一种具有改善型集电极结构的ＩＧＢＴ制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有改善型集电极结构的ＩＧＢＴ。其包括半导体基板；半导体基板的第二主面上设置第二导电类型集电区及金属化集电极；半导体基板内设有第二导电类型基区；第二导电类型基区的上部设有第一导电类型发射区；半导体基板的第一主面上还设有绝缘栅、绝缘介质层与金属化发射极；第二导电类型集电区包括一个或多个具有第一掺杂浓度的第一区域和一个或多个具有第二掺杂浓度的第二区域，第一区域包围多个第二区域或第一区域与第二区域交替邻接设置；第一区域的第一掺杂浓度小于第二区域的第二掺杂浓度，且第一区域的第一掺杂浓度大于第一导电类型半导体基板的掺杂浓度。本实用新型专利技术通态压降低，具有较低的关断损耗及较高的耐冲击性能。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率半导体器件，尤其是一种具有改善型集电极结构的 IGBT。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)于二十世纪 八十年代被提出和迅速推广，现已广泛应用于中高压大电流领域，并同MOSFET (金属-氧 化物_半导体场效应晶体管)将功率电子技术推向了高频时代，对比其它种类的功率半导 体，如双极型晶体管、MOSFET ；所述绝缘栅双极型晶体管能够以更低的功率损耗处理更高的 功率，并且能够工作于高频的电路当中，是IGBT最为突出的特点和优势。目前，已经被广泛 生产和使用的IGBT种类包括有穿通型IGBT (PT-IGBT)、非穿通型IGBT (NPT-IGBT)、场截止 型IGBT (FS-IGBT)，上述种类的IGBT都为既能降低功率损耗、又能提高工作频率的初衷和 目标被设计和发展。IGBT的功率损耗主要包括通态损耗和开关损耗。导通状态时器件的电 压降(简称通态压降)越低，通态损耗越低；器件开关时间越短、关断时的拖尾电流越小，开 关损耗越低。除了功率损耗以外，IGBT的抗冲击能力也是评价器件性能的另一重要特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有改善型集电极结构的ＩＧＢＴ，在所述半导体ＩＧＢＴ器件的截面上，包括具有两个相对主面的第一导电类型的半导体基板，半导体基板包括第一主面与第二主面；所述半导体基板的第二主面上设置第二导电类型集电区，所述第二导电类型集电区上淀积有金属化集电极；所述半导体基板内设有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区邻近第一主面，且与第一主面相接触；所述第二导电类型基区的上部设有第一导电类型发射区；所述半导体基板的第一主面上还设有绝缘栅、绝缘介质层与金属化发射极；所述绝缘栅与第一导电类型发射区相接触，所述绝缘栅与金属化发射极利用绝缘介质层相隔离；所述金属化发射极淀积在第一主面上，并与第一导电类型发射区、第二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，叶鹏，胡永刚，
申请(专利权)人：无锡新洁能功率半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]