【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及聚合物半导体领域。
技术介绍
印刷有机电子器件(POE)的制作引起人们极大的兴趣，因为这种器件成本超低、 可溶液处理、并具有机械耐久性和结构柔性。一种POE——印刷的薄膜晶体管(TFT)——近 年来受到极大关注，因为其为用于例如有源矩阵液晶显示器(LCD)、有机发光二极管、电子 纸、无线射频辨识标签(RFID)、光电器件的硅技术的一种有前景的低成本替代技术。TFT—般由一个支持基底、三个导电电极(栅极、源极和漏极)、一个通道半导体层 和一个分隔栅极和半导体层的电绝缘栅介电层。期望改进已知TFT的性能。可通过至少两 种性质衡量性能迁移率和通/断比。以cm2/V-sec为单位度量迁移率；期望迁移率较高。 通/断比是在断开状态漏过TFT的电流量与在导通状态流过TFT的电流量之间的比例。通 常，更期望较高的通/断比。薄膜晶体管(TFT)是现代电子产品——包括，例如传感器、图象扫描器、电子显示 器件和太阳能电池——中的重要组件。太阳能电池是用于将太阳光转化为电能的光电器 件。与其他能源不同，太阳能电池使用没有限制、环境友好，因此预计会随时间变成越来越 重要...
【技术保护点】
１．一种包含一种聚噻吩和至少一种提供二价连接基的化合物的聚合物半导体，所述聚噻吩的Ｍｎ为约１，０００至约４００，０００道尔顿且衍生自式（１）的苯并二噻吩单体片段，所述提供二价连接基的化合物选自芳香族或杂芳族电子受体化合物Ｘ、芳香族或杂芳族化合物Ｙ及其结合，其中Ｒ１和Ｒ２为独立地选自氢原子、烃基、杂原子及其结合的侧链。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A·维格勒斯沃斯，吴贻良，柳平，胡南星，
申请(专利权)人：施乐公司，
类型：发明
国别省市：US
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