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一种场效应晶体管制造技术
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文档序号:6361805
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本实用新型提供一种场效应晶体管,该晶体管表面设有第一介质层和第二介质层,所述第二介质层设置于所述第一介质层上,所述第一介质层和所述第二介质层的材料的介电常数不同,所述第二介质层的材料为低介电常数的材料。本实用新型一种场效应晶体管在第一介质层...
该专利属于西安能讯微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安能讯微电子有限公司授权不得商用。
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