抗蠕变抛光垫窗制造技术

抗蠕变抛光垫窗。本发明专利技术的抛光垫可以用来对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光。所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层包括聚氨酯窗。所述聚氨酯窗包括由预聚物混合物中的脂族或脂环族异氰酸酯和多元醇形成的交联结构。所述预聚物混合物与包含OH或NH2基团的增链剂反应，其中OH或NH2与未反应的NCO的化学计量比小于95％。当在60℃的恒定温度下，在140分钟，以1千帕的恒定轴向张力负荷测量的时候，所述聚氨酯窗的随时间变化的应变小于或等于0.02％，肖氏D硬度为45-90，对于厚度为1.3毫米的样品，在400纳米波长下的双程透光率至少为15％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于抛光垫的聚合物窗，所述抛光垫用于包括光学终点检测设备的抛光。例如，所述抛光垫特别可用于对磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种进行抛光终点检测。
技术介绍
通常，半导体制造商在化学机械抛光(CMP)工艺中采用终点检测。在各CMP工艺中，通过抛光垫与抛光液(例如包含磨料的抛光浆液或者不含磨料的活性液体)的组合，以一定的方式除去多余的材料，从而进行平面化或保持平坦度，以便接纳下一层。这些层以一定的方式组合成堆叠，形成集成电路。由于人们需要具有更高的运行速度、更低的漏电流和降低功率消耗的器件，所以这些半导体器件的制造一直在变得越来越复杂。对于器件的结构，这意味着要求更精细的特征几何结构，以及更多的金属化层次。这些越来越严格的器件设计要求促使人们对应于图案密度的增大采用越来越小的线路间距。器件的更小的规模以及增大的复杂性使得对CMP消耗品(例如抛光垫和抛光液)的要求更高。另外，随着集成电路特征尺寸的减小，由CMP产生的缺陷，例如划痕，变成了更大的问题。另外，集成电路的膜厚度的减小要求半导体制造商不会由于过度抛光而引入缺陷。半导体层之间的过度抛光会导致铜互连的“凹陷，，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种抛光垫，所述抛光垫可以用来对磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种进行抛光，所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层具有聚氨酯窗，所述聚氨酯窗具有预聚物混合物中的脂族或脂环族异氰酸酯和多元醇形成的交联结构，所述预聚物混合物与包含ＯＨ或ＮＨ２基团的增链剂反应，其中ＯＨ或ＮＨ２与未反应的ＮＣＯ的化学计量比小于９５％，当在６０℃的恒定温度下，在１４０分钟，以１千帕的恒定轴向张力负荷测量的时候，所述聚氨酯窗的随时间变化的应变小于或等于０．０２％，肖氏Ｄ硬度为４５－８０，对于厚度为１．３毫米的样品，在４００纳米波长下的双程透光率至少为１５％。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A·洛亚克，A·纳卡塔尼，M·J·库尔普，D·G·凯利，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US