负极基材制造技术

本发明专利技术利用与以往技术不同的构成，能够实现一种具有高输出电压及高能量密度、且充放电循环特性优异的电池。本发明专利技术使用以下负极基材来作为用于锂离子二次电池的负极基材：特征在于在具备有机膜的支撑体上形成金属膜的负极基材；特征在于所述有机膜的表层由金属氧化物膜被覆的所述负极基材；特征在于在具备由包含有机成分及无机成分的复合膜形成材料所形成的复合膜的支撑体上，形成金属膜的负极基材；或者特征在于在形成了光阻图案的支撑体上，形成由二氧化硅系被覆膜形成用涂布液所形成的二氧化硅系被覆膜，并在除去了所述光阻图案的支撑体上形成金属膜的负极基材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种负极基材，使用此负极基材的二次电池，用于形成此负极基材的光阻组合物、金属氧化物膜形成材料、复合膜形成材料，以及此负极基材的制造方法，特别是涉及一种可以提供充放电循环特性优异的电池的负极基材，使用此负极基材的二次电池，用于形成、制造此负极基材的光阻组合物、金属氧化物膜形成材料、复合膜形成材料，以及此负极基材的制造方法。
技术介绍
以往，对兼具高输出电压及高能量密度的电池的研究开发十分盛行。特别是寻求一种内部电阻较低、因充电/放电而引起的电池电容下降较少、充放电循环特性优异的二次电池。例如，已知有使用薄膜状非晶硅或微晶硅来作为负极材料(负极活物质)的锂二次电池(参看专利文献1)。具体而言，揭示了使用在集电体上形成包含硅薄膜的负极材料层的负极的锂二次电池，硅薄膜是使用CVD法(chemical vapor deposition method，也称为化学气相沉积法、化学蒸镀法)或溅射法等薄膜形成方法而形成。其中，一般认为硅等材料会随着吸藏/释放锂而反复地进行膨胀/收缩。在集电体上形成硅薄膜的负极中，由于集电体与负极材料层的粘附性较高，因此集电体随着负极材料的膨胀/收缩而频本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种负极基材，包括在支撑体上的复合膜，此复合膜是由包含有机成分及无机成分的复合膜形成材料所形成，其特征在于：金属膜形成在所述复合膜上。

【技术特征摘要】
2006.12.15 JP 2006-339252;2006.12.15 JP 2006-339251.一种负极基材，包括在支撑体上的复合膜，此复合膜是由包含有机成分及无机成分的复合膜形成材料所形成，其特征在于金属膜形成在所述复合膜上。2.根据权利要求1所述的负极基材，其特征在于所述复合膜具有感光性。3.根据权利要求1所述的负极基材，其特征在于所述复合膜是具有通过图案曝光而形成的规定形状的图案化复合膜。4.根据权利要求3所述的负极基材，其特征在于所述图案化复合膜的纵横比为0.1 以上。5.根据权利要求1所述的负极基材，其特征在于所述无机成分为玻璃粉末。6.根据权利要求1所述的负极基材，其特征在于所述有机成分至少含有(Al)水溶性纤维素衍生物、(Bi)光聚合性单体、及(Cl)光聚合引发剂。7.根据权利要求6所述的负极基...

【专利技术属性】
技术研发人员：三隅浩一，齐藤宏二，渡边充广，本间英夫，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，株式会社关东学院大学表面工学研究所，
类型：发明
国别省市：JP