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一种带浮置埋层的碳化硅高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括Ｎ型碳化硅衬底，在Ｎ型碳化硅衬底上设Ｎ型外延层，在Ｎ型外延层内设源和Ｐ型漂移区，在Ｐ型漂移区内设有漏和Ｎ型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与Ｐ型漂移区之间的Ｎ型...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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