液晶显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种液晶显示面板和其制造方法，在布设做为像素电极的透明电极层的同时，一并在作为移位寄存器的薄膜晶体管的上方布设透明电极层，所述透明电极层可屏蔽所述公共电压电极层的公共电压对所述薄膜晶体管的影响。因此薄膜晶体管Ｉ－Ｖ特性曲线不会因为公共电压电极层的公共电压而偏移，不仅可以减少工作时的功率耗损，提高薄膜晶体管的使用寿命，同时也可以避免电源芯片因过大的电流而故障，使得画面显示异常的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种，特别是指一种利用导电层直接 覆盖于非晶硅薄膜晶体管形成的移位寄存器上，以隔绝上玻璃基板的电压对非晶硅薄膜 晶体管的。
技术介绍
传统液晶显示器的液晶显示面板包含复数个像素(pixel)，而每一个像素包含三 个分别代表红绿蓝(RGB)三原色的像素单元构成。当栅极驱动器输出的扫描信号使得每 一列的像素单元的薄膜晶体管依序开启，同时源极驱动器则输出对应的数据信号至一整 列的像素单元使其充电到各自所需的电压，以显示不同的灰阶。栅极驱动器会一列接一 列地输出扫描信号以将每一列的像素单元的薄膜晶体管打开，再由源极驱动器对每一列 开启的像素单元进行充放电。如此依序下去，直到液晶显示面板的所有像素单元都充电 完成，再从第一列开始充电。在目前的液晶显示面板设计中，栅极驱动器包括移位寄存器(shift register)，其 目的即每隔一固定间隔输出扫描信号至液晶显示面板。然而，对于采用非晶硅薄膜制程 技术的栅极驱动器而言，移位寄存器可直接作在玻璃基板上。但是点亮液晶显示面板之 后，常常会因为I-V特性曲线飘移(shift)而造成液晶显示面板的表现发生异常。其中一 个原因在于移位寄存器的薄膜晶体管会因为受到上基板的玻璃基板的电压影响，使得薄 膜晶体管的开启电压(thresholdvoltage)发生偏移。这会影响薄膜晶体管的有效运作，连 带影响薄膜晶体管的使用寿命。而且i-v特性曲线偏移程度也容易使电路板上的电源芯 片因过大的电流而故障，使得画面显示异常。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种，利用导电层直接覆盖 于非晶硅薄膜晶体管形成的移位寄存器上，以隔绝上玻璃基板的电压对非晶硅薄膜晶体管的影响。依据本专利技术的实施例，一种液晶显示面板具有一显示区和一非显示区，该液晶 显示面板另包含一玻璃基板、多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管、一钝化层、 一第一透明电极层及一第二透明电极层。所述多个第一薄膜晶体管位于所述玻璃基板对 应的所述非显示区上，其包含栅极、位于所述栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的半导体 层，以及位于所述半导体层及所述绝缘层上的源极和漏极。所述多个第二薄膜晶体管位 于所述玻璃基板对应的所述显示区上，其包含栅极、位于所述栅极上的绝缘层、位于绝 缘层上的半导体层，以及位于所述半导体层及所述绝缘层上的源极和漏极。所述钝化层 位于所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极上。所述第 一透明电极层，隔着所述钝化层位于所述第一薄膜晶体管之上。所述第二透明电极层， 透过所述钝化层开设的连接孔电性连接所述第二薄膜晶体管的漏极或源极。根据本专利技术的实施例，所述第一薄膜晶体管具有至少一连接孔，形成于所述绝 缘层对应于所述第一薄膜晶体管的源极或漏极的下方，所述第一薄膜晶体管的源极或漏 极透过所述连接孔连接另一第一薄膜晶体管的栅极或源极或漏极。根据本专利技术的实施例，所述第一薄膜晶体管具有至少一连接孔，形成于所述绝 缘层对应于所述第一薄膜晶体管的源极或漏极的下方，所述液晶显示面板另包含至少一 信号层，形成于所述连接孔的下方，所述第一薄膜晶体管的源极或漏极透过所述连接孔 和所述信号层连接另一第一薄膜晶体管的栅极或源极或漏极。依据本专利技术的实施例，其提供一种液晶显示面板的制造方法，所述液晶显示面 板包括一显示区和一非显示区，其包括下列步骤提供一玻璃基板；形成一第一金属层 于所述玻璃基板上，其特征在于所述方法另包含在所述第一金属层形成用于所述非 显示区的多个第一薄膜晶体管的栅极及用于所述显示区的多个第二薄膜晶体管的栅极； 在所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管栅极上形成绝缘层；形成一半导体 层于该绝缘层上；形成所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极 和漏极于所述半导体层及所述绝缘层上；形成一钝化层在所述第一薄膜晶体管的源极和 漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极上；及形成一透明导电层在所述钝化层上并利 用一光罩蚀刻所述透明导电层以形成第一透明电极层和第二透明电极层，所述第二透明 电极层与所述第二薄膜晶体管的漏极或源极电性连接，所述第一透明电极层隔着所述钝 化层位于所述第一薄膜晶体管之上。相较于先前技术，本专利技术的液晶显示面板和其制造方法在作为移位寄存器的第 一薄膜晶体管的上方布设第一透明电极层，第一透明电极层可屏蔽所述公共电压电极层 的公共电压对所述第一薄膜晶体管的影响。因此薄膜晶体管I-V特性曲线不会因为公共 电压电极层的公共电压而偏移，不仅可以减少工作时的功率耗损，提高薄膜晶体管的使 用寿命，同时也可以避免电源芯片因过大的电流而故障，使得画面显示异常的问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图 式，作详细说明如下附图说明图1是本专利技术移位寄存器的电路图。图2至图7绘示为依照本专利技术的第一实施例的液晶显示面板的制程示意图。图8是本专利技术第一实施例的液晶显示面板的结构图。图9至图13绘示为依照本专利技术的第二实施例的液晶显示面板的制程示意图。图14是本专利技术第二实施例的液晶显示面板的结构图。具体实施例方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施之特定实 施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」、「水平」、「垂直」等，仅是参考附加图式的方向。