【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于显示设备的阵列基板，更具体地，涉及用于包括具有优良特性的薄膜晶体管的显示设备的阵列基板。
技术介绍
本申请要求2009年11月11日提交的韩国专利申请No.2009-0108550的优先权，此处以引证的方式并入其内容。随着社会正式进入信息时代，将各种电信号表现为视觉图像的显示设备领域发展迅速。特别是，作为具有重量轻、外形薄和功耗低的特点的平板显示设备的液晶显示(LCD)设备或OELD设备被开发以用作阴极射线管式显示设备的替代品。由于包括薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的LCD设备(被称为有源矩阵LCD(AM-LCD)设备)具有高分辨率和显示运动图像的优良特性，所以AM-LCD设备得到了广泛的使用。另一方面，由于OELD设备具有高亮度、低功耗和高对比度的优良特性，所以OELD设备已被广泛使用。此外，OELD设备具有高响应速度、低生产成本等优点。LCD设备和OELD设备都需要包括薄膜晶体管(TFT)作为用于控制各像素区域的通断的开关元件的阵列基板。此外，OELD设备需要另一TFT作为用于驱动各像素区域中的有机电致发光二极管的驱动元件。图1是用于OE...
【技术保护点】
一种用于显示设备的阵列基板，该阵列基板包括：基板，其具有像素区域，该像素区域包括开关区域、驱动区域和存储区域；位于所述基板上方的选通线、数据线和电源线，所述选通线和数据线彼此交叉以限定所述像素区域；位于所述基板上并且位于所述开关区域中的开关薄膜晶体管ＴＦＴ，所述开关ＴＦＴ连接到所述选通线和所述数据线并且包括第一开关栅极、位于所述第一开关栅极上的开关栅绝缘层、位于所述开关栅绝缘层上的本征多晶硅的开关有源层、与所述开关有源层接触的第一开关欧姆接触层和第二开关欧姆接触层、位于所述第一开关欧姆接触层上的开关源极、以及位于所述第二开关欧姆接触层上的开关漏极；位于所述基板上并且位于所述...
【技术特征摘要】
KR 2009-11-11 10-2009-01085501.一种用于显示设备的阵列基板，该阵列基板包括：基板，其具有像素区域，该像素区域包括开关区域、驱动区域和存储区域；位于所述基板上方的选通线、数据线和电源线，所述选通线和数据线彼此交叉以限定所述像素区域；位于所述基板上并且位于所述开关区域中的开关薄膜晶体管TFT，所述开关TFT连接到所述选通线和所述数据线并且包括第一开关栅极、位于所述第一开关栅极上的开关栅绝缘层、位于所述开关栅绝缘层上的本征多晶硅的开关有源层、与所述开关有源层接触的第一开关欧姆接触层和第二开关欧姆接触层、位于所述第一开关欧姆接触层上的开关源极、以及位于所述第二开关欧姆接触层上的开关漏极；位于所述基板上并且位于所述驱动区域中的驱动TFT，所述驱动TFT连接到所述开关TFT和所述电源线并且包括第一驱动栅极、位于所述第一驱动栅极上的驱动栅绝缘层、位于所述驱动栅绝缘层上的本征多晶硅的驱动有源层、与所述驱动有源层接触的第一驱动欧姆接触层和第二驱动欧姆接触层、位于所述第一驱动欧姆接触层上的驱动源极、以及位于所述第二驱动欧姆接触层上的驱动漏极；以及像素电极，其连接到所述驱动漏极并设置在所述像素区域中，其中所述开关TFT还包括位于所述开关有源层上方的第二开关栅极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述驱动TFT还包括位于所述驱动有源层上方的第二驱动栅极。3.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述基板的表面上的层间绝缘层，该表面包括形成在该表面上的所述开关有源层和所述驱动有源层，并且所述层间绝缘层包括第一至第四有源接触孔，所述第一至第四有源接触孔分别露出所述开关有源层的两侧和所述驱动有源层的两侧，其中所述第一开关欧姆接触层和所述第二开关欧姆接触层分别通过所述第一有源接触孔和所述第二有源接触孔接触所述开关有源层，并且所述第一驱动欧姆接触层和所述第二驱动欧姆接触层分别通过所述第三有源接触孔和所述第四有源接触孔接触所述驱动有源层。4.根据权利要求3所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述层间绝缘层的表面上的第一钝化层，该表面包括形成在该表面上的所述开关源极、所述开关漏极、所述驱动源极和所述驱动漏极，其中，所述第一钝化层、所述层间绝缘层和所述开关栅绝缘层包括使所述开关TFT的所述第一开关栅极露出的第一栅接触孔，并且所述选通线设置在所述第一钝化层上并通过所述第一栅接触孔接触所述开关TFT的所述第一开关栅极。5.根据权利要求4所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述第一钝化层的表面上的第二钝化层，该表面包括形成在该表面上的选通线，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层包括露出所述驱动漏极的第一漏接触孔，并且所述像素电极设置在所述第二钝化层上并通过所述第一漏接触孔接触所述驱动漏极。6.根据权利要求5所述的阵列基板，该阵列基板还包括：位于所述第一钝化层上的栅极辅助图案；以及位于所述第二钝化层上的连接电极，其中，所述第一钝化层和所述驱动栅绝缘层还包括露出所述驱动TFT的所述第一驱动栅极的第二栅接触孔，所述第一钝化层和所述第二钝化层还包括露出所述开关漏极的第二漏接触孔，并且所述第二钝化层还包括露出所述栅极辅助图案的辅助图案接触孔，并且其中，所述栅极辅助图案通过所述第二栅接触孔接触所述驱动TFT的所述第一驱动栅极，并且所述连接图案分别通过所述第二漏接触孔和所述辅助图案接触孔接触所述开关漏极和所述栅极辅助图案。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述开关TFT的所述第一开关栅极和所述驱动TFT的所述第一驱动栅极中的各栅极包括掺杂多晶硅并且厚度为约500至约10008.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述开关TFT的所述第一开关栅极和所述驱动TFT的所述第一驱动栅极中的各栅极包括熔点在约800℃以上的金属材料，并且厚度为约100至约10009.根据权利要求8所述的阵列基板，其中所述金属材料包括钛(Ti)、钨(Tw)、包含钼-钛合金(MoTi)在内的钼合金、钼(Mo)、钽(Ta)、铜(Cu)、铜合金、以及上述材料的组合中的一种。10.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述电源线包括平行于所述数据线的第一子电源线和平行于所述选通线并连接到所述第一子电源线的第二子电源线，并且其中，所述驱动源极从所述第一子电源线延伸。11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二开关栅极与所述开关源极、所述开关漏极以及所述开关源极与所述开关漏极之间的空间交叠。12.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述第二驱动栅极与所述驱动源极、所述驱动漏极以及所述驱动源极与所述驱动漏极之间的空间交叠。13.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二开关栅极仅与所述开关源极和所述开关漏极之间的空间交...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔熙东，崔惠英，梁斗锡，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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