A memory block management method for flash memory device, which comprises the following steps: setting the error bit number threshold, the error correction ability of ECC maximum number of bits is smaller than the flash device; compare the current number of error bits of memory blocks and the number of error bits threshold when reading the data size; if the current number of the error bit memory block is greater than the number of bits error threshold, select a block to replace the current memory block from the backup block in flash memory. By adopting the method, the error rate of the flash memory device can be reduced, thereby improving the service life of the flash memory device. In addition, a flash memory device and a memory block management system in a flash memory device are also provided.
【技术实现步骤摘要】
闪存设备、闪存设备中存储块的管理方法及系统
本专利技术涉及半导体存储领域,尤其涉及一种闪存设备、闪存设备中存储块的管理 方法及系统。
技术介绍
闪存是一种非挥发性的半导体存储芯片,具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的 优点,是现有便携式存储设备的理想存储介质。不过随着闪存设备使用时间的延长,闪存中 用于存储数据的存储块(Block)会逐渐变得不稳定而容易出错。一般,在闪存设备中,用于控制闪存的控制单元都会有ECC(Error Checking and Correcting,错误检测和纠正)纠错能力。ECC纠错能力用于在闪存出现少量比特(bit)错 误时,对数据进行纠错。ECC所能够纠正数据的最大比特数称为ECC的最大纠错能力。如果 数据出现的错误bit数据超出了 ECC的最大纠错能力,则称为ECC纠错失败。闪存设备在量产的过程中,会预留一部分好块作为备份块。闪存设备在使用过程 中出错的时候,就将这些备份块来替换出错的存储块。传统的闪存设备中存储块的管理方 法是,在ECC纠错失败时,判定当前存储块出错(即为坏块),则从备份块中选择一个块替换 当前出错的存储块。然而, ...
【技术保护点】
一种闪存设备中存储块的管理方法,包括以下步骤:设置错误比特数阈值,所述错误比特数阈值小于闪存设备的ECC最大纠错能力;在读取数据时比较当前存储块的错误比特数与所述错误比特数阈值的大小;若所述当前存储块的错误比特数大于所述错误比特数阈值,则从闪存的备份块中选择一个块替换当前存储块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李中政,李志雄,邓恩华,郭丹,
申请(专利权)人:深圳市江波龙电子有限公司,
类型:发明
国别省市:94
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