一种用于硅片镀膜的承载装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于硅片镀膜的承载装置，包括石墨碳板，石墨碳板上设有至少１个承载位，所述承载位向内凹陷形成承载槽，承载槽的大小与硅片配合，承载槽的深度为０．３～０．７ｍｍ。本实用新型专利技术用于硅片镀膜工艺，无需使用定位销，不仅减少了定位销这部分的成本，而且大大方便了操作，提高了工作效率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及在太阳能电池生产过程中使用的一种辅助工具，具体涉及一种用 于硅片镀膜的承载装置。
技术介绍
目前，常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会问 题，发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。现有的制造晶体硅太阳电池的制造流程 为表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。其 中，镀膜工序是指将硅片装在承载装置(如石墨载板)上，再放入镀膜设备进行镀膜的工 艺，例如采用常用的PECVD工艺。现有的用于硅片镀膜的承载装置一般都是一块石墨碳板，其上设有一排或多排放 硅片的承载位，承载位四周设有定位孔；将硅片放到承载位之后，在定位孔内插入定位销， 以避免硅片在腔内运行时发生移位，然后再进行镀膜，定位销是为了防止硅片因移位而发 生镀膜异常现象。然而，由于石墨碳板需要定期清洗，清洗前需要人工将定位销全部拨出，而定位销 在插拨过程中易发生断裂，这造成了定位销需经常更换，不仅增加了制造成本，而且操作麻 烦，工作效率较低。
技术实现思路
本技术目的是提供一种用于硅片镀膜的承载装置。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是一种用于硅片镀膜的承载装置， 包括石墨碳板，石墨碳板上设有至少1个承载位，所述承载位向内凹陷形成承载槽，承载槽 的大小与硅片配合，承载槽的深度为0. 3 0. 7mm。上文中，所述石墨碳板上一般设有一排或多排用于放置硅片的承载位，本实用新 型是在各个承载位均设置承载槽。承载槽的大小与硅片配合，以便将硅片顺利的放入其中， 并能顺利取出。优选的技术方案，所述承载槽的深度为0. 5mm。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有的优点是1、本技术在石墨碳板的各个承载位设置了与硅片配合的承载槽，因而硅片可 以放置于承载槽内，因而无需使用定位销，不仅减少了定位销这部分的成本，而且大大方便 了操作，提高了工作效率。2、硅片可以直接放入本技术的承载槽内，避免了工艺点的产生，太阳能电池 片外观得到了改善，并能提升太阳能电池的转换效率。3、本技术结构简单，便于制备，适于推广应用。附图说明图1是本技术实施例一的结构示意图；图2是图1的A-A剖视图；图3是图2的B部放大图。其中1、石墨碳板；2、承载槽。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步描述实施例一参见图1 3所示，一种用于硅片镀膜的承载装置，包括石墨碳板1，石墨碳板上设 有多个承载位，所述承载位向内凹陷形成承载槽2，承载槽的大小与硅片配合，承载槽的深 度为0. 5mmο上文中，所述石墨碳板上一般设有多排用于放置硅片的承载位，本技术是在 各个承载位均设置承载槽。承载槽呈方形，其大小与硅片配合，以便将硅片顺利的放入其 中，并能顺利取出。权利要求1.一种用于硅片镀膜的承载装置，包括石墨碳板(1)，石墨碳板上设有至少1个承载 位，其特征在于所述承载位向内凹陷形成承载槽(2)，承载槽的大小与硅片配合，承载槽 的深度为0. 3 0. 7mm。2.根据权利要求1所述的用于硅片镀膜的承载装置，其特征在于所述承载槽的深度 为 0. 5mmο专利摘要本技术公开了一种用于硅片镀膜的承载装置，包括石墨碳板，石墨碳板上设有至少1个承载位，所述承载位向内凹陷形成承载槽，承载槽的大小与硅片配合，承载槽的深度为0.3～0.7mm。本技术用于硅片镀膜工艺，无需使用定位销，不仅减少了定位销这部分的成本，而且大大方便了操作，提高了工作效率。文档编号H01L31/18GK201788990SQ20102026729公开日2011年4月6日 申请日期2010年7月22日 优先权日2010年7月22日专利技术者刘东续, 张春华, 章灵军, 顾孝明 申请人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司, 阿特斯(中国)投资有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硅片镀膜的承载装置，包括石墨碳板（１），石墨碳板上设有至少１个承载位，其特征在于：所述承载位向内凹陷形成承载槽（２），承载槽的大小与硅片配合，承载槽的深度为０．３～０．７ｍｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾孝明，张春华，刘东续，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]