因此， 使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参阅图1至图8，图1是本专利技术移位寄存器50的电路图。图1所绘示的移位寄存器50仅是做为本实施例说明，并非用以限制本专利技术，其它移位寄存器应用本专利技术的 架构者，亦属于本专利技术的范畴。图2至图7绘示为依照本专利技术的第一实施例的液晶显示 面板10的制程示意图，图8是本专利技术液晶显示面板10的结构图。本专利技术的液晶显示面 板10包含显示区和非显示区。显示区包含多个作为像素电极切换开关之用的薄膜晶体管 200。非显示区则包含移位寄存器50，用来每隔一时段输出一扫描信号。移位寄存器50 是由数个薄膜晶体管组成，其中薄膜晶体管100的源极是连接到薄膜晶体管300的栅极， 或者是将一薄膜晶体管的栅极连接到另一薄膜晶体管的漏极(图未示)。在本实施中可以 将移位寄存器50的薄膜晶体管100和显示区负责开关的薄膜晶体管200 —块作在玻璃基 板202上。同时一并将薄膜晶体管100的源极直接连接到薄膜晶体管300的栅极(或者是 将薄膜晶体管的漏极100连接到另一薄膜晶体管的栅极)而不需透过透明导电层(ITO)。 以下将说明其制造程序。如图2所示，首先提供一个玻璃基板202当作下基板，接着进行一金属薄膜沉积 制程，以于玻璃基板202表面形成一层第一金属层(未显示)，并利用一第一光罩来进行 第一微影蚀刻(Photo Etching Process, PEP)，以蚀刻得到栅极111和栅极211、储存电容 之下电极311、信号层212、213。该信号层212、213是用于传导电信号的媒介，该信号 层212、213也可以是另一第一薄膜晶体管的栅级。接着如图3所示，接着沉积一栅极绝缘层210而覆盖栅极111、栅极211、下电 极311与信号层212、213。在栅极绝缘层210上连续沉积非晶硅(a-Si)层，利用第二光 罩来进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括一显示区和一非显示区，其特征在于：所述液晶显示面板另包含：一玻璃基板；多个第一薄膜晶体管，位于所述玻璃基板对应的所述非显示区上，其包含栅极、位于所述栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的半导体层，以及位于所述半导体层及所述绝缘层上的源极和漏极；多个第二薄膜晶体管，位于所述玻璃基板对应的所述显示区上，其包含栅极、位于所述栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的半导体层，以及位于所述半导体层及所述绝缘层上的源极和漏极；一钝化层，位于所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极上；一第一透明电极层，隔着所述钝化层位于所述第一薄膜晶体管之上；及一第二透明电极层，透过所述钝化层开设的连接孔电性连接所述第二薄膜晶体管的漏极或源极。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括一显示区和一非显示区，其特征在 于所述液晶显示面板另包含一玻璃基板；多个第一薄膜晶体管，位于所述玻璃基板对应的所述非显示区上，其包含栅极、位 于所述栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的半导体层，以及位于所述半导体层及所述绝缘 层上的源极和漏极；多个第二薄膜晶体管，位于所述玻璃基板对应的所述显示区上，其包含栅极、位于 所述栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的半导体层，以及位于所述半导体层及所述绝缘层 上的源极和漏极；一钝化层，位于所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和 漏极上；一第一透明电极层，隔着所述钝化层位于所述第一薄膜晶体管之上；及一第二透明电极层，透过所述钝化层开设的连接孔电性连接所述第二薄膜晶体管的 漏极或源极。2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于所述第一薄膜晶体管具有至 少一连接孔，形成于所述绝缘层对应于所述第一薄膜晶体管的源极或漏极的下方，所述 第一薄膜晶体管的源极或漏极透过所述连接孔连接另一第一薄膜晶体管的栅极或源极或 漏极。3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于所述第一薄膜晶体管具有 至少一连接孔，形成于所述绝缘层对应于所述第一薄膜晶体管的源极或漏极的下方，所 述液晶显示面板另包含至少一信号层，形成于所述连接孔的下方，所述第一薄膜晶体管 的源极或漏极透过所述连接孔和所述信号层连接另一第一薄膜晶体管的栅极或源极或漏 极。4.一种液晶显示面板的制造方法，所述液晶显示面板包括一显示区和一非显示区， 其包括下列步骤提供一玻璃基板；形成一第一金属层于所述玻璃基板上，其特征在 于所述方法另包含在所述第一金属层形成用于所述非显示区的多个第一薄膜晶体管的栅极及用于所述 显示区的多个第二薄膜晶体管的栅极；在所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管栅极上形成绝缘层；形成一半导体层于该绝缘层上；形成所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极于所述 半导体层及所述绝缘层上；形成一钝化层在所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和 漏极上；及形成一透明导电层在所述钝化层上并利用一光罩蚀刻所述透明导电层以形成第一透 明电极层和第二透明电极层，所述第二透明电极层与所述第二薄膜晶体管的漏极或源极 电性连接，所述第一透明电极层隔着所述钝化层位于所述第一薄膜晶体管之上。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林师勤，贺成明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]