【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气体绝缘开关设备的导电体，尤其涉及气体绝缘高压或中压开关设备 的导电体。这种导电体用于在开关设备内部传递额定功率，所以它们也称为公称导体、初级 相导体或初级导体。
技术介绍
典型地，用于在以下简称为GIS的气体绝缘电路中传递额定电流的导电体在管形 罩壳中被引导。由于对于更小的但是强大的用于中压和高压设备的GIS的增加的需要，GIS的紧 凑性具有关键的意义。紧凑性可以这样实现，即导电体利用适合的绝缘气体，通常为六氟化 硫(SF6)，从经常位于地电位的罩壳电绝缘。因为罩壳中填充有处于多个巴压力下的绝缘气体或绝缘气体，所以尤其在高压开 关设备中出于压力技术的原因，罩壳经常使用环形横截面。对此，具有同样圆形的或环形的 导体横截面的柱形导电体通常用于每个电相。如果仅仅一个导电体布置在罩壳中，则这称为单相密封系统，而具有不同电位的 但是布置在共同罩壳中的三个导电体称为三相密封系统。当现在从具有相同的保护气体和相同的结构以及相同的材料的GIS中要求更高 的电功率时，这通常对GIS的尺寸产生负面效果，这是因为GIS由于增大的罩壳直径可变得 更不紧凑。
技术实现思路
因...
【技术保护点】
１．一种高压或中压开关设备区段（１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ），其具有至少一个导电体（２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈ，２ｉ，２ｋ，２ｍ，２ｎ，２ｐ，２ｑ，２ｒ），所述导电体借助于绝缘气体电绝缘地布置在所述开关设备区段（１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ）的金属密封的罩壳（４，４ａ，４ｂ）中，其中，所述导电体包括至少一个导体分段（３７），其在纵向方向（Ｙ）上延伸，并且其中，所述导电体从具有恒定轮廓横截面的至少一个轮廓中制造，并且所述轮廓横截面具有高度（６），其至少是所述轮廓横截面的宽度（７）的两倍，并且其中，所述至少一个导体分段（...
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。