一种低温共烧陶瓷材料及其原料与制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种不用熔制玻璃、制造成本低、收缩一致性好、非常适合LTCC流延工艺生产的低温共烧陶瓷材料及其原料与制备工艺。所述低温共烧陶瓷材料为30～55重量份的Al2O3、30～55重量份的粉末a与5～20重量份的粉末b的混合预烧体；所述粉末a为预烧体，其组分为：10～25重量份的CaO，1～4重量份的MgO，1～5重量份的Li2O，40～60重量份的SiO2，10～30重量份的B2O3；所述粉末b为预烧体，其组分为摩尔比为2∶1的ZnO与SiO2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子材料领域，尤其涉及一种低温共烧陶瓷材料及其原料与制备工艺。
技术介绍
低温共烧陶瓷(lowtemperature co-fired ceramics，简写 LTCC)是 1982 年休斯公司开发的新型材料技术，是将低温共烧结构陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带， 在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源组件(如低容值电容、电阻、滤波器、阻抗转换器、耦合器等)埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，内外电极可分别使用银、铜、金等金属，在900°C下烧结，制成三维空间互不干扰的高密度电路，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块，可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用于高频通讯用组件。当前使用的低温共烧陶瓷介质基板材料主要有以下两类1、陶瓷材料为基体，通过添加烧结助剂(抵熔点氧化物或者低熔点玻璃)，将陶瓷材料的烧结温度降低到900°C以下，对电学性能要求较高的低温烧结介质材料普遍是采用这种方式制备陶瓷材料，如叠层介质电容、叠层介质天线和叠层介质滤波器等；2、以玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料为３０～５５重量份的Ａｌ２Ｏ３、３０～５５重量份的粉末ａ与５～２０重量份的粉末ｂ的混合预烧体；所述粉末ａ为预烧体，其组分为：１０～２５重量份的ＣａＯ，１～４重量份的ＭｇＯ，１～５重量份的Ｌｉ２Ｏ，４０～６０重量份的ＳｉＯ２，１０～３０重量份的Ｂ２Ｏ３；所述粉末ｂ为预烧体，其组分为摩尔比为２∶１的ＺｎＯ与ＳｉＯ２。

【技术特征摘要】
1.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料为30 55重量份的 Al203、30 55重量份的粉末a与5 20重量份的粉末b的混合预烧体；所述粉末a为预烧体，其组分为 10 25重量份的CaO， 1 4重量份的MgO， 1 5重量份的Li2O, 40 60重量份的SiO2, 10 30重量份的化03 ；所述粉末b为预烧体，其组分为摩尔比为2 1的SiO与Si02。2.一种低温共烧陶瓷材料制备用原料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料制备用原料由30 55重量份的Al203、30 55重量份的粉末a与5 20重量份的粉末b混合而成；所述粉末a为预烧体，其组分为 10 25重量份的CaO， 1 4重量份的MgO， 1 5重量份的Li2O, 40 60重量份的SiO2, 10 30重量份的化03 ；所述粉末b为预烧体，其组分为摩尔比为2 1的SiO与Si02。3.—种低温共烧陶瓷材料制备用原料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料制备用原料为预烧体，其组分为10 25重量份的CaO， 1 4重量份的MgO， 1 5重量份的Li2O, 40 60重量份的SiO2, 10 30重量份的B2O3。4.一种低温共烧陶瓷材料制备用原料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料制备用原料为预烧体，其组分为摩尔比为2 1的SiO与Si02。5.一种低温共烧陶瓷材料制备用原料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤 步骤1 制备粉末a与粉末b粉末a的制备包括以下步骤al...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳亚辉，朱建华，丁晓鸿，李建辉，陈鲁国，李晶，许欢华，
申请(专利权)人：深圳振华富电子有限公司，
类型：发明
国别省市：94