低热阻GBU整流全桥制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低热阻GBU整流全桥，其技术方案是该装置塑封后环氧管体散热面厚度减薄到0.7mm，所述塑封后环氧管体散热面厚度结构是整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度（H2）减去整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度（H1）。所述整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度（H2）是2.2mm,整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度是1.5mm（H1）。该装置改进了连接条尺寸和排布方向，是由结构组成连接条（DD1）、（DD2）、（DD3）、（DD4）的组成结构改变成结构组成连接条（D1）、（D2）、（D3）、（D4）的组成结构。提高连接条强度，增加焊接后产品强度，同样增加产品在塑封时抵抗热应力的能力。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种低热阻GBU整流全桥。
技术介绍
现有的GBU整流全桥的热阻较高，导致工作中产品的结温约为120 145°C (小电流产品的功耗相对低，大电流产品的功耗相对高)。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于针对上述存在的问题，提供一种低热阻GBU整流全桥，其技术方案是该装置塑封后环氧管体散热面厚度减薄到0. 7mm，所述塑封后环氧管体散热面厚度结构是整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度(H2)减去整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度(HI)。所述整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度(H2) 是2. 2mm，整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度是1. 5mm (HI )。该装置改进了连接条尺寸和排布方向，是由结构组成连接条(001)、(002)、(003)、(004)的组成结构改变成结构组成连接条(Dl)、(D2)、(D3)、(D4)的组成结构。1、调整整流全桥散热面厚度原设计厚度为1. 0 1. 2mm,更新设计到0. 6^0. 8mm ；塑封后环氧管体散热面厚度减薄到0. 7mm即H2-H1。改进了产品散热面厚度一最大程度的带走热量，使芯片工作温度减低，可靠性提尚ο2、更改内部框架结构，使环氧树脂在框架内的流动性更强，避免因减薄散热面可能导致的散热面气孔产生。改进了框架结构一消除悬臂设计，使产品内部形变更小，避免在塑封过程因框架受热应力作用变形而导致塑封气孔等问题；改进了连接条尺寸和排布方向一提高连接条强度，增加焊接后产品强度，同样增加产品在塑封时抵抗热应力的能力。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是采用低热阻设计，降低产品工作的结温，芯片的工作结温降低了，就能够使产品的稳定性提高。由于半导体产品采用掺杂扩散，温度高导致芯片中的掺杂具有更高的能态，从而使产品的反向漏电流高，高的漏电流形成更高的反向功耗，导致发热加剧，形成恶性循环而导致器件的损坏。因此，降低产品的工作结温是提高产品可靠性的有效措施。附图说明图1是本技术低热阻设计的结构尺寸图。图2是本技术采用IOA产品进行比较管体温度和芯片结温图。图3是本技术原结构图。图4是本技术改进结构图。图中标记H1为整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度，H2为整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度；DD1、DD2、DD3、DD4均为本技术原结构组成连接条， Dl、D2、D3、D4为本技术改进结构组成连接条。具体实施方式以下结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图2所示，数据表明，在管体温度和芯片结温上采用低热阻设计的产品比正常热阻的分别低15°C和20°C左右。如图3、4，改进了连接条尺寸和排布方向一提高连接条强度，增加焊接后产品强度，同样增加产品在塑封时抵抗热应力的能力。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种低热阻ＧＢＵ整流全桥，其特征在于：该装置塑封后环氧管体散热面厚度减薄到０．７ｍｍ，所述塑封后环氧管体散热面厚度结构是整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度（Ｈ２）减去整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度（Ｈ１）。

【技术特征摘要】
1.一种低热阻GBU整流全桥，其特征在于该装置塑封后环氧管体散热面厚度减薄到0.7mm,所述塑封后环氧管体散热面厚度结构是整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度(H2)减去整流全桥结构不含塑封后环氧管体...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱志述，
申请(专利权)人：乐山无线电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：51