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本实用新型涉及一种具有改善型集电极结构的ＩＧＢＴ。其包括半导体基板；半导体基板的第二主面上设置第二导电类型集电区及金属化集电极；半导体基板内设有第二导电类型基区；第二导电类型基区的上部设有第一导电类型发射区；半导体基板的第一主面上还设有绝缘...
该专利属于无锡新洁能功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能功率半导体有限公司授权不得商用。

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