用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

Method for manufacturing semiconductor device

The object of the present invention is to establish a processing technique for manufacturing semiconductor devices using oxide semiconductors. A gate electrode is formed on the substrate, forming a gate insulating layer on the gate electrode above the layer over the oxide semiconductor layer is formed on the gate insulating oxide by wet etching, semiconductor layer to form an island like semiconductor layer oxide, a conductive layer is formed to cover the island like semiconductor layer oxide, through the first dry etching processing to form a source electrode and a conductive layer the drain electrode, and second through the dry etching to remove Island oxide semiconductor layer is a part of, or by dry etching the conductive layer to form a source electrode and a drain electrode, and through the dry etching to remove the oxide semiconductor layer of the island part of the concave part is formed on the semiconductor layer in the oxide island.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造使用了氧化物半导体的半导体器件的方法。
技术介绍
近年来，用于使用氧化物半导体来形成薄膜晶体管(也称为TFT)并将薄膜晶体管 应用于电子设备等的技术备受关注。例如，专利文献1和专利文献2公开了用于使用氧化 锌或h-Ga-ai-Ο类的氧化物半导体作为氧化物半导体膜来形成图像显示装置等的开关元 件的技术。蚀刻处理是用于加工氧化物半导体的典型技术(见专利文献3和专利文献4)，但 是存在问题。例如，湿法蚀刻不适合于元件的小型化，因为湿法蚀刻是各向同性蚀亥ij。另外， 因为在湿法蚀刻中使用化学溶液，所以在可控性上存在不足。另一方面，干法蚀刻具有小型 化和可控性的优点；然而，其缺点在于蚀刻速率慢，使得要花很多时间进行处理。另外，取决 于所用装置，有可能在要蚀刻的表面中发生偏差(variation)。日本特开2007-123861。日本特开2007-96055。日本特开2008-41695。日本特开2008-42067。
技术实现思路
如此，已经存在一些用于加工氧化物半导体的技术。然而，尚未建立满足使用氧化 物半导体制造半导体器件所需的条件的加工技术。另外，稀有金属诸如铟被用本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：形成半导体层，所述半导体层包括氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟；通过湿法蚀刻加工所述半导体层以形成岛状半导体层；以及通过干法蚀刻加工所述岛状半导体层以在所述岛状半导体层中形成凹陷部分。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：须泽英臣，笹川慎也，村冈大河，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP