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本发明涉及一种钝化N型硅太阳能电池的P型掺杂层的方法及电池结构。在N型直拉单晶硅基体背面的P型发射结的非金属接触区的发射极通过磷扩散层形成浮动结，浮动结与背面金属栅线之间通过介质膜隔离，浮动结表面做钝化膜。基体正面为N型前表面场，N型前表面...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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