一种场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供一种场效应晶体管，该晶体管表面设有第一介质层和第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一介质层上，所述第一介质层和所述第二介质层的材料的介电常数不同，所述第二介质层的材料为低介电常数的材料。本实用新型专利技术一种场效应晶体管在第一介质层上设置低介电常数的第二介质层，第一层介质层为了钝化材料表面态和缺陷，第二层介质层为了降低强场下的空气电离效应，低介电常数的第二介质层可以大大降低器件的寄生电容，提高器件的截止频率。第一介质层和第二介质层也可以辅助形成场板结构，场板结构有利于进一步减低电场，减低电流崩塌效应。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种场效应晶体管。
技术介绍
第三代半导体氮化镓(GaN)的介质击穿电场远远高于第一代半导体硅(Si)或第 二代半导体砷化镓(GaAs)，高达3MV/cm，使其电子器件能承受很高的电压。同时，氮化镓可 以与其他镓类化合物半导体(III族氮化物半导体)形成异质结结构。由于III族氮化物 半导体具有强烈的自发极化和压电极化效应，在异质结的界面附近，可以形成很高电子浓 度的二维电子气ODEG)沟道。这种异质结结构也有效的降低了电离杂质散射，因此沟道内 的电子迁移率大大提升。在此异质结基础上制成的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)能 在高频率导通高电流，并具有很低的导通电阻。这些特性使氮化镓HEMT特别适用于制造高 频的大功率射频器件和高耐压大电流的开关器件。由于二维电子气沟道内的电子有很高的迁移率，所以氮化镓HEMT相对于硅器件 而言，开关速率大大提高。同时高浓度的二维电子气也使得氮化镓HEMT具有较高的电流密 度，适用于大电流功率器件的需要。另外，氮化镓是宽禁带半导体，能工作在较高的温度。 硅器件在大功率工作环境下往往需要额外的降温器件来确保其正常工作，而氮化镓无须这 样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其特征在于：该晶体管表面设有第一介质层（８）和第二介质层（９），所述第二介质层（９）设置于所述第一介质层（８）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范爱民，
申请(专利权)人：西安能讯微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]