【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种磁流变阻尼器，具体涉及到一种带环形气囊的单出杆磁流变阻尼器。
技术介绍
目前的活塞式磁流变阻尼器主要分为单出杆磁流变阻尼器和双出杆磁流变阻尼器；双出杆磁流变阻尼器是在活塞的两端对称安装有两根相同直径的活塞杆，当活塞在缸内移动时，一根活塞杆在进入工作缸内的同时另一根活塞杆则退出工作缸，因此工作缸内的容积保持不变；单出杆磁流变阻尼器因只在活塞的一端安装有活塞杆，所以当活塞在缸内移动时，将会因活塞杆进出工作缸而引起工作缸内的容积变化，为使单出杆磁流变阻尼器能正常工作而必须对活塞杆在进出工作缸时引起工作缸内容积的变化进行补偿，目前的单出杆磁流变阻尼器通常采用在工作缸内设置气囊来补偿工作缸内容积发生的变化，如：中国专利022231250和中国专利200510060298.6，均是在工作缸内的底部设置气囊对工作缸内的容积变化进行补偿；这种在工作缸内设置气囊的办法尽管能补偿活塞杆在进出工作缸时引起工作缸内容积的变化，但是，由于补偿气囊设置在工作缸的底部，占用了工作缸内的长度空间，使活塞运行的有效行程变短。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的不足，本技术提出了一种带...
【技术保护点】
一种带环形气囊的单出杆磁流变阻尼器，其特征在于，所述带环形气囊的单出杆磁流变阻尼器的工作缸为内外两层结构，在工作缸内外层之间的环形空腔内安装有环形气囊，在环形气囊内充入一定压力的气体，在环形空腔上设有供磁流变液流通的孔。
【技术特征摘要】
1.一种带环形气囊的单出杆磁流变阻尼器，其特征在于，所述带环形气囊的单出杆磁流变阻尼器的工作缸为内外两层结构，在...
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