带浮置埋层的碳化硅高压Ｐ型金属氧化物半导体管制造技术

一种带浮置埋层的碳化硅高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括Ｎ型碳化硅衬底，在Ｎ型碳化硅衬底上设Ｎ型外延层，在Ｎ型外延层内设源和Ｐ型漂移区，在Ｐ型漂移区内设有漏和Ｎ型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与Ｐ型漂移区之间的Ｎ型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在Ｎ型保护环的表面、漏的表面以及Ｎ型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在Ｎ型碳化硅衬底与Ｎ型外延层之间设Ｐ型浮置埋层，且所述Ｐ型浮置埋层位于Ｎ型碳化硅衬底与Ｎ型外延层交界面上。其制备方法是选择Ｎ型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备Ｐ型浮置埋层，再进行其它常规操作。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种碳化硅金属氧化物半导体管，尤其是碳化硅高压金属氧化物半 导体管。二
技术介绍
金属氧化物半导体型功率集成器件具有开关特性好、功耗小等优点，更为重要的 是金属氧化物半导体型功率器件易于兼容标准低压金属氧化物半导体工艺，降低芯片的生 产成本。在MOS型功率集成器件的研究中以横向双扩散、偏置栅等结构较多。其中横向金 属氧化物半导体场效应管具有良好的短沟道特性和负的迁移率温度系数，而且通过RESURF 技术可以得到很高的击穿电压。因此其应用广泛特别适用于CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地 面电视等需要宽频率范围、高线性度和使用寿命要求高的应用。目前，碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，其击穿电场强度高、热稳定性好，还具 有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温、高频大功率器件， 应用于硅器件难以胜任的场合。碳化硅功率MOS器件具有很高的临界电场，在阻断电压保 持不变的条件下，可以采用更薄的重掺杂漂移区，因此碳化硅金属氧化物半导体管的开态 导通电阻比硅基金属氧化物半导体管大大减小。碳化硅晶体生长技术和器件制造技术正在 进一步完善，今后几年内各种碳化硅电力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带浮置埋层的碳化硅高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括：Ｎ型碳化硅衬底（１），在Ｎ型碳化硅衬底（１）上设有Ｎ型外延层（２），在Ｎ型外延层（２）内设有源（４）和Ｐ型漂移区（３），在Ｐ型漂移区（３）内设有漏（５）和Ｎ型保护环（７），在源（４）上设有源的金属引线（１２），在漏（５）上设有漏的金属引线（１１），在源（４）与Ｐ型漂移区（３）之间的Ｎ型外延层（２）的上方设有栅氧化层（６）且与源的金属引线（１２）邻接，在Ｎ型保护环（７）的表面、漏（５）的金属引线（１１）以外的表面、Ｐ型漂移区（３）的漏（５）和Ｎ型保护环（７）以外的表面以及Ｎ型外延层（２）的源的金属引线（１２）和栅氧化层（６）以外的表面设有场...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱钦松，庄华龙，孙伟锋，潘晓芳，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]