钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构技术

本发明专利技术涉及一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构。在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。基体正面为N型前表面场，N型前表面场的正面为金字塔绒面结构，表面具有钝化N型前表面场的SiNx层，电池片正背面都有金属栅线。用浮动结钝化硼掺杂层，相对于用Al2O3钝化，无需产线改造，适合大规模工业化生产，经测试，效率达19％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构。
技术介绍
相对于P型单晶，N型单晶具有光照效率损失小、更耐金属杂质污染、少数载流子扩散长度长等特点。目前的高效电池都是在N型单晶的基底上完成的。为了实现N型单晶体材料的优势，有效的钝化方法是实现高效电池的关键。众所周知，普通N型层的钝化层(SiNx，Si(^)对P型层钝化效果并不明显。近些年，一些机构研究了其他针对P型层的钝化层，例如a-Si:H，A1203等。其中，用A1203钝化P型层的N型单晶电池效率已达23%。但是上述钝化方法工艺复杂，成本较高，并不适合大规模工业化生产。在这种形势下，研究一种适合大规模工业化生产的钝化P型层的方法显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种适合大规模工业化生产的钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法以及电池结构。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法，在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。形成浮动结的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种钝化Ｎ型硅太阳能电池的Ｐ型掺杂层的方法，其特征是：在Ｎ型直拉单晶硅基体背面的Ｐ型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。

【技术特征摘要】
1.一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法，其特征是在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。2.根据权利要求1所述的一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法，其特征是 形成浮动结的方法为，a)在P型发射结表面生成介质膜；b)选择性地刻蚀掉非金属栅线区的P型发射结表面的介质膜，形成扩散窗口；c)将介质膜作为掩膜，磷源扩散形成浮动结，扩散方阻为150-200ohm/sq。3.根据权利要求2所述的一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法，其特征是 具体工艺过程如下，a)硅片清洗，去除损伤层，表面为酸制绒或碱制绒；b)硼源扩散形成P型发射结，方阻为20-100ohm/sq；c)酸腐蚀液或腐蚀性浆料或激光刻蚀去除正面的P型发射结，形成单面P型发射结；d)HF酸去BSG硼硅玻璃；e)热氧化法或CVD法生成Si02介质膜，Si02介质膜的厚度为100-300nm；f)酸腐蚀液或腐蚀性浆料或激光刻蚀非发射极面的Si02介质膜；g)清洗；h)磷源扩散形成N型前表面场，方阻为50-200ohm/Sq；i)激光或腐蚀性浆料选择性刻蚀非金属栅线区的发射极面的Si02介...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈艳，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32