层32b、第三抗反射膜层34a及第四抗反 射膜层34b的材料及形成方法也可不同，不限于本实施例，只要所形成的膜具有抗反射作用 即可。请参阅图4，在第二抗反射膜层32b上设置一负光阻层35。负光阻层35的设置方法可以采 用旋涂方法，也可以采用喷涂方法。负光阻层35的厚度可根据实际所需而设计。设置负光阻层35后，使该负光阻层35位于透光基底31与承载基底33的第三抗反射膜34a 之间形成结构4。可以理解，该负光阻层35也可设置于第一抗反射膜层32a上，也可位于透光 基底31与承载基底33的第四抗反射膜34b之间，不限于本实施例，只要该负光阻层35位于透 光基底31与承载基底33之间既可。可以理解，也可以在第三抗反射膜层34a或第四抗反射膜层34b上设置负光阻层35，使该 光阻层35位于承载基底33与透光基底31的第一抗反射膜层32a或第二抗反射膜层32b之间，不 限于本实施例，只要该负光阻层35位于透光基底31与承载基底33之间既可。请参阅图5，利用直写技术经由透光基底31对负光阻层35曝光。该直写技术可为激光直 写技术，也可为电子束直写技术。该直写技术利用能量受调制的激光束或电子束对负光阻层 35曝光。曝光后，该负光阻层35具有一曝光区域351及多个未曝光区域352。本实施例中，采 用能量受调制的激光束对负光阻层35曝光。在曝光过程中，激光束相对于结构4移动，使得 能量受调制的光束经由透光基底31逐渐将曝光区域351曝光。而由于第三抗反射膜层34a及第 四抗反射膜层34b的存在，使得可能透过曝光区域351的光线透过承载基底33而不会被反射， 从而避免未曝光区域352被曝光。请参阅图6，曝光后移去承载基底33。为了使未曝光区域352更好地溶解于显影液中，将设置有负光阻层35的透光基底31曝后烤。曝后烤也可利用烤箱的热空气对流、红外线辐射或 热垫板的热传导来进行。本实施例中，采用热垫板的热传导来进行，其中，烘烤温度为 7(Tl00摄氏度，烘烤时间为4 8分钟。曝后烤后进行显影，得到曝光区域351。最后，为了使曝光区域351更好的粘着于透光基 底31、边缘平坦、减少缺陷空隙、耐腐蚀及将曝光区域351中溶剂的含量降到最低，将透光 基底31硬烤。硬烤也可利用烤箱的热空气对流、红外线辐射或热垫板的热传导来进行。本实 施例中，采用热垫板的热传导来进行硬烤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于压印制程的模仁制造方法，其包括以下步骤：　提供一透光基底；　提供一承载基底；　在所述透光基底与所述承载基底之间设置负光阻层；　利用直写技术经由所述透光基底对所述负光阻层曝光；　移去所述承载基底；　 显影，形成模仁。

【技术特征摘要】
权利要求1一种用于压印制程的模仁制造方法，其包括以下步骤提供一透光基底；提供一承载基底；在所述透光基底与所述承载基底之间设置负光阻层；利用直写技术经由所述透光基底对所述负光阻层曝光；移去所述承载基底；显影，形成模仁。2.如权利要求l所述的用于压印制程的模仁制造方法，其特征在于， 所述透光基底为石英玻璃。3.如权利要求l所述的用于压印制程的模仁制造方法，其特征在于， 所述承载基底为塑料或石英玻璃或铁或铜。4.如权利要求l所述的用于压印制程的模仁制造方法，其特征在于， 所述透光基底具有相对的第一表面及第二表面，在所述第一表面上形成第一抗反射膜层或在 所述第二表面上形成第二抗反射膜层。5.如权利要求4所述的用于压印制程的模仁制造方法，其特征在于， 在所述第一抗反射膜层或所述第二抗反射膜层上设置所述负光阻层。6.如权利要求l所述的用于压印制程的模仁制造方法，其特征在于， 所述承载基底具有相对的第三表面及第四表面，在所述第三表面上形成第三抗反射膜层或在 所述第四表面上形成第四抗反射膜层。7.如权利要求6所述的用于压印制程的模仁制造方法，其特征在于， 在所述第三抗反射膜层或所述第四抗反射膜层上设置所述负光阻层。8.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆世平，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